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国際特許分類[C07F7/08]の内容

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官能基化カルボ-ケイ素化合物を、ヒドロシリル化触媒存在下、ヒドロシリル化促進条件下で、少なくとも1つのSi-H官能基を有する加水分解可能ケイ素反応体;ならびに、第三炭素原子に付着していない場合、少なくとも1つの末端オレフィン官能基、および実質上ヒドロシリル化反応を妨げる能力を有することを特徴とする第二メチル官能基または炭素官能基を結合している第三炭素原子、を含む官能基化オレフィン反応体;を接触させる工程を含む製造方法によって、提供する。 (もっと読む)


【課題】 アリール置換インデニル誘導体をリガンドとして含んだメタロセンを合成するための中間体の使用方法を提供する。
【解決手段】 ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)等の特定のアリール置換インデニル誘導体を含む橋架けリガンド系、およびその原料化合物の使用。 (もっと読む)


【課題】製造工程が簡易で、かつ、有機エレクトロルミネセントデバイスに用いられたときの電界発光の発光効率が良好なアントラセン化合物、及び、これを用いた有機発光電界デバイスを提供する。
【解決手段】トリフェニルシリル基等のシリル基を有するフェニル基を9位及び10位に有するアントラセン化合物。該アントラセン化合物は、青色有機エレクトロルミネセントデバイスのホスト材料、あるいは有機エレクトロルミネセントデバイスのホール輸送層材料、又は、電子輸送層材料としても有用なものである。 (もっと読む)


【課題】高温で生成した結晶化度および生産性が良好で、高分子量を有するポリマーを提供可能な触媒系を提供すること。
【解決手段】本発明は、次の化学式により表される遷移金属化合物に関する。式中、Mは周期律表の4族から選択される遷移金属であり、Rは水素等、Rはメチル等、Rは炭素または珪素、Rは水素等、Rは水素等、Rは炭素または珪素、Rは水素、Rは水素等、Rは水素等、R10は−M(R16−、R11は水素等、R12は炭素または珪素、R13は水素等、R14は水素等、およびR15は炭素または珪素であり、a、b、c、d、e、f、およびgは0か1または2である。

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a)式(I);[式中、Mは、遷移金属であり;pは0〜3の整数であり、Xは、同じかまたは異なっていて、水素原子、ハロゲン原子、または炭化水素基であり;Lは、二価のC1−C40炭化水素基であり;R1は、C1−C40炭化水素基であり;T1は、式(IIa)または(IIb):(式中、R2およびR3は、C1−C40炭化水素基であり、または、それらは一緒になってC3−C7員環を形成することができ;R4は、C1−C40炭化水素基である)で表される基であり;T2およびT3は、式(IIIa);(式中、R6およびR7は、互いに同じかまたは異なり、水素原子、または、C1−C40炭化水素基であり;R5は、水素原子またはC1−C40炭化水素基である)で表される基であり;その場合、T1が式(IIa)で表される基である場合、T2とT3の少なくとも1つは式(IIIb)で表される基であり、また、T1が式(IIb)で表される基である場合、T2とT3の少なくとも1つは式(IIIa)で表される基であるという条件が付く]で表されるメタロセン化合物と;b)少なくとも1種のアルモキサン、またはアルキルメタロセンカチオンを形成できる化合物とを接触させることによって得ることができる触媒系の存在下で、1−ブテンおよび任意にエチレン、プロピレンまたはより高級なを重合させる工程を含む1−ブテンポリマーを調製する方法。
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【課題】 簡便な方法により容易に製造できる電気伝導特性に優れた有機デバイス、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式;Si(A)(A)(A)−B−Si(A)(A)(A)(A〜Aは水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてA〜A>A〜Aの関係を満たす;Bは2価の有機基である)の有機化合物を用いた有機デバイス。上記有機化合物におけるA〜Aを有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基を吸着反応のサイトとして、上記の有機化合物からなる単分子膜を累積させる工程を含む有機デバイスの製造方法。 (もっと読む)


本発明は、式(I)、
【化1】


(但し、
1、R1が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが水素又は1〜40個の炭素原子を含む有機基であり、
2、R2が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが水素又は1〜40個の炭素原子を含む有機基であり、
3、R3が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが1〜40個の炭素原子を含む有機基であり、
T、T’が、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが、1〜40個の炭素原子を有する二価の有機基であり、及びシクロペンタジエニル環と一緒に、少なくとも1種の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の、5〜12原子の環サイズを有する環状基を形成し、T、T’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環状基内にヘテロ原子Si、Ge、N、P、As、Sb、O、S、Se又はTeを含んで良く、
Aが、二価の原子又は二価の基からなるブリッジであり、
Zが、二価の原子又は二価の基からなるブリッジであり、
Eが、P、As又はSbであり、
1が、元素周期表の第4族の元素であり、
2が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハロゲン化部分であり、
pが、正の2価に荷電した金属イオンの場合には1であり、又は正の1価に荷電した金属イオン又は金属イオン部分の場合には2であり、
基Xが、同一又は異なるものであり、及びそれぞれが、シクロペンタジエニルアニオンによって置換可能な有機基又は無機基であり、
及び、
LBが、無荷電のルイス塩基リガンドである)
のアンサ−メタロセン錯体を、ラセモ選択的に製造するための方法、及びまた、これら錯体を後に式(IV)のアンサメタロセンに転化する方法、式(III)
【化2】


の遷移金属化合物、及びこれらをアンサ−メタロセンのラセモ選択的な製造のために使用する方法、式(I)のアンサ−メタロセン錯体、及びこれらをオレフィン性不飽和化合物の重合用の触媒組成物の成分として使用する方法に関する。
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本発明は新規の銅(I)または銀(I)錯体、及び不純物をほとんど含まない金属銅または銀の気相化学蒸着(gas-phase chemical deposition)のためのこれらの使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、式(I)のフルオロハロアルカン、好ましくは[18F]フルオロハロアルカンの製造方法であって、式(II)の対応有機ケイ素化合物と式(III)の化合物との反応を含んでなる方法を提供する。この方法に使用する中間体も特許請求の範囲に記載される。
X−(CH)n−F (I)
(式中、Xはハロであり、nは1〜6の整数である。)
【化1】


(式中、nは式(I)の化合物について定義した通りであり、R′、R″及びR″′はC1−6アルキル及びC1−6ハロアルキルから独立に選択され、或いはR″は次式の基
【化2】


であってもよい。)
XY (III)
(式中、Xは式(I)の化合物について定義した通りであり、Yはハロである。)
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本発明は、電子材料、光学材料、電子光学材料、または触媒担持体として用いるためのシルセスキオキサン誘導体(PSQ誘導体)およびその製造方法に関する。既存のPSQ誘導体には、一般的な有機重合体との相溶性が悪いというの問題点がある。本発明は、一般的な有機重合体との相溶性が改善された新規なPSQ誘導体およびこれを短時間かつ低コストで製造するための方法を提供する。本発明のPSQ誘導体は式(1)で示され、一般的な有機重合体に対して難燃性、耐熱性、耐候性、耐光性、電気絶縁性、表面特性、硬度、力学的強度、耐薬品性などを向上させるための添加剤として利用できる。


式(1)において、Rは水素、アルキル、アリールまたはアリールアルキルである;Yの少なくとも1つは式(2)で示される基であり、Yの残りは水素である;式(2)において、RおよびRは独立してRと同様に定義される基である;そして、Zは官能基またはその官能基を有する基であることが好ましい。
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