【課題】水素原子を含む非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する堆積膜形成装置内のクリーニングに適した、酸素プラズマを用いたクリーニング方法を提供する。
【解決手段】水素原子を含む非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する堆積膜形成装置内のクリーニング方法において、該クリーニング方法は酸素原子を含むプラズマによって実施される第一工程及び、酸素原子を含みかつ第一工程とは装置内の圧力が異なるプラズマによって実施される第二工程からなり、第一工程における装置内圧力をｘ〔Ｐａ〕、第二工程における装置内圧力をｙ〔Ｐａ〕及び、非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する際の装置内圧力をｚ〔Ｐａ〕とした場合において、
ｘ＜ｚ＜ｙ 或いは ｙ＜ｚ＜ｘ
が成り立つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 コンビナトリアル成膜により最適な成膜条件を探索し且つ該最適成膜条件での基板全面における成膜を容易に行うことを可能にする。
【解決手段】 所望の特性を持つ膜が形成される基板１’の表面の領域とターゲット保持部６，７に保持されたターゲットとの位置関係を、コンビナトリアル成膜により探索する（ａ）。基板１の表面上にマスク４を配置し、ここで、マスク５には基板１の表面の成膜領域を選択するための開口５が形成されており、コンビナトリアル成膜により探索された位置関係における所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域に開口５が対応するように、マスク４が位置している（ｂ）。基板１をＸ−Ｙ面内で平行移動させてマスク開口５に対する基板１の配置を変化させることで、基板１の表面の所要の領域の全体に対しコンビナトリアル成膜で探索された位置関係を維持した成膜を行う（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】組成の均一な成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものであり、さらに経時的にプラズマの状態が変化することを防ぐことで、生産性が低下しないスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタにより成膜された基板上のＰＺＴ膜への、防着板上の堆積膜からの再蒸発Ｐｂの付着によるＰｂ組成比の増加に関し、前記成膜におけるＰｂ組成比の制御を可能にする。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバ内に、基板表面より下側で、その基板を載置する支持台が搭載されたペデスタル側面とチャンバ底壁とを覆って、絶縁体を介して底壁に固定された下方防着板を設け、前記下方防着板に電位を印加可能のようにし、前記印加電位の制御によって、成膜ＰＺＴ中のＰｂ組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】待機室内に設置された昇降台の気密室の気密シールを維持する。
【解決手段】ウエハ１群をボート１３に保持して処理する処理室１９と、処理室１９の真下でボート１３が待機する待機室１２と、待機室１２の外部に設置されボート１３を処理室１９に搬入搬出するボートエレベータ２４と、待機室１２内に配されボート１３を支持する昇降台３７と、待機室１２に挿通され昇降台３７とボートエレベータ２４とを連結する昇降シャフト３２とを具備したバッチ式熱処理装置１０において、ヘリウムガス供給ライン５５に接続されたチューブ５４を昇降シャフト３２から昇降台３７の気密室３７ｄに挿入し、待機室１２を排気する排気管５７にヘリウムガスディテクタ５８を設置する。昇降台の気密室内に供給した時の排気管を流通するヘリウムガスをヘリウムガスディテクタによって検出することにより、昇降台の気密室のリークをチェックする。 （もっと読む）

本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。
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【課題】 シール部材のシール性能を適正に判定することを可能にした真空処理装置用の回転シール機構および真空処理装置を提供する。
【解決手段】 回転シール機構１０１は、筒状の中空回転軸２５と、筒状のケーシング部材２３と、中空回転軸２５を回転可能な駆動装置３１と、ケーシング部材２３の外部から中空回転軸２５の中空部に亘るように形成された冷却液体の流路Ｈ１、Ｈ２と、前記流路Ｈ１、Ｈ２の途中に位置して、中空回転軸２５またはケーシング部材２３の少なくとも何れか一方に設けられた環状かつ溝状の冷却液体貯留部Ｓ１と、冷却液体貯留部Ｓ１をシールする一対の環状のシール部材５１、５２と、中空回転軸２５の回転時の、シール部材５１、５２の液体シール性能に関連する情報を検知する検知手段８２と、この情報に基づいて、シール部材５１、５２の液体シール性能を判定する制御装置８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）

【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】このバルブを接地するための方法及び装置が提供される。一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び／又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。一実施形態では、エラストマー部材は、このバルブのドアに取り付けられて電気的に連通する。エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 （もっと読む）