【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、良好な真空中ＰＥＤ特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し単位を有するアルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）酸の作用により（Ａ）のアルカリ可溶性ポリマーと架橋する架橋剤、（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｄ）特定の４級アンモニウム塩及び（Ｅ）有機カルボン酸を含有するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエンドショートニング、現像欠陥が低減され、良好なプロファイルを形成できるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フッ素原子で置換された、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された基、及び、極性基を有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】マトリックス樹脂が簡便な製造方法によって得られ、真空下で露光する非光リソグラフィプロセスに適用して微細なレジストパターン形成が可能であって、しかも露光時における保護基の脱落が抑制されている高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料を提供する。
【解決手段】フェノール性水酸基の一部又は全部がケタール基によって置換された、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）又はその誘導体を含有するポジ型化学増幅系レジスト材料であって、前記ポリ（４−ヒドロキシスチレン）又はその誘導体は、ＲＡＦＴ剤としてのジチオエステル系化合物の存在下、スチレン系モノマーをリビングラジカル重合する工程を有する製造方法により得られる、ポジ型化学増幅系レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーにおいて、定在波効果及びブロッブ欠陥を十分に低減することができ、且つアルカリ現像液に対する溶解性に優れた上層反射防止膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供する
【解決手段】本発明の上層反射防止膜形成用組成物は、アルカリ現像液に可溶であり、且つ芳香族基を有する重合体（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）及びスルホン酸残基を有する化合物（Ｃ）のうちの少なくとも一方と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエッジラフネス、現像欠陥が低減され、プロファイルが良好であるとともに、ホールパターンでの解像力、サイドローブマージンに優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレイド結合から選ばれた結合を少なくとも２つ以上有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】次の一般式（１）


〔式中、Ｒ¹ 及びＲ² のいずれか一方は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基（ｔｅｒｔ−ブチル基を除く）を示し、他方は炭素数１〜４のアルキル基（ｔｅｒｔ−ブチル基を除く）を示し、Ｒ³ 〜Ｒ⁹ は、１価の非重合性基を示し、Ａは重合可能な炭素−炭素二重結合を有する基を示す。〕
で表わされる重合性化合物、これ単独又はこれと共重合可能な化合物とのポリマー及び該ポリマーを含むレジスト組成物。
【効果】波長の露光光源用のレジスト材料のベースポリマーとして有用である。 （もっと読む）

本発明は、一般に、計測及び表示技術の分野にあり、時間−温度インジケータならびにその製造及び使用の方法に関する。より具体的には、時間−温度インジケータは、少なくとも一つの金属層又は金属含有層及び金属層又は金属含有層に直接接触した少なくとも一つのドーピングされたポリマー層を含み、ドーパントが酸、塩基もしくは塩又は光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基であり、ドーパントがポリマー及び／又は少なくとも一つのポリマー層に加えられ、ポリマーが酸性もしくは潜伏酸性又は塩基性もしくは潜伏塩基性基で官能化されている時間−温度インジケータ、又は金属粒子及び光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基を含有する少なくとも一つのポリマー層又はポリマーが潜伏酸性又は潜伏塩基性基で官能化されている、金属粒子を含有する少なくとも一つのポリマー層を含む時間−温度インジケータを含む。
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【課題】高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の超微細加工において、感度、解像度、ラインエッジラフネス、いずれも良好な性能を示すレジスト組成物、および、当該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基を含有する低重量平均分子量のポリマーと、活性光線または放射線の作用によりプロトンアクセプター性官能基を有する特定構造の化合物を生じる化合物とからなるレジスト組成物、および、当該レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物、さらに、ＥＵＶ光による露光下で、コントラストが良く、さらに露光時のアウトガスの問題がないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の置換基を有するスチレン系繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定のトリアリールスルフォニウム化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

ポリ（ヒドロキシスチレン）などの安定なポリマーを製造する方法であって、非アミン塩基性触媒および極性有機溶媒の存在下で対応するフェノールを脱カルボキシル化し、その後、重合する方法。 （もっと読む）