【課題】イオンビーム蒸着により堆積された炭素保護膜で覆われた薄膜ディスクの有害な欠陥を最小化する手段を提供する。
【解決手段】ここに記載される改良された炭素ビーム蒸着チャンバー４０は、チャンバーの開口プレート２０の外側表面上での炭素膜の堆積を大幅に減少させることにより、システム洗浄やハードウェアの交換が必要になる前の処理可能なディスク枚数を大幅に増加させることができ、又、コーティングされたディスク４４におけるディスク欠陥を大幅に減少させて、炭素銃１０の生産性を実質的に増加させるものである。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンオーダーで微細化され、かつ、径が均一な貫通微細孔を有し、さらに、基板がなくても構造を維持することが可能な多孔質金属箔およびその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法または真空蒸着法により、金属と、該金属と相溶しない異相成分とが分散してなる薄膜を、前記異相成分の体積分率が２０〜６５体積％、厚さが１μｍ以上となるように、前記金属と相溶しない材質からなる基板上に形成する。得られた薄膜を熱処理して、該薄膜中の前記金属および前記異相成分の粒度を調整し、その後、前記基板および前記異相成分を選択的に溶解除去して多孔質金属箔を得る。得られる多孔質金属箔に含まれる微細孔の一部または全部が該金属箔を上下に貫通しており、また、該微細孔の直径は０．０１〜１μｍである。 （もっと読む）

【課題】軽量で取り扱いやすくて保守作業が容易な真空反応槽の内壁面を保護する保護材及びその保護材を設けたプロセスチャンバを提供する。
【解決手段】円筒形状で耐熱性を確保するための所定の厚さと低吸水率で低金属イオン濃度のポリイミドフィルムで構成されるプロセスチャンバ壁面を保護する電気絶縁性のライナー及び当該プロセスチャンバ壁面を保護する電気絶縁性のライナーをプロセスチャンバ壁の付近に設けたことを特徴とするプロセスチャンバ。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内の容積を大きくすることなく、真空チャンバ内の複数の蒸発源のいずれかを遮蔽手段によって適宜遮蔽できるようにした成膜装置を提供する。
【解決手段】 処理基板に対向させて少なくとも３個の蒸発源４ａ〜４ｄを設け、いずれかの蒸発源からの蒸発粒子の他の蒸発源への再付着を防止するように蒸発源を遮る遮蔽手段５を設ける。各蒸発源を同一円周上に配置し、この円周の中心を回転中心とする１個の回転軸６１と、この回転軸に同心に配置され各蒸発源の数より少ない本数でかつ真空チャンバ内への突出長さを回転軸より段階的に短くした中空回転軸６２〜６６とを設け、回転軸、中空回転軸に遮蔽手段をそれぞれ連結すると共に、蒸発源を開放する開放位置と蒸発源を遮る遮蔽位置との間で回転軸、中空回転軸を介して遮蔽手段を移動させる駆動手段９を設ける。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化合物を含む環境などの腐食作用による損傷が少なく、かつ、その腐食生成物が環境汚染原因となって、半導体加工装置の品質低下、生産コストの増大を招くことのない各種半導体装置用溶射皮膜被覆部材を得る。
【解決手段】基材の表面に形成したＡｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃またはＡｌ₂Ｏ₃−Ｙ₂Ｏ₃複酸化物などからなる溶射皮膜の表面を、電子ビーム照射処理によって、パーティクル等の付着、堆積特性に優れ、その再飛散を有効に防止できる耐プラズマエロージョン性に優れた部材とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置等の処理において、処理室内の内壁への付着物質の表面状態の粗さ等から付着状況を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】成膜処理あるいはエッチング処理等に使用する処理用ガスを処理室１１内に導入する。導入した処理用ガスで半導体ウエハＷ等の基板を処理するとともに、処理室１１の内壁に堆積した付着物の表面粗度をレーザ変位計２０ａで計測する。計測した結果を、パーティクル不良発生の閾値、あるいは異常放電発生の閾値と比較して、異常発生前に対処する。 （もっと読む）

【課題】蒸着室のクリーニングのための作業時間を短縮でき、十分なクリーニング効果が得られる。
【解決手段】蒸発源から気化された蒸着材料を蒸着する基板を具備した蒸着室１に、ロール状の防着シート１５を繰出すシート繰出し部１３と、繰出された防着シート１５により形成される付着面１６と、前記付着面１６で蒸着材料が付着した使用済防着シート１５をロール状に巻き取るシート巻取り部１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】構造欠陥の発生が少ない蛍光体シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上への成膜材料の蒸着により所定の蛍光体膜を形成する蛍光体シートの製造方法であって、少なくとも、前記基板を製造装置上にセットした状態においては防塵用カバーを取り付けておき、前記成膜材料の蒸発開始後に前記防塵用カバーを取り外し、その後に前記基板の搬送を開始し、前記基板上に前記蛍光体膜を形成することを特徴とする蛍光体シートの製造方法。なお、蒸発開始前には、前記基板を前記成膜材料の蒸発源上方から退去させておくことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）

【課題】耐久性（耐光性）に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１７と、ＴＦＴ基板１７の内表面に接合された無機配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２の内表面に接合された無機配向膜４と、無機配向膜３と無機配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２と、ＴＦＴ基板１７の外表面に接合された偏光膜７と、液晶パネル用対向基板１２の外表面に接合された偏光膜８とを有している。無機配向膜３、４は、それぞれ、ＴＦＴ基板１７または液晶パネル用対向基板１２の内表面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されている。 （もっと読む）