【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕターゲットの代替として用いることができるＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＲｕとＰｄを主要成分として含有するＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットであって、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有して残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金相と、不可避的不純物を含むＲｕ相とが互いに分散した構造を有するようにする。
また、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｒｕ−Ｐｄ合金粉末に、粉末全体に対するＰｄの含有量が１〜５０ａｔ％となるように不可避的不純物を含むＲｕ粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形して、Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】切削性能に優れ、かつ寸法精度が高い刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．５５〜２．３質量％のＴａＣと、不可避不純物とを含み、残部がＷＣである超硬合金からなり、超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜３μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、飽和磁束密度を４πσ（１０^-7Ｔｍ³／ｋｇ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出しており、該Ｔａを主成分とする相は、０．４〜２．４μｍの平均粒子径であることを特徴とする。
−０．７×４πσ÷Ｍ_Ｃｏ−０．９×Ｍ_Ｃｏ＋３９．１５≧ＨＣ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】 均一な粒子形状を有するマグネシウムシリサイド粉末、およびその製造方法を提供する。また、得られたマグネシウムシリサイド粉末を用いた焼結体、熱電変換素子とそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムシリサイド粉末（Ｍｇ_２Ｓｉ）であって、下記一般式（１）で表される粒子径が０．１〜１００μｍであるマグネシウムシリサイド粉末。
【化１】


（一般式（１）中、ＬはＳｎ、Ｇｅのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、ＭはＡｌ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｐ、Ｂのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．３） （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＡｕおよびＣｕの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が０．３μｍ以下の粒子状で分散してなるトリウムタングステン（Ｔｈ−Ｗ）合金、Ｔｈ−Ｗ線、及び耐変形性が改善されたコイル、並びに電子管用陰極構体の提供。
【解決手段】Ｗマトリクス中にＴｈ及び／又はＴｈ化合物が粒子状で分散してなるＴｈ−Ｗ合金であって、前記Ｔｈ及び／又は化合物の含有量が０．５〜２重量％でありかつこのＴｈ及び／又はＴｈ化合物粒子の平均粒径が０．３μｍ以下である、Ｔｈ−Ｗ合金、
上記Ｔｈ−Ｗ合金よりなる、Ｔｈ−Ｗ線、
上記のＴｈ−Ｗ線よりなるコイル、及び
一対の支持部材間に加熱線条が支持されてなる電子管用陰極構体であって、前記加熱線条が上記Ｔｈ−Ｗ線よりなる、電子管用陰極構体。 （もっと読む）

【課題】
Ｃｕ−高融点金属の複合材料のヒートシンク用材料としての熱特性と機械的性質を原料粉末の複雑な前処理を必要とせず比較的簡単な方法で改善する。
【解決手段】
粉砕した原料粉末を冷間ＣＩＰプレスし、グリーン圧縮体を高純度Ａｒガス中で液相焼結し、得られた焼結複合体をＨＩＰ処理して得た、Ｃｕが１０〜４０質量％と高融点、低熱膨張性の硬質金属が９０〜６０質量％で、Ｃｕの一部を焼結体全量に対し、０．１質量％以下のＮｉと置換してなり、高融点金属はその粒子間はＣｕの液相ネットによって連結された、高融点金属粒子の外面にはＮｉとの金属間化合物層が形成されているヒートシンク用複合焼結体。 （もっと読む）

【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材を接合層として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は、Agマトリックスと、前記Agマトリックス中に分散しAgよりも硬度が高い金属Ｘからなる分散相とを含み、前記Agマトリックスと前記金属Ｘ分散相とは互いに金属接合し、前記Agマトリックスと前記電子部材の最表面とは互いに金属接合し、前記金属Ｘ分散相と前記電子部材の最表面とは互いに金属接合しており、前記金属Ｘ分散相は1μm以下の結晶粒を含み、前記Agマトリックスは100 nmよりも小さな結晶粒を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造等、高温での使用環境下において、ふくれの発生を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】高融点金属に酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子を分散させたことを特徴とするルツボ１であって、前記高融点金属はタングステン、モリブデンまたはタングステンモリブデン合金のいずれか１種であることが好ましく、また、前記酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルの金属粒子またはその酸化物のいずれか１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）