【課題】低温域から高温域に亘る広い温度域で優れたドライグリップ性能を発揮するゴム組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のゴム組成物は、少なくとも一種のジエン系ポリマーからなるゴム成分１００質量部に対し、フェノール性水酸基および／またはアルコキシ基を有する芳香族ビニル重合体を１〜１００質量部の量で配合してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、ベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ）が１００℃以上であり、且つ、前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、全面露光を行い、次いでベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ’）が、前記Ｔｆよりも１８℃以上低い。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、ラインウィズスラフネスに優れるレジストパターン形成方法およびそれに用いる現像液の提供。
【解決手段】 架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程（４）、現像後に有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程（５）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】高解像度でラインエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すレジスト膜を与えるポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²はＨ、Ｃ１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、Ｃ６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基。ＲはＨ、Ｃ１〜１２のアルキル基、Ｏ又はＳを有していてもよく、Ｃ２〜１２のアルケニル基、Ｃ２〜１２のアルキニル基、又はＣ６〜１０のアリール基。Ｒ³〜Ｒ⁶はＨ、あるいはＲ³とＲ⁴、Ｒ⁴とＲ⁵、又はＲ⁵とＲ⁶が結合してベンゼン環を形成してもよい。ｍ、ｎは１〜４の整数。） （もっと読む）

【課題】現像残渣に優れ、かつアウトガス特性に優れたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）一般式（Ｉ）で表される化合物、（Ｂ）フェノールのイオン化ポテンシャル値より小さいイオン化ポテンシャル値を示す化合物の残基（ｃ）を有する、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、を含むことを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。（式中、Ａｒは、芳香族環を表し、Ｃｙ基以外に更に置換基を有してもよい。ｎは、２以上の整数を表す。Ｃｙは、置換もしくは無置換のアルキル基を有する基、又は置換もしくは無置換の環状脂肪族基を有する基を表し、複数のＣｙは同一でも異なっていてもよい。Ｍ^＋は、有機オニウムイオンを表す。）
【化１】
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【解決手段】カルボキシル基の水素原子が下記一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。ｍは１〜４の整数である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】感度、経時安定性、解像性、ラフネス特性、パターン形状及びアウトガス特性に優れた微細パターンを形成することができる微細パターン形成用レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるオキシムスルホン酸化合物を含有することを特徴とする微細パターン形成用レジスト組成物。（式中、Ｒ^１は、一価の有機基を表し、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香族環又は複素芳香族環を表し、Ｘは、Ｏ、及びＳのいずれかを表し、Ａは、Ｃ及びＸと共に５〜７員環のいずれかを表す。ＡｒとＡは縮環している。）
【化１】
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【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、２回目のパターニングの影響を受けにくい第一のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】ダブルパターニングプロセスにおいて、第一のレジスト膜を形成するポジ型レジスト組成物として用いられ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含フッ素化合物成分（Ｆ）とを含有し、当該（Ｆ）成分が、塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）のみを有する含フッ素高分子化合物（Ｆ１）および前記構成単位（ｆ１）と側鎖に特定の基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｆ２）とを有する含フッ素高分子化合物（Ｆ２）からなる群から選択される少なくとも一種の含フッ素樹脂成分を含むポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】〈１〉酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を、基板上に塗布して第１レジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、加熱処理後にアルカリ現像し、ラインパターンを主とした第１レジストパターン形成工程と
〈２〉上記パターン上にレジスト変性用組成物を塗布、加熱する変性処理工程と
〈３〉変性処理後の第１パターン上に第２ポジ型レジスト材料を塗布、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像し、第１レジストパターンと平行にラインパターンを主とした第２レジストパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法で、変性処理後のレジスト膜未露光部の純水接触角が５０〜８５度である。
【効果】本発明により、２回の露光と１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを行える有用なパターン形成方法及びレジスト変性用組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規のフォトレジスト組成物が提供される
【解決手段】本発明の好ましいフォトレジスト組成物は、ヘテロ置換された炭素環式アリール基を有する１種以上の物質を含む。特に好ましい本発明のフォトレジストは液浸リソグラフィー処理中にレジスト層に接触する液浸流体中にレジスト物質が漏出するのを低減することを示すことができる。 （もっと読む）