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国際特許分類[C23C14/00]の内容

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【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽110とゲートバルブ33の間に二重オーリング115b、116bを配置し、二重オーリング115b、116bの間の密閉空間80bに真空排気系339を接続し、密閉空間80bを真空排気する。密閉空間80b内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽110内に大気が浸入せず、搬送槽110内を高真空状態に置ける。MR比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 (もっと読む)


【課題】清浄で、パーティクルの堆積状態及び基板の表面状態が制御された状況下においてカーボンナノチューブの成長を実行し、カーボンナノチューブの成長制御やその電気的応用を容易にする。
【解決手段】形成装置は、触媒となるパーティクルを生成する発生手段21と、生成されたパーティクルを所望の粒径に分級する分級器22と、パーティクルを基板20上に堆積させるチャンバー23と、堆積したパーティクルを触媒としてカーボンナノチューブを生成するチャンバー24とを含み、パーティクルの生成からカーボンナノチューブの生成までの一連のプロセスを外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行する。 (もっと読む)


【課題】従来装置では、成膜、リークを繰り返すにつれ、防着板壁に堆積する膜も厚くなり、吸着ガスの量も増加していくため、防着板のホーニング直後と成膜を繰り返した後とでは、成膜された薄膜の膜質が変化し、成膜のバッチ間にばらつきが生じるという問題や、防着板に付着・堆積した膜が剥離してゴミとなり、真空容器内に飛散して被成膜基板の表面に付着し、不良が発生するという問題や、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】真空容器1内に設けられ被成膜体を蒸発源に対向保持する保持治具3と、真空容器内に沿って設けられた防着部材4とを備えたものにおいて、防着部材として、蒸発源2の側面外方部から保持治具の側面外方部にわたって包囲すると共に真空容器の内壁面から離間され、かつ真空容器の中心部側から内壁面に向けて斜め下方に傾斜した複数の羽板部材41を用いて構成した。 (もっと読む)


【課題】内部応力が大きい薄膜を成膜する際にも、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑えるとともに、微細なダストの発生を抑制することを可能にした真空成膜装置用部品を提供することを目的とする。
【解決手段】部品本体と、前記部品本体の表面に形成された溶射被膜とを具備する真空成膜装置用部品であって、前記溶射被膜は、平均粒子サイズが5μm以上、150μm以下の扁平形状とは異なる形状の粒子を含む組織を有し、密度が75%以上、99%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 マスクに付着した有機EL用の有機材料を除去することが可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、マスク10を所定の洗浄液により洗浄処理する第1及び第2の洗浄槽21,22と、当該洗浄槽21,22の洗浄液を真空蒸留する真空蒸留器30と、真空蒸留された洗浄液を室温に冷却する第1の冷却器31と、第1の冷却器31により冷却された洗浄液を第2の洗浄槽22に還流させる第1の還流管101と、マスク10を所定のリンス液によりリンス処理する第1及び第2のリンス槽51,52と、当該リンス槽51,52のリンス液を常圧下で蒸留する常圧蒸留器60と、常圧蒸留されたリンス液を室温に冷却する第2の冷却器61と、第2の冷却器61により冷却されたリンス液を第2のリンス槽52に還流させる第2の還流管102と、を備える。 (もっと読む)


【課題】材料処理システムをモニタするための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】材料処理システムは、処理ツールと、状況データを生成すると共に送信するために処理ツールに結合された複数のRF応答性状況センサ190と、複数のRF応答性状況センサから状況データを受信するためのセンサインターフェースアセンブリ(SIA)180とを含む。
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【課題】 マスクに付着した有機EL用の有機材料を除去することが可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、マスク10を所定の洗浄液により室温で洗浄処理する第1及び第2の洗浄槽21,22と、マスク10を所定のリンス液により室温でリンス処理する第1及び第2のリンス槽51,52と、重力を起因とする応力によってマスク10の金属薄膜に損傷を生じさせないように、水平以外の所定の角度を以って当該マスク10を保持し、当該所定の角度を以って保持された当該マスク10を第1及び第2の洗浄槽21,22及び第1及び第2のリンス槽51,52へ搬送する搬送装置240と、を備える。ここで、搬送装置240は、最初に水平な状態でマスク10を保持した後、当該マスク10を保持したまま、垂直方向に起き上がり、上記所定の角度を以って当該マスク10を保持する。 (もっと読む)


【課題】 半導体分野で有用な酸化ハフニウム、酸化珪素ハフニウム、酸化アルミニウムハフニウム等のハフニウム酸化物を成膜する装置において、内壁、冶具等の反応器内部に堆積したこれらの不要な酸化物を除去するクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 反応器内部に堆積した不要なハフニウム含有酸化物を除去するに際し、ヘキサフルオロアセチルアセトンと、HF、HCl、HBr、HI、F、Cl、Br、I、またはClFとを少なくとも含む混合ガスで反応除去する。 (もっと読む)


本発明は、薄膜形成装置、すなわち、たとえば半導体ウエハまたは液晶ディスプレイ(LCD)の製造プロセスにおいて基板に様々な材料からなる薄膜を形成するための装置に関する。薄膜形成装置は、薄膜が形成される基板を搭載するための基板支持体と、基板支持体を取り囲んで適切な作動条件を有するチャンバを備える。さらに、インジウム、錫、鉛、あるいはアンチモンなどの延性金属材料を金属または合成樹脂母材に塗布することにより構成される吸着手段を、薄膜形成装置内の基板を除く部品表面に付着する。したがって、構成要素表面に形成された後、そこから剥離した不要な薄膜の一部分が基板に付着することにより生じる薄膜形成不良を根本的に防ぐことができる。
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【課題】成膜空間を大気開放することなく基材の脱着を行うことが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 互いに分離及び接合可能に構成され、接合により気密な内部空間を有する殻体を形成する第1の部分20及び第2の部分2Bと、第1の部分20の内部に成膜空間を区画するように第1の部分20に配設され、その開閉により該成膜空間を開放及び閉鎖するゲート1と、前記成膜空間に位置するように第1の部分20に配設された膜材料蒸発装置21と、成膜されるべき基材が取り付けられる基材取付装置6,8と、第2の部分2Bに配設され、第2の部分2Bが第1の部分20と接合されかつゲート1が開いた状態でゲート1を通って基材取付装置6,8を前記成膜空間に進出させかつ前記成膜空間から退却させる進退駆動装置3と、第1の部分20及び第2の部分2Bの内部空間をそれぞれ排気する第1及び第2の排気装置22,10と、を備えている。 (もっと読む)


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