【課題】過冷却液体温度域△Ｔｘが広く、換算ガラス化温度Ｔｇ／Ｔｌが大きい金属ガラスとして安定的に存在するＣｏ基金属ガラス合金を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、ＭｏおよびＣｒを含む高透磁率のＣｏ基金属ガラス合金であって、Ｆｅの含有率が２原子％以上かつ６原子％以下、Ｎｉの含有率が４原子％以下、Ｂの含有率が１５原子％以上かつ２０原子％以下、Ｓｉの含有率が８原子％以上かつ１３原子％以下、Ｎｂの含有率が３原子％以下、Ｍｏの含有率が０．１原子％以上かつ１原子％以下、Ｃｒの含有率が２原子％以下、残部がＣｏで構成され、かつ、ＣｏとＦｅの含有比率がＣｏ：Ｆｅ＝９５．２：４．８であり、前記含有比率を示すＣｏとＦｅの各値の許容範囲がそれぞれ±０．３以内である。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｍ−Ｃｏ型磁石の鉄濃度の向上を図った上で焼結性および焼結体密度を改善し磁化を向上した永久磁石と、それを用いた可変磁束モータおよび可変磁束発電機を提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態の永久磁石は、組成式：Ｒ（Ｆｅ_pＭ_qＣｕ_rＣｏ_1-p-q-r）_ｚＯ_Ｚ’ （式中、ＲはＹを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｐ、ｑ、ｒおよびｚはそれぞれ原子比で０．２５≦ｐ≦０．６、０．００５≦ｑ≦０．１、０．０１≦ｒ≦０．１、６≦ｚ≦９、０．００３≦ｚ’≦０．６を満足する数である）で表される焼結体を有し、この焼結体は前記Ｒを含む酸化物の凝集体がほぼ一様に分散していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ２０００℃の高温使用時においても局部的膨れ発生・結晶粒粗大化を抑制して部材の長寿命化を実現し、且つ複雑な加工工程を必要せず、大型部材の作製も容易となる作製方法・組成を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ粉末に、Ｎｂ，ＴａおよびＷの１種または２種以上の添加粉末を、マトリックスとなるモリブデン粉末に対し、２０〜５０原子％混合し、固化成形してなることを特徴とするモリブデン合金。上記マトリックスのモリブデン粉末の平均粒径が６〜３０μｍであること。また、上記添加粉末として、該添加粉末の平均粒径が１５〜５０μｍであること、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。
【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの１つ以上から、または８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒの元素群から選択した少なくとも１つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から５００〜９００℃に加熱し、次いで後冷却速度２１６０〜５４００００℃／ｈｒで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる粉末原料を、あるいは周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の１つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度１４４〜３６０００℃／ｈｒで３００℃まで冷却してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性の材料からなる被覆層が表面に形成された永久磁石粉末が緻密化されてなる永久磁石において、渦電流損失を充分に抑制し、かつ、絶縁性の材料による磁石特性の低下を防止しうる手段を提供する。
【解決手段】 絶縁性の材料からなる被覆層が表面に形成された永久磁石粉末が緻密化されてなる永久磁石であって、前記絶縁性の材料からなる被覆層の厚さｔ（ｍ）と前記絶縁性の材料の体積抵抗率ρ_ｒ（Ωｍ）との積を、前記永久磁石粉末の体積抵抗率ρ_ｍ（Ωｍ）で除した値として定義される被覆抵抗Ｈ（＝ｔ×ρ_ｒ÷ρ_ｍ）と、前記永久磁石粉末の粒径ｄ（ｍｍ）とが、Ｈ≧２３０００×ｄ^−１を満たすことを特徴とする、永久磁石である。 （もっと読む）

【課題】比較的温和な条件下で多量の水素を吸蔵し得る水素吸蔵材を得る。
【解決手段】ＡｌＨ₃、ＭｇＨ₂及びＴｉＨ₂の混合粉末に対し、５Ｇ〜３０Ｇ（Ｇは重力加速度）の力を付与する条件でボールミリングを行う。これにより得られたミリング生成物に対して脱水素処理を施すと、Ａｌ−Ｍｇ合金からなるアモルファス相を母相１２とし、該母相１２中に、最大長が２００ｎｍ以下であるＡｌ結晶相、ＴｉＨ₂結晶相が第１分散相１４、第２分散相１６として点在する水素吸蔵材１０が得られる。なお、前記混合粉末を得る際にさらに金属粒子を添加し、これにより、母相１２中に金属粒子をさらに分散させるようにしてもよい。 （もっと読む）