【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）

【課題】NO_x 吸蔵材をさらに微細な状態で担持し、貴金属とNO_x 吸蔵材とを互いに高分散状態で担持する。
【解決手段】貴金属源と、NO_x 吸蔵材源と、担体酸化物源とを含むターゲットを用い、レーザーアブレーション法により担体酸化物に貴金属とNO_x 吸蔵材を担持する。
レーザー照射によって貴金属源とNO_x 吸蔵材源とはイオン状態あるいは中性粒子状態で原子レベルで混合され、それが原子レベルで担体酸化物源と混合されることになる。これにより貴金属及びNO_x 吸蔵材は、担体酸化物上に原子単位で分散担持され、互いに高分散状態で担持することができる。 （もっと読む）

【課題】 付着物であるハロゲン化金属の薄膜及び金属薄膜の両方を効率よく除去することができる薄膜作製装置とする。
【解決手段】 圧力制御手段２０によりチャンバ１内の圧力を制御してチャンバ内の圧力状態を変化させ、低圧状態でＣｌ^＊の寿命を長くしてＴａ薄膜２５をエッチング除去すると共に、ＴａＣｌ薄膜２６を高蒸気圧下で除去し、付着物であるハロゲン化金属の薄膜及び金属薄膜の両方を効率よく除去する。 （もっと読む）

【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理を施した後、物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜を順次成膜する成膜処理を経て基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いてもプラズマ処理中に搬送台の表面に堆積した金属膜からスパッタリングによる金属原子の基材表面への付着を抑制することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１を保持した導電体からなる搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材１表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜７を順次形成する工程とを含む。前記プラズマ処理を施す工程において前記搬送台２と対向電極３との間に、前記搬送台２上の前記基材１が配置されていない部位を遮蔽する遮蔽体８を配設する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ１２に対向させて設けたターゲット４１ｃを有するスパッタリング成膜手段４と、化学的成膜手段３とを設けると共に、ターゲットが存する第１空間１１ａと基板ステージが存する第２空間１１ｂとに仕切る仕切り板５を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段４１ａに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 （もっと読む）

ライナーを含むスパッタリングチャンバを提供する。ライナーは、チャンバの内部表面からスパッタコーティング（オーバーコート）が剥落することを低減することに適している。ライナーは、チャンバの選択された内部表面に隣接して搭載することができる。ライナーは取り外し可能であることが好ましい。また、本発明のライナーを用いたスパッタリング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段５を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスが容易であり、動作不能時間を削減することができる基板コーティング装置を提供する。
【解決手段】コーティングチャンバーをモジュール式設計とし、各モジュール１は、チャンバーセクション２と、チャンバーセクション２内若しくはチャンバーセクションに取り外し可能に配置した第一の支持体３と、第一の支持体３に取り外し可能に配置した第二の支持体４とを備える。第一の支持体３はカソードを担持し、第二の支持体４はカバーとして形成され、そこにコーティングチャンバーを真空にするためのポンプが配置される。支持体３及び４は、モジュール部品間に人がアクセスすることができるエリア１１ａ、１１ｂが形成される程度に、チャンバーセクション２から横方向に移動可能である。 （もっと読む）

【課題】 エアロゾル内における微粒子の粒径分布及び濃度を均一化する。
【解決手段】 ターゲット材料Ｔをレーザー照射によりアブレーションすることで微粒子ｓを生成し、生成した微粒子ｓをキャリアガスＧ中に分散させてエアロゾル化し、このエアロゾルＡを基材Ｂに吹き付けることによって、微粒子ｓが衝突した基材表面に構造物を形成する。 （もっと読む）