【課題】銅製錬工程で生じる塩酸硫酸酸性溶液などからビスマスを効率良く分離し、精製して高純度の硫酸ビスマスを回収することができるビスマスの精製回収方法を提供する。
【解決手段】ビスマスイオンを含有する酸性溶液を還元処理してビスマスを含む還元滓を生成させ（還元工程）、該還元滓に熱濃硫酸を加えてビスマスを浸出し（浸出工程）、固液分離した濾液を冷却して硫酸ビスマスを析出させ（冷却析出工程）、これを固液分離して硫酸ビスマスを回収する（回収工程）ことを特徴とするビスマスの回収方法であって、好ましくは、ビスマス浸出工程において、還元滓に後工程で分離した熱濃硫酸を加えてビスマスを浸出し、硫酸ビスマス回収工程の後に、その濾液（濃硫酸）を加熱してビスマス浸出工程に返送してビスマスの溶解に使用する返送工程を有するビスマスの回収方法。 （もっと読む）

【課題】物理的衝撃に強い光導電層を製造する。
【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子（ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも1種である）からなる光導電層の製造方法であって、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子の圧粉体２′を成形し、この圧粉体２′に高分子物質５を含浸させ、含浸させた高分子物質を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】強酸を使用することなく、安定な水溶性ビスマス化合物溶液を用いて形状や組成が安定なＢｉＭＯ微粒子（ただし、ＭはＳｉ、Ｇｅ、ＴｉまたはＳｎ）を製造する。
【解決手段】ケイ素化合物、ゲルマニウム化合物、チタニウム化合物またはスズ化合物から選ばれる少なくとも１種と、ビスマス化合物とを、アミノ化合物存在下、アルカリ水溶液中で攪拌混合して反応させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形物の望ましくない着色を起こさず、且つ黒さとコントラストに優れたマーキングを可能にするレーザーマーキング用添加剤を提供することにある。
【解決手段】ａ）ビスマスの酸化物と、ｂ）ガドリウムおよびネオジムから選択される少なくとも１つの金属の酸化物とを含有することを特徴とするレーザーマーキング用添加剤。好ましい金属酸化物は下記一般式で表される。Ｂｉ_{（１−ｘ）}Ｍ_ｘＯ_ｙ（式中、Ｍはガドリウムおよびネオジムから選択される少なくとも１つの金属、ｘおよびｙはそれぞれ０．００１＜ｘ＜０．５、１＜ｙ＜２．５の関係を有する値である。） （もっと読む）

本発明の態様は、多孔質セラミックカソード、必要によりカソード３層界面層、酸化セリウムを含む層および酸化ビスマスを含む層とを含む２層電解質、アノード機能層および電気的相互配線を有する多孔質セラミックアノードを含む多層構造体を有するＳＯＦＣに関するものであり、該ＳＯＦＣは、水素燃料または炭化水素燃料を用いて、７００℃より低い温度で非常に高い出力密度を有している。低温での化学エネルギーの電気エネルギーへの変換は、セラミック導電性酸化物に代えてステンレス鋼または他の金属合金をインターコネクトに用いた燃料電池の製造を可能とする。
（もっと読む）

【課題】可視光に対する高い透過性を有し、かつ、特に長波長紫外線に対する優れた遮蔽能を有する紫外線遮蔽用分散体および紫外線遮蔽用コーティング組成物を提供する。
【解決手段】水中にビスマスの酸性水溶液と水酸化アルカリ水溶液を添加して、ＰＨを９．５〜１１．５に保ちつつ溶液中のビスマスを加水分解し、生成した沈殿物を濾過、水洗、乾燥、焼成して単結晶系酸化ビスマスを得、得られた単結晶系ビスマスを、溶媒と分散メディアの存在下で、湿式粉砕することによって、平均一次粒子径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの単斜晶系微粒子酸化ビスマスを製造する。この酸化ビスマスを含有させて、乾燥膜厚１μｍ〜４μｍで形成した薄膜の光透過率が、波長２５０ｎｍ〜４００ｎｍで２０％以下であり、かつ、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍでは７０％以上である紫外線遮蔽用分散体を構成する。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽剤として用いるのに適した可視光に対する高い透過性（透明性）と長波長紫外線（近紫外線）遮蔽能を有する単斜晶系微粒子酸化ビスマスを提供し、かつ、その特徴を生かした紫外線遮蔽用分散体を提供する。
【解決手段】水中にビスマスの酸性水溶液と水酸化アルカリ水溶液を添加して、ｐＨを９．５〜１１．５に保ちつつ溶液中のビスマスを加水分解し、生成した沈殿物を濾過、水洗、乾燥、焼成して単斜晶系酸化ビスマスを得、得られた単斜晶系酸化ビスマスを、溶媒と分散メディアの存在下で、湿式粉砕することによって、平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍの単斜晶系微粒子酸化ビスマスを製造し、その平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍの単斜晶系微粒子酸化ビスマスを含有させて紫外線遮蔽用分散体を構成する。 （もっと読む）

【課題】硝酸性窒素を副生しない、高純度な酸化ビスマス粉の製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程を有する酸化ビスマス粉の製造方法：（１）金属ビスマスを酸化剤の存在下、塩酸に溶解してビスマス塩酸溶液を得る工程、（２）前記ビスマス塩酸溶液にアルカリＡを添加して中和し、オキシ塩化ビスマスを含む白色沈殿物を得る工程、（３）前記白色沈殿物の水性スラリーにアルカリＢを添加して前記オキシ塩化ビスマスを含む白色沈殿物と反応させ、酸化ビスマス結晶の黄色沈殿物を得る工程、（４）前記黄色沈殿物を精製・粉砕することにより酸化ビスマス粉を得る工程。 （もっと読む）

組紐にされたＢｉ₂Ｓｒ₂ＣａｉＣｕ₂Ｏ_x（Ｂｉ−２２１２）ストランドの磁石コイルを良好に熱処理する方法が提供されている。Ｂｉ−２２１２コイルは、標準的な丸ワイヤパウダーインチューブ技術を用いて製造され、炭素質バインダが組み込まれたセラミック−ガラス組紐と組紐にされる。このコイルは、高電流密度相反応シーケンス下で雰囲気が制御された炉中で加熱されて炭素質バインダが焼失され、かつ排気されて不必要なガスが巻線の内側から除去される。次いで、酸素環境が導入されて、コイルが高Ｊ_c反応温度に熱処理され、次いで、通常通り処理される。特に酸素濃度といったワイヤの表面の局所的な雰囲気が良好な反応シーケンスのために重要であるため、これにより、高電流Ｂｉ−２２１２コイルを得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、次の化学式で表される新規な化合物半導体を提供する（Ｂｉ_1-x-yＬｎ_xＭ_yＣｕＯＴｅ）。化学式において、Ｌｎはランタン族元素であってＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１及び０＜ｘ＋ｙ＜１である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するかまたは従来の化合物半導体に加え、熱電変換素子などの用途に用いられ得る。 （もっと読む）