国際特許分類[C08F12/22]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | ただ1つの炭素−炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体 (641) | 1個の不飽和脂肪族基を含有する単量体 (485) | 1個の環を含有するもの (432) | 異種原子または異種原子含有基で置換されたもの (304) | 酸素 (113)
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フェノールまたはアルコール (27)
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アルケニルフェノール系重合体の製造方法、この製造方法によって製造されたアルケニルフェノール系重合体、このアルケニルフェノール系重合体を含有するポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法
【課題】金属のコンタミ、エステル部分の加水分解を起こさずに、所定の保護基のみを選択的に脱離させるアルケニルフェノール系重合体の製造方法、この製造方法によって製造されたアルケニルフェノール系重合体、このアルケニルフェノール系重合体を含有する感度、パーティクル、現像欠陥が改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定化合物の単独重合又はビニル芳香族化合物との共重合又はアクリル酸エステルとの共重合又はメタクリル酸エステルとの共重合から得られた重合体から、所定の保護基を脱離させて、アルケニルフェノール系重合体を製造する方法に於いて、脱離剤として特定化合物を用いるアルケニルフェノール系重合体の製造方法、この製造方法によって製造されたアルケニルフェノール系重合体、このアルケニルフェノール系重合体を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。
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ポジ型感放射線性樹脂組成物
【課題】他の成分との相溶性も良好な化合物を含有し、特に遠紫外線に有効に感応する化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線透過率を最適にコントロールすることができると共に、特に、高反射基板上でのレジスト被膜の膜厚変動によるレジストパターンの線幅変化を有効に抑えることが可能で、かつ焦点深度余裕にも優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)特定構造のカリックスアレン型化合物、(B)感放射線性酸発生剤、及び(C)酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂、を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。
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膜形成用組成物、絶縁膜、及び、電子デバイス
【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物(塗布液)を提供すること。さらには該組成物を用いた電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式(1)で表される置換スチレン誘導体の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
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ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
【課題】高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【化86】
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ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
【課題】高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【化85】
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核酸複合体
【課題】遺伝子導入活性が高い核酸複合体を提供する。
【解決手段】カチオン性ポリマーと核酸との複合体であって、該複合体中の正電荷量が負電荷量よりも多い複合体に対して、アニオン性ポリマーを吸着させてなることを特徴とする核酸複合体。カチオン性ポリマー及びアニオン性ポリマーは、好ましくはN,N−ジアルキルジチオカルバミルメチル基を同一分子内に3個以上有する化合物をイニファターとし、これにカチオン性又はアニオン性ビニル系モノマーを光照射リビング重合させた分岐型重合体よりなる。
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含フッ素化合物、液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
【課題】液浸露光用レジスト組成物用の添加剤として有用な新規な含フッ素化合物、該含フッ素化合物を含有する液浸露光用レジスト組成物、および該液浸露光用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、下記一般式(c)で表される基を有し、少なくとも1つのフッ素原子を含む含フッ素化合物(C)とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。式中、Qは1価の親水基から水素原子1つを除いた基であり、R1はフッ素原子を有していてもよい炭素数2以上の炭化水素基である。
[化1]
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感光性化合物、感光性組成物、レジストパターンの形成方法及びデバイスの製造方法
【課題】低ラインエッジラフネス(LER)なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される構造単位。
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ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。
【課題】感度の経時安定性が良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)酸の作用により分解して、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、該樹脂(A)が、フェノール性水酸基を有する重量平均分子量1500〜3500の樹脂であり、該レジスト組成物が、酸の作用により分解して23℃常圧におけるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド 2.38wt%水溶液に対する溶解速度が200〜5000倍の範囲で増大する性質を有し、かつ、該レジスト組成物の固形分濃度が2.5から4.5質量%であるすることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。
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含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
【課題】Krエキシマレーザー光またはArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、高解像性を有するとともに、膨潤がなく、かつ断面形状が矩形のレジストパターンを与える化学増幅型のネガ型レジスト組成物を提供する
【解決手段】下記一般式で表される繰り返し単位とアルコール性ヒドロキシル基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜1,000,000の含フッ素高分子化合物。
【化】
(式中、R3はフッ素原子または含フッ素アルキル基、Wは二価の連結基を表す。R4、
R5およびR6は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子もしくは一価の有機基であり、または相互に組み合わされて環を形成してもよい。)
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