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国際特許分類[C07F13/00]の内容

国際特許分類[C07F13/00]に分類される特許

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【課題】酸化触媒としての金属錯体化合物の使用の提供。
【解決手段】酸化反応のための触媒としての、式(1)及び/又は(1’)
[LnMemp2q (1)、[L’nMemp2q (1’)
(式中、全ての置換基は請求の範囲で定義した通りである。)で表わされる金属錯体化合物の使用、及びまた、新規金属錯体化合物及び新規配位子。 (もっと読む)


【課題】
本発明は光を照射することにより、半永久的に導電性となる有機物質の薄膜及び有機物質の薄膜よりなる多層構造の導電性膜を提供するにある。
【解決手段】
電子受容体有機化合物よりなる薄層と、光増感性官能基と電子を供与することにより不可逆的に化学変化する基とを一分子中に有する有機化合物よりなる電子供与体の薄層との2重構造よりなるラングミュア・ブロジェット膜であり、且つ、該膜に光を照射することにより導電性が付与されたラングミュア・ブロジェット膜。 (もっと読む)


本発明は、リンカー基を介して生体ターゲティング部分と連結したテトラアミンキレーターコンジュゲート並びに放射性医薬品としてのそのテクネチウム錯体を提供する。リンカー基はキレーターが橋頭位で単官能化されるようなもので、柔軟性を与えるとともにアリール基を含まないものをもたらし、親油性及び立体的嵩高さを最小限にする。キレーターの保護形も提供し、テトラアミンキレーターのアミン窒素による干渉反応を起こさずに広範なターゲティング分子との結合が可能となる。官能化キレーターの合成についても、二官能性キレーター前駆体と併せて開示する。本発明のテクネチウム金属錯体を含む放射性医薬組成物についても、かかる放射性医薬品の調製用の非放射性キットと併せて開示する。 (もっと読む)


本発明は、アミロイド沈着物の画像化方法、標識化化合物、およびアミロイド沈着物の画像化方法に有用な標識化化合物の製造方法に関する。本発明はまた、アミロイド沈着物を生成するアミロイド沈着物タンパク質の凝集を阻害するための化合物、アミロイド沈着物タンパク質の凝集を阻害する化合物の製造方法、およびアミロイド沈着物に治療用薬剤を送達する方法に関する。本発明によってまた、診断用組成物が提供される。本発明の方法は、簡便でかつ非侵襲性である。
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メソテトラキスN−アルキルピリジルポルフィリン(アルキルはメチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−ヘキシル及びn−オクチル)の一連のオルト異性体とそのMn(III)錯体を合成し、元素分析、uv/vis分光法、エレクトロスプレーイオン化質量分析、及び電気化学により確認した。1〜8までのアルキル鎖の炭素原子の数の増加は、(a)クロマトグラフィーの保持因子、Rにより測定される親油性、(b)+220〜+367mVvsNHEまでの金属中心の酸化還元電位、E1/2、及び(c)10.9〜13.3までのプロトン解離定数、の増加を伴う。Mn(III)ポルフィリンのE1/2とRの間、及びメタルフリー化合物のpKa2とRの間に直線関係が見出された。ポルフィリンが次第により親油性になるに従って、水和作用の減少は、電荷の分離を嫌い、一方で、正の荷電をもつピリジン窒素原子の電子吸引性効果は強められる。従って、E1/2はpKa2の増加と伴に直線的に増加し、本発明者らが他の水溶性Mn(III)ポルフィリンについて以前に報告したものと反対のポルフィリンの塩基性の傾向である。これらMn(III)ポルフィリンの全ては、超酸化物の不均化(不均一化)のための強力な触媒である。鎖の長さの増加を伴うE1/2の好ましい増加にも関わらず、触媒速度定数は、メチル(logKcat=7.79)からn−ブチルまで減少し、その後増加し、n−オクチルは、メチル及びエチル化合物がそうであるように、強力なSODミミックである。観察された挙動は、電子効果を変える、水和及び立体効果の相互作用から生じる。 (もっと読む)


金属錯体の存在下において標的分子を基質に暴露する段階を含み、標的分子が非改変標的分子であり、金属錯体が、標的分子と基質との間に安定な結合相互作用を提供するように選択される、標的分子を基質に固定化する方法。 (もっと読む)


本発明は、それぞれ式(I)のトリアゾールとベンゾトリアゾールのエレクトロルミネセンス金属錯体、それらの調製方法、金属錯体を含む電子デバイス、及び電子デバイス、特に有機発光ダイオード(OLED)における、酸素感応指示器としての、バイオアッセイにおけるリン光性指示器としての又は触媒としてのそれらの使用に関する。
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アノード、カソード、前記アノード及び前記カソードの間に配置される発光層を含む発光装置であって、
前記発光層は発光化合物を含み、前記発光化合物は金属錯体を及びXを含み、前記金属錯体は金属(M)及びMに直接配位結合されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されており、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


アノード、カソード、前記アノードと前記カソードの間に位置する発光層を含む発光装置において、
前記発光層は発光のための金属錯体を含み、前記金属錯体は一般式Iを有する基を含み、
M−L (I)
Mは金属であり、Lは配位子であり、Lは置換又は未置換のヘテロアリール環であるArを含み、前記ヘテロアリール環は少なくとも1つのリン原子を含むことを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


アノード、カソード、前記アノードとカソードの間に位置する発光層を含む発光装置であって、前記発光層は発光用の帯電金属及び前記帯電金属上の電荷をバランスするに十分な電荷を有する対イオンを含み、装置からの発光が速やかになるように対イオンは実質的に移動せず、前記結合された帯電金属錯体及び対イオンは次の一般式I又はII有しないことを特徴とする発光装置であって、
【化1】


【化2】


C−Nは、シクロメタレート配位子である。 (もっと読む)


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