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国際特許分類[C22C1/04]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | 非鉄合金の製造 (1,801) | 粉末冶金によるもの (881)

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【課題】耐酸化性に優れた耐熱合金を提供する。
【解決手段】Cr:15〜45mass%、Pd:2〜15mass%、残部がWからなる耐酸化性の耐熱合金。本発明の耐熱合金によれば、高温大気中で長時間使用しても、表面に緻密な酸化クロム被膜を形成するため、酸素の内方拡散を遮断し、Wの酸化消耗を抑えることができ、耐熱合金の質量変化率がごく小さく、しかも崩壊することがない。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のNaを含有するMo系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径15μm以下のNaF粉末と平均粒径20μm以上のMo粉末との焼結体からなり、NaFを0.1〜8質量%含有し、相対密度90%以上かつ抗折力が150N/mm2以上であるMo系スパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】結晶粒の粗大化を抑制し、強度の低下を防止し、かつ従来品以上の耐久性および信頼性を高め、高温にて強度がある立体形状の粉末成形体を、歩留良く安価に効率よく製造できるMo成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成形容器1内に中子2を配置し、該成形容器1と中子2の間にMo粉末3を充填してHIP処理することよりなる立体形状のMo成形体4。上記Mo粉末またはMo粉末とNb粉末、W粉末、高融点のセラミックス粉末の1種または2種以上を混合した粉末3を充填してHIP処理した後のMo成形体4を2分割する立体形状のMo成形体の製造方法。 (もっと読む)


生体適合性人工器官構成部品(50;60;90)を実現する方法は、物理的/化学的特性が異なる少なくとも2つの材料(20、22、26)を準備するステップと、この構成部品(50;60;90)を、成形手段(10)の中に、少なくとも2つの材料(20、22、26)からなる少なくとも2つの体積で構成された構成物として定めるステップと、上記構成部品(50;60;90)を、成形手段(10)の中で、予め設定された焼結温度(T1)で焼結するステップとを含む。
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【課題】銀または銀合金の銀合金焼結用組成物と銅または銅合金の焼結用組成物とを組み合わせた装飾金属品の製造方法および装飾金属物品を提供する。
【解決手段】銅と銅合金とから選択される1種以上の粉末で、平均粒径0.1〜4.0μmの第1銅粉末を25〜75重量%含有し、残部が平均粒径4.0μmを越えて平均粒径10μm以下の第2銅粉末からなる混合粉末と有機バインダとを含有する銅含有可塑性組成物と、銀と銀合金とから選択される1種以上の粉末で、平均粒径0.1〜4.0μmの第1銀粉末を25〜75重量%含有し、残部が平均粒径4.0μmを越えて平均粒径40μm以下の第2銀粉末からなる混合粉末と有機バインダとを含有する銀含有可塑性組成物とを組み合わせて造形して装飾物を形成する銅−銀造形体形成工程と、得られた装飾物を660〜770℃にて3〜40分大気焼成して装飾物焼成体を得る銅−銀造形焼成体製作工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】Ta−W系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたTa−W合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ta−W系スパッタリングターゲットは、0.05〜2質量%の範囲のWを含有し、残部が実質的にTaからなると共に、ターゲット全体としてのW含有量のばらつきが±20%以内とされている。このようなTa−W系スパッタリングターゲットを用いて成膜したTa−W合金膜は、例えばTFD素子1の第1の電極3に適用される。TFD素子1は第1の電極3/陽極酸化膜4/第2の電極5によるMIM構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 (もっと読む)


【課題】高負荷な使用環境下で使用可能なCu基焼結摺動部材を提供することを目的とする。
【解決手段】5〜30質量%のNiと、5〜20質量%のSnと、0.1〜1.2質量%のPとを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる時効硬化したCu基焼結部材であって、金属組織の粒界に前記Niと前記Pと前記Snの濃度が前記焼結合金全体における前記Niと前記Pと前記Snの平均濃度よりも高い合金相を存在させることで耐摩耗性が優れるため、高価な硬質粒子を必要とせず低コストであり、高負荷な環境下で使用可能なCu基焼結摺動部材を得ることができる。
また、固体潤滑剤として、黒鉛、フッ化黒鉛、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、窒化ホウ素、フッ化カルシウム、タルク、珪酸マグネシウム鉱物粉末のうち少なくとも1種類以上を0.3〜10質量%含有させる事で、さらに優れた耐摩耗性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子などに用いられるCu配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】粗金属Taをエレクトロンビーム溶解して高純度Taインゴットを精製する工程と、得られた高純度Taインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す工程と、塑性加工を施した前記高純度Taインゴットに熱処理を施す工程と、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、及びパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】Al、Mg、及びSiからなる合金を含み、熱電変換モジュールの材料として好適に使用可能なアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料であって、優れた熱電変換特性を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Al、Mg、及びSiからなる合金を含み、300Kにおける電気伝導率σが1000〜3000S/cmである。このアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は熱電変換特性に優れているため、熱電変換素子を製造する際に好適である。 (もっと読む)


【課題】例えば500μm以下のチタン薄板をエネルギー的に効率の良いプロセス、すなわち工程数の少ないプロセスで製造する。
【解決手段】金属粉、結着剤、可塑剤、溶剤を含む粘性組成物を薄板状に成形、乾燥して焼結前成形体を製造する工程、焼結前成形体を焼結して焼結薄板を製造する焼結工程、焼結薄板を圧密して焼結圧密薄板を製造する圧密工程、焼結圧密薄板を再焼結する再焼結工程を含み、金属粉がチタン粉、水素化チタン粉、チタン合金粉から選ばれる1種又は2種以上の混合粉であり、焼結薄板の破断伸びを0.4%以上、密度比を80%以上とし、焼結圧密板の密度比を90%以上とするで。 (もっと読む)


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