多層構造の平板状のセラミック材料と、セラミック材料の少なくとも１つの表面上に具備された金属被覆を備えた金属セラミック基板であって、その金属被覆がセラミック材料とダイレクトボンディング（ＤＣＢ法）または活性はんだによって接合され、そのセラミック材料が少なくとも１つの内側層または窒化シリコンセラミックベース層から成り、およびその際少なくとも１つの金属被覆を備えたセラミック材料表面が少なくとも１つのベース層上に施された酸化セラミック中間層を形成する金属セラミック基板。 （もっと読む）

本発明は、キャリア金属層（１）とグラファイト層（３）との間の接合部（５）の製造法に関する。本発明によれば、該方法は以下の工程を有する：キャリア金属層（１）を準備する工程；該キャリア金属層と接合されるグラファイト層（３）を準備する工程；少なくとも１種の金属（４）を含有する接着層（２）を、該キャリア金属層（１）と該グラファイト層（３）との間に配置する工程；該キャリア金属層（１）を該グラファイト層（３）と接合する工程、その際、該接合工程は拡散工程を包含し、該拡散工程において金属（４）は、少なくとも部分的に該グラファイト層（３）及び／又は該キャリア金属層（１）の中に導入されるよう促され、その際、該金属は本質的に固相のままである。
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【課題】固体酸化物型燃料電池のシール材料である大気接合用ろう材及び接合体に関し、特に６００〜８００℃で動作する固体酸化物型燃料電池の構成部品間の燃料ガス及び酸化剤ガスの気密性を保つための大気接合用ろう材、及び該接合用ろう材を含むシール構造を備えた接合体に関する大気中で、金属同士、セラミックス同士、及び金属とセラミックスを簡単にフラックス無しで接合できる大気接合用ろう材を提供する。
【解決手段】主成分であるＡｇと、Ｇｅ，Ｃｒ又はこれらの酸化物と、残部としての不可避不純物からなり、さらに大気中の接合過程でＧｅとＣｒを主とする複合酸化物になることを特徴とする大気接合用ろう材。 （もっと読む）

【課題】高信頼性のセラミックス／金属の接合技術を提供する。
【解決手段】接合部材は、金属製の第１の円筒部１９と、第１の円筒部１９と同軸に軸端面同士で接合され、第１の円筒部１９を形成する金属よりも熱膨張率が小さいセラミックスで形成された第２の円筒部１１と、を有する。第１の円筒部１９と第２の円筒部１１とが互いに接合される各軸端面は、第１の円筒部１９が第２の円筒部１１の外側になるようにテーパ角度θ＝５３〜７０度の傾斜をもったテーパ面である。両円筒部の内径および外径はそれぞれ等しい。両円筒部の接合は、ガラス封着、ロウ付け、接着剤接合のいずれかによる。第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 （もっと読む）

【課題】半田またはろう材等を用いて、接合層の厚さが略均一になるように二つの部材を接合する方法および接合層の厚さが略均一な半田またはろう材等の接合材を用いた接合体を提供する。
【解決手段】本発明によって、第１の部材上１０に、第１接合材、複数のセルを有するセル構造体および第２接合材を順に積層し、前記第２接合材上に第２の部材２０を配設して、加圧下において接合することを特徴とする第１の部材１０と第２の部材２０との接合方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＨＩＰなどの大掛かりな設備を利用することなく、簡易な工程で実現可能なセラミック基板への白金箔の直接接合方法を提供する。
【解決手段】２枚のセラミック基板１０１，１０２間に白金箔１１１を挟み、２枚のセラミック基板１０１，１０２及び白金箔１１１の厚さ方向に押圧力を加えると共に、真空雰囲気中で９００℃〜１２００℃にて加熱することにより、セラミック基板１０１，１０２と白金箔１１１を接合するようになったセラミック基板への白金箔の直接接合方法である。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、回路面へのろう材の付着を防止しながら、セラミックス基板を破損せずに余剰のろう材の除去が可能であるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材４２を介在させて前記セラミックス基板４１と前記金属板４３，４４とを積層した積層体４０を、前記セラミックス基板４１よりも大面積であってこのセラミックス基板４１および前記金属板４３，４４全面を覆う２枚の加圧板４５間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程において、前記セラミックス基板４１の辺部に対して前記金属板４３，４４の角部４３ｂ，４４ｂの先端部がほぼ一致するように、これらセラミックス基板４１および金属板４３，４４が配置される。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材３０を介在させてセラミックス基板２０と金属板４０，７０とを積層した積層体５０を、セラミックス基板２０および金属板４０，７０全面を覆う２枚の加圧板６０間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程を行い、この接合工程において、加圧板６０、セラミックス基板２０および金属板４０，７０の位置決めを、加圧板２０の角部２１、金属板４０，７０の角部４１，７１およびセラミックス基板２０の角部２１を一致させることにより行い、セラミックス基板２０の角部２１を構成する辺縁部２０ａ近傍に、金属板４０，７０との間にろう溜まり空間Ａを形成するろう溜まり形成部２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】使用率を向上させ、Ｉｎ等の半田材の注入を容易にし、半田等の割れやクラック、剥離を著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯ等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲットの、少なくとも一方の端部に、内周に向かってテーパ状及び／又は段状の形状を形状とし、円筒形ターゲットと円筒形基材との間隙にＩｎ等の接合材（半田材）を容易にかつ円滑に注入して接合し、スパッタリングターゲットと成した後、使用効率が高く、割れやクラック、剥離のないことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】正電圧の印加により陽極接合した基板接合体の、逆電圧の印加に伴う剥離を防止することができる基板の接合方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２を陽極１３としこれに接合される第１ガラス基板３を陰極１４として、シリコン基板２の一方の接合面に第１ガラス基板３を陽極接合する第１接合工程と、接合したシリコン基板２および第１ガラス基板３を陽極１３としこれに接合される第２ガラス基板４を陰極１４として、シリコン基板２の他方の接合面に第２ガラス基板４を陽極接合する第２接合工程と、を備え、第１ガラス基板３は、その電気抵抗値が第２ガラス基板４の電気抵抗値より低いものとした。 （もっと読む）