【課題】ソリが少なく横断面形状の真円度も高い良好な形状を有する多結晶シリコン棒を、生産効率を落とすことなく得ることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコン製造装置が備える反応炉に設けられる原料ガス供給ノズル９と金属電極（電極対）１０は下記の配置関係を満足する。すなわち、円盤状底板５の中央に中心を有する仮想の同心円Ｃ（半径ｃ）は、面積Ｓ₀の底板５の半分の面積Ｓ＝Ｓ₀／２を有している。また、同心円Ａおよび同心円Ｂはそれぞれ、同心円Ｃと中心を同じくする半径ａおよび半径ｂ（ａ＜ｂ＜ｃ）の仮想同心円である。本発明では、電極対１０は上述の仮想の同心円Ｃの内側であって仮想の同心円Ｂの外側に配置され、ガス供給ノズル９は何れも上述の仮想の同心円Ａの内側に配置される。また、同心円Ｂの半径ｂと同心円Ａの半径ａの差は、２０ｃｍ以上で５０ｃｍ以下とされる。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応装置の地絡の発生を防止すること。
【解決手段】前バッチ後に次バッチの多結晶シリコンの析出反応の準備を行うに際し、電極回りが十分に清浄化されているか否かの判断基準となる絶縁抵抗値Ｒ₀を設定し（Ｓ１０１）、電極回りの清掃後に、電極とベースプレートとの間の絶縁抵抗測定を行う（Ｓ１０２）。この絶縁抵抗値Ｒを上記基準値Ｒ₀と比較し、ＲがＲ₀以上である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、電極回りが十分に清浄化されていると判断して次の工程（例えば、次バッチの多結晶シリコンの析出反応工程）に移行する（Ｓ１０４）。一方、ＲがＲ₀を下回る場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、電極回りが十分に清浄化されていないと判断し、炉内（特に、電極とベースプレートの間に設けられた絶縁部材）の清掃および乾燥を行う（Ｓ１０５）。そして、ステップＳ１０２に戻り、以降のステップを実施する。 （もっと読む）

【課題】大気圧から超臨界雰囲気において行うプラズマＣＶＤによりポリシリコンを製造する。
【解決手段】ポリシリコン製造装置であって、高周波電力が印加される電極と、前記電極に前記高周波電力を供給する電力供給部と、前記電極にハロゲン化ケイ素化合物及び不活性ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部と、を備え、前記電極に前記高周波電力を印加し当該電極の間に電界を発生させた状態で前記反応ガスをプラズマ化させ当該電極の表面にシリコンを析出させることを特徴とするポリシリコン製造装置。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】例えば、電磁波を透過する材料からなる中空状の反応器（１１）と、その内部に原料ガスを供給する原料供給手段（１５）と、反応器（１１）中の原料ガスに高周波交番磁界を印加する高周波誘導コイル（１２）とを備えた装置（１０）を用い、反応器（１１）内に導入した原料ガスに高周波交番磁界を印加またはマイクロ波を照射し、原料ガスを分解および／または反応させてナノ粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の原料となる原料ガスおよび非反応性のプラズマ生成ガスの混合ガスをプラズマ生成手段（１１）に供給しプラズマジェットを生成する工程と、冷却可能な壁面を備え、圧力調整可能な密封可能なチャンバー（１４）の内部を非反応性雰囲気あるいは酸素ガスを含む雰囲気で満たし、プラズマジェットを噴出させ、急冷することによりナノ粒子を生成させる工程とを有することを特徴とするナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サセプタとリングにひびや割れを発生させることなく、サセプタ表裏面の雰囲気遮蔽性を高め、ウェーハ裏面側へのエピタキシャル層の形成を抑制することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル気相成長装置であって、サセプタの下面に、サセプタとリングとの間隙からのガスの流通を抑制するための石英製カバー部材が設けられており、石英製カバー部材は、少なくともサセプタの下面に固定されて石英製カバー部材を支持している支持部と、リングの内径よりも外径が大きく、支持部から少なくとも反応容器の側壁に向けて水平に延びる延伸部とを有するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】吸着塔内における吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置および方法であって、当該装置においては、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部３と、吸着塔１から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器５を備える。不活性ガスはＡｒガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンを含有する成分と水素とを含有する反応ガスを、１つ又はそれ以上のノズルを用いて少なくとも１本の加熱されたフィラメントロッドを有するリアクター中へ導通し、前記フィラメントロッド上にシリコンを析出させることを含む多結晶シリコンの製造方法。
【解決手段】リアクター中の流動条件を説明するアルキメデス数Ａｒ_nが、リアクターの空間容積に対するロッド体積の比［単位：パーセント］で示される充填度ＦＧに依存して、５％までの充填度ＦＧについては下方へは関数Ａｒ＝２０００×ＦＧ^-0.6によりかつ上方へは関数Ａｒ＝１７０００×ＦＧ^-0.9により区切られた範囲内にあり、かつ５％よりも大きい充填度の場合には少なくとも７５０から多くとも４０００までの範囲内にある。 （もっと読む）