【課題】高容量で、サイクル寿命の長いリチウムイオン電池用負極材を提供する。
【解決手段】構成元素として、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍ１（Ｍ１は周期律表第４族、第５族を除く遷移金属の中から選ばれる１種以上の金属元素である。），Ｍ２（Ｍ２は周期律表第４族、第５族の中から選ばれる１種以上の金属元素である。）を含有し、微細な結晶粒を構成するＳｉ−Ａｌ−Ｍ１−Ｍ２合金相と、前記結晶粒の粒界に析出して網目状構造を呈するＳｉ相とを有する合金材料からなる。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】無次元性能指数の大きい熱電材料を供給し、その製法を容易にすること。
【解決手段】
化学式Mg_2-x-y-zAl_xZn_yMn_zSi、ただし、x≠0、y≠0、z≠0、0.04≦y/x≦0.6及び0.013≦z/x≦0.075で表され、Al、Zn、Mnの総添加量が0.3at%以上、5at%以下であるMg₂Si基化合物から成る熱電材料である。Mg_2-x-y-zAl_xZn_yMn_zは、Mg合金として付与される。Mg合金と、Si粉末を、Mg合金とSiの原子比が2 : 1になるように混合し、液相−固相反応法を用いて、不活性ガス雰囲気下でMg合金の融点以上の温度で、液相状態のMg合金と固相状態のSiの固液共存した状態で、Mg合金とSiとを合成反応させ、反応の完了の後に、冷却して、多孔質のMg₂Si基化合物を作製し、Mg₂Si基化合物を不活性ガス雰囲気下で粉砕して粉砕体を形成し、その後に、粉砕体を真空又は不活性雰囲気下で加圧焼結する。 （もっと読む）

本発明は鉄冶金の分野に関し、より詳細には鋼を還元、ドープ、改良するための合金の製造に関する。本発明によれば、非金属介在物を高度に還元及び改良すると同時に、バリウム、チタン、及びバナジウムによって鋼をマイクロアロイングすることにより、本願発明の合金によって処理した鋼の品質を改善することができる。本発明によれば、アルミニウム、ケイ素、カルシウム、炭素、及び鉄を含む合金に、以下の構成元素比でバリウム、チタン、及びバナジウムを添加する（単位：質量％）：ケイ素４５．０〜６３．０、アルミニウム１０．０〜２５．０、カルシウム１．０〜１０．０、バリウム１．０〜１０．０、バナジウム０．３〜５．０、チタン１．０〜１０．０、炭素０．１〜１．０、残部鉄。 （もっと読む）

【課題】微小で複雑形状のケイ化鉄系の熱電変換素子をも低コストで製造することができる製造工程を提供する。
【解決手段】ケイ化鉄の粉末をカチオン系高分子界面活性剤分散剤を用いて固体体積割合が５０％以上になるように水に分散させたスラリーを作製し、このスラリーを、熱電変換素子成形用の所定形状に加工された型に流し入れて脱水成形し、然る後に、焼結と焼鈍を行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜を得るためのチタンシリサイドスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、パーティクルの発生のすくない耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．０５−０．３７}からなる組成の２００メッシュ粉末を合成し、これを１７００℃〜１８３０℃でホットプレスすることによって、ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高いゼーベック係数を示す結晶構造を有するＦｅＳｉ_２系熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、所定量のクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）を含むＦｅＳｉ_２系熱電変換材料であって、従来一般的に行われていた２段階焼結方式に替えて、焼結温度、加圧時間及び焼結時間を適切に制御して１段階で焼結することによって、（２２０）面及び（３１１）面を有するβ相単相の結晶構造をえることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、室温近傍の冷蔵庫や冷凍庫などの家電だけでなく、ガス液化産業や
、超伝導デバイスなどを支える冷凍技術に関し磁気冷凍作業物質ならびに磁気冷却方法を
提供する。
【解決手段】 本発明では、磁気冷凍作業物質であるNaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙにおいて、LaのＰｒ部分置換を行い、その組成をNaZn₁₃型La_1-zPr_z(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La_1-zPr_z (Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙであることを特徴とする磁気冷凍作業物質で、また、前記磁気冷凍作業物質NaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃もしくわその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙを1種類あるいはその組成を変えたものを複数用いて冷却制御を行う磁気冷凍方法である。 （もっと読む）

【課題】 低融点の導電材料であっても所定の形状及び寸法の導体層とすることができるメタライズ組成物、及びこれを用いた導体層を備えるセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明のメタライズ組成物は、低融点金属（Ｃｕ等）と、金属化合物（ＷＣ等）とを含有し、且つ低融点金属と金属化合物との合計を１００体積％とした場合に、金属化合物の含有量は３３〜７２体積％である。また、本発明のセラミック配線基板１は、セラミック部１１（アルミナ等からなる。）と、その表面又は内部に配設された導体層１２とを備え、導体層は、セラミック部を構成するセラミック材料の焼結温度よりも融点が低い低融点金属からなる低融点金属部（Ｃｕ等からなる。）と、低融点金属部内に形成され、セラミック材料の焼結温度よりも融点が高い金属化合物からなる金属化合物連接部（ＷＣ等からなる。）と、を備える。 （もっと読む）