国際特許分類[C07C309/73]の内容
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国際特許分類[C07C309/73]に分類される特許
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光学活性モノスルホネート化合物の製造方法
【課題】光学活性モノスルホネート化合物の製造方法の提供。
【解決手段】ジオール化合物の片方の水酸基のみを選択的にモノスルホニル化する、モノスルホネート化合物の製造方法。特に、メソ−1,2−ジオール化合物(II)およびスルホニル化剤(III)を、光学活性ビスオキサゾリン化合物(IV)、金属塩(V)および塩基の存在下反応させる、光学活性モノスルホネート化合物(I)の製造方法;
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芳香族スルホン酸エステルおよびスルホン化ポリアリーレン系重合体
【課題】高いプロトン伝導性の付与と、高温加湿条件下でも膨潤抑制された材料設計が可能な新規芳香族スルホン酸エステルおよびスルホン化ポリアリーレン系重合体に関する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されることを特徴とする芳香族スルホン酸エステル誘導体。
[式(1)中、Xはフッ素を除くハロゲン原子(塩素、臭素、ヨウ素)、−OSO2CH3および−OSO2CF3からなる群より選ばれる原子または基を示し、Yは−CO−または−S
O2−を示す。Zは直接結合または−CO−または−SO2−または−SO−を示し、nは
2〜5の整数を示す。Rは独立に炭素数4〜20の炭化水素基を示す。]
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4位置換シクロヘキサンカルボアルデヒド化合物の製造方法
【課題】入手容易なシクロヘキサンメタノール化合物を用い、特別な反応装置を必要とせず、酸化反応させて悪臭などの問題もなく、液晶中間体、医薬中間体として有用な4位に置換基を有するシクロヘキサンカルボアルデヒド化合物の製造方法の提供。
【解決手段】式(II)で表されるシクロヘキサンカルボアルデヒド化合物に対応する4位に置換基を有するシクロヘキサンメタノール化合物に酸化剤を作用させ、アルデヒド化合物を得るに当り、ニトロキシドラジカルの存在下で酸化を行い、式(II)で表されるシクロヘキサンカルボアルデヒド化合物を製造する。
(Rは置換基を表す。)
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4−(置換メチル)シクロヘキサンカルボアルデヒド
【課題】液晶中間体、医薬中間体のビルディングブロックとして有用な新規シクロヘキサンカルボアルデヒドを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表されるシクロヘキサンカルボアルデヒド。
式中、Xはハロゲン原子(フッ素、塩素またはヨウ素)、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表す。
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芳香族スルホン酸エステル誘導体、該芳香族スルホン酸エステル誘導体を有するポリアリーレン、該ポリアリーレンを用いた固体高分子電解質、および該固体高分子電解質から得られるプロトン伝導膜
【課題】固体高分子電解質として使用されるポリアリーレンの物性を改良し、該改良されたポリアリーレンから得られるプロトン伝導膜の物性を向上させること。
【解決手段】本発明者は、下記一般式で表される新規な芳香族スルホン酸エステル誘導体をポリアリーレンに含有させることにより、該ポリアリーレンを固体高分子電解質として使用する際の物性が向上することを見出した。
上記式中、XおよびYは同一でも異なっていてもよく、それぞれフッ素原子を除くハロゲン原子、−OSO2CH3および−OSO2CF3からなる群から選ばれる原子あるいは基を示し;Wは水素原子、芳香族基あるいは−B−(SO3Rb)mで表される基を示し;
Aは直接結合あるいは芳香族基を示し;Bは芳香族基を示し;Raは炭素数1〜20の炭化水素基を示し;Rbは炭素数1〜20の炭化水素基を示し;kは1〜3の整数を示し;mは0〜2の整数を示す。
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(3R,4R)−N−(4−クロロフェニル)−1−(2,2−ジフルオロエチル)−N’−[2−フルオロ−4−(2−オキソ−1(2H)−ピリジニル)フェニル]−3,4−ピロリジンジカルボキサミドの製造方法
本発明は、式(I)で示されるピロリジン−3,4−ジカルボキサミド誘導体の製造方法及びこの方法に有用な中間体に関する。
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カルシリティック化合物
新規のカルシリティック化合物、医薬組成物、合成方法およびそれらを使用する方法が、提供される。 (もっと読む)
反応装置
【解決手段】本発明の反応装置は、有機溶媒(A)に溶解または分散するジオール化合物と、スルホン酸クロライド類とを、減圧下に攪拌しながら反応させてスルホン酸エステル誘導体を製造する際の反応装置であって、該反応装置には、該反応装置の内周部にある反応液の組成と該反応装置の中心部にある反応液との組成を均一化させる攪拌翼を有する攪拌装置が配置されていることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、攪拌翼の作用により高粘性成分を略均一に攪拌することができる。これにより、反応液全体の温度が均一になり、高い周率でノルボルネンドトシルを製造することができる。さらに、反応容器の容量を大きくしても均一に攪拌することができるので、スケールアップを容易に行うことができる。
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ジオールの位置選択的モノ−トシル化法
【化1】
本発明は、位置選択的触媒的ジオールモノ−トシル化のための2モル%より低い濃度におけるジブチル錫オキシドの使用に関する。本発明は、また、位置選択的ジオールモノ−トシル化のための触媒的方法における式(Ic)の総称的アセタール化合物の使用に関し、式中、YはC1−6アルキル、フェニル及びベンジルの群から選ばれる。式(Ic)の総称的アセタール化合物の濃度は約2モル%より低く、好ましくは約2モル%〜約0.0005モル%の範囲であり、好ましくは約0.1モル%〜約0.005モル%の範囲である。
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スルホニル基を含むフォトレジストモノマー、ポリマー及びこれを含むフォトレジスト組成物
【課題】スルホニル基を含むフォトレジストモノマー、ポリマー及びこれを含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】前記フォトレジストモノマーは、下記化学式で表される。
式中、R*は水素又はメチル基であり、R1及びR2は各々独立的にケトン基を含むか又は含まない炭素数1〜20のアルキル基、炭素数4〜20のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基又は炭素数7〜20のアリールアルキル基であり、R1及びR2の何れか一つの作用基は存在しないことができ、R1及びR2は互いに連結して環を形成できる。
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