【課題】本発明の目的は、ＭＯＤ法のプレカーサとして有用な２−エチルヘキサン酸ニオブ誘導体及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の２−エチルヘキサン酸ニオブ誘導体は、ニオブ含有量が１３〜１６質量％であり、炭素含有量が５０〜５８質量％の範囲内であり、且つニオブ原子、酸素原子及び２−エチルヘキサン酸残基のみから構成されていることを特徴とする。また、本発明の２−エチルヘキサン酸ニオブ誘導体は、ペンタキス（アルコキシ）ニオブと、２−エチルヘキサン酸とを反応させることを特徴として製造することができる。 （もっと読む）

【課題】不斉誘導反応に有用な新規なバナジウム錯体を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物とバナジウム単体またはバナジウム化合物からなる錯体。


（式中、Ｒ¹およびＲ²は炭化水素基を表し、Ｒ³およびＲ⁴は水素原子、水酸基、メルカプト基、アミノ基、ホスフィノ基、炭化水素基、炭化水素オキシ基、炭化水素メルカプト基、炭化水素アミノ基、または炭化水素ホスフィノ基を表し、Ｒ⁵およびＲ⁶は水素原子または炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により金属薄膜を製造する方法に有利に用いることのできる新規なβ−ジケトナト金属錯体を提供する。
【解決手段】 下記式で表わされる金属錯体：
【化１】


［上記式において、
Ｘは、特定構造のシリルエーテル基を表し、
Ｙは、上記のシリルエーテル基或はアルキル基を表し、
Ｚは、水素原子或はアルキル基を表し、
Ｍは、Ｌｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｉｔ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはＡｇを表し、
ｎは、金属原子Ｍの価数を表す。
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【課題】本発明の目的は、ニオブと鉛を含有する薄膜をＭＯＤ法によって作製する際に、ＭＯＤ法用原料に適するニオブプレカーサと鉛プレカーサを含有する有機酸金属塩組成物及び該組成物を用いた薄膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の有機酸金属塩組成物は、ニオブプレカーサとしての炭素数２〜１８の脂肪族有機酸から得られる有機酸ニオブ誘導体；鉛プレカーサとしての一般式（ＲＣＯＯ）_２Ｐｂ（式中、Ｒは炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す）で表される有機酸鉛化合物；及び少なくとも１種の有機溶剤を含有してなることを特徴とする。また、更に、他の任意の金属プレカーサを含有することもできる。更に、本発明の基体上への薄膜の製造方法は、基体上に、上記有機酸金属塩組成物を塗布し、加熱することによりニオブ元素と鉛元素とを含有してなる薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機バナデートを製造する際に、有害な副生物が発生せず有機バナデートを製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応物質を反応させ、副生する水を含む低沸点化合物を留去することにより、少なくとも一つのバナジウム−酸素−炭素結合を有する有機バナデートの製造方法において、ＶＯ、Ｖ_２Ｏ_３、ＶＯ_２及びＶ_２Ｏ_５から選ばれる少なくとも１種の酸化バナジウムと特定のヒドロキシ化合物とを反応させる。ヒドロキシ化合物は一般式Ａｒ^１ＯＨ（Ａｒ^１は炭素風６〜２０の芳香族基）で表される芳香族ヒドロキシ化合物であることが好ましく、副生する水を含む低沸点化合物は蒸留法によって除去することが好ましい。 （もっと読む）

下記の化学式Ａを有する遷移金属錯体であり：
【化１】


ここで一価のＲ^１基、Ｒ^２基はＲ^ａ，−ＯＲ^ｂ,−ＮＲ^ｃＲ^ｄ，及び−ＮＨＲ^ｅであり：一価のＲ^ａ,Ｒ^ｂ,Ｒ^ｃ,Ｒ^ｄ，及びＲ^ｅ基及び二価のＲ^３基は（１）脂肪族炭化水素、（２）脂環式炭化水素、（３）芳香族炭化水素、（４）アルキル置換芳香族炭化水素、（５）複素環基、及び（６）前記基（１）〜（５）のヘテロ置換誘導体、であり；Ｍは周期表の第３−１１族の金属かあるいはランタニド金属であり；Ｅはリンあるいは砒素であり；Ｘは陰イオン基であり、Ｌは中性ドナー基であり；Ｘ基及びＬ基の数が金属Ｍの価数及び酸化状態を満足するようｎが１あるいは２であり、ｙおよびｚがそれぞれゼロあるいは整数である。ｎは好適には２であり、その２つの得られたＲ^１基は好適には結合する。この錯体は任意的に活性剤とともに使用することによりオレフィンを重合させる。
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【化１】


遷移金属触媒を用いて、官能基で置換されたオレフィンの、重合の方法が提供される。この方法は、触媒構造に組み込まれた１以上の安定化基によるものであり、重合工程における、それぞれの連続的な反応の間、遷移金属錯体に対するそれぞれのオレフィンモノマーの立体配置を「固定」する。本発明は、実質的に、重合中に触媒の活性部位におけるオレフィン転移の可能性を減少させる。１つの特定の実施形態では、官能基は極性、電子供与性基であり、安定化基はルイス酸置換基であり；このような系で調製され得るポリマーの例は、ポリ（酢酸ビニル）、ポリ（ビニルアルコール）、およびポリ（ビニルエーテル）を含む。重合方法において有用な新規の錯体および触媒系もまた、提供される。 （もっと読む）

タンタル含有材料、たとえば、タンタル、ＴａＮ、ＴａＳｉＮなどの基板上への化学蒸着に好適なタンタル前駆体を開示する。該タンタル前駆体は置換シクロペンタジエニルタンタル化合物である。本発明の一態様では、かかる化合物はタンタル／シリコン源試薬を構成するためにシリル化される。本発明の前駆体は、半導体デバイス構造の銅メタライゼーションに関連して拡散バリアを形成するために半導体製造用途で有利に使用される。
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下記式（１）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は異なっていてもよく、下記式（２）


（式（２）中、Ｑ^３は置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいシクロアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい二価の複素環基を表わし、Ｒ^５は置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を表わし、Ｒ^６は金属原子と配位又は結合可能な置換基を表すか、又はＲ^５とＲ^６とが一緒になって環を形成していてもよい）で示される基を表し、Ｑ^１及びＱ^２は同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキレン基又は単結合を表し、Ｘは二価のスペーサーを表す）で示されることを特徴とする配位子。
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【課題】窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜をＡＬＤ法で成膜するための原料としてＮｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ_２）_３より１オーダー高い蒸気圧を有する安定な化合物を提供する。さらにその製法と、それを用いて窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】
新規化合物ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）ニオブＮｂ（ＮｔＡｍ）（ＮＭｅ_２）_３は、１Ｔｏｒｒ／１００℃の蒸気圧を持ち、その融点は４７℃である。それは、ＮｂＣｌ_５１モルとＬｉＮＭｅ_２４モルとＬｉＮＨｔＡｍ１モルとを有機溶媒中、室温付近で反応させ、濾過分離、溶媒留去後、真空蒸留して得られる。この化合物を原料として用いることにより、ＡＬＤ法にて良質の窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜が形成できる。 （もっと読む）