【課題】表面が平滑であり、研磨工程を必要としないと同時に耐酸性に優れた有機ＥＬ用透明電極、及びこの透明電極を陽極として用い、酸性の有機高分子材料から湿式法（塗布法）によって形成された陽極バッファー層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】支持電解質を溶解した２５℃の極性溶媒中において、結晶性ＩＴＯの酸化還元電位をＥ（Ｖ）としたときに、酸化還元電位が、（Ｅ−０．１）Ｖ以上、（Ｅ＋１．０）Ｖ以下の範囲にある結晶性ＩＴＯ以外の透明導電膜、及びこれを陽極として用いた有機ＥＬ素子。 （もっと読む）

【課題】 両サイド解放タイプの連続成膜装置において、真空成膜時に固定チャンバ部に回転自在に支持されたロール群の軸間平行度が崩れないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１を備え、真空チャンバ１の口字形外枠部２５を固定チャンバ部１５とし、前記外枠部２５の側方開口を閉塞する側面壁２６Ｌ，２６Ｒを移動チャンバ部１６Ｌ，１６Ｒとし、前記固定チャンバ部１５に対して開閉自在に設ける。前記固定チャンバ部１５に成膜ロール２などのロールを回転軸が壁面に垂直になるように設ける。前記固定チャンバ部の背面壁２１及び正面壁２２は、前記真空チャンバ１を減圧したとき、背面壁と正面壁が内側に曲がることによって生じるたわみが縦方向の任意位置にて同等となるように設けられる。 （もっと読む）

第１及び第２のチャンバから排気された廃棄流を搬送する装置が提供される。本装置は、第１のチャンバから排気された廃棄流を受け入れる入口と出口とを含む第１の導管手段と、第２のチャンバから排気された廃棄流を受け入れる入口と出口とを含む第２の導管手段とを備える。第１及び第２の導管手段の出口は共に接続される。第１の導管手段は、第２のチャンバから排気された廃棄流の成分が第１のチャンバに向かって移動するの阻止するために、第１の導管手段の出口に向かって搬送されているガスの音速チョークを発生させる手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ＨＡＭＲレーザによる加熱で発生する熱流速を良好に散逸できる熱支援磁気記録に好適な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体100は、複数の粒界相107bによって分離された磁性粒子107aを有する磁気データ記録層107を含み、粒界相107bは、磁性粒子107aの熱伝導率より高い熱伝導率を有する。磁気記録媒体100は、更に、ヒートシンク層103と、磁気データ記録層107とヒートシンク層103の間に配置された１つ以上の中間層105,106とを含み、中間層105,106は、粒界相105b,106bで分離された結晶質相粒子105a,106aを有し、粒界相105b,106bは、結晶質相粒子105a,106aの熱伝導率より高い熱伝導率を有する。磁気データ記録層107と中間層105,106の粒界相105b〜107bは、磁気データ記録層107からヒートシンク層103へ熱を散逸するための高い熱伝導率の導管として機能する。 （もっと読む）

【課題】従来のクロム酸のような化学薬品を使用せず、乾式法により樹脂成形品に樹脂表面粗化をすると共に導電性を付与することで、このような化学薬品による樹脂成形品の樹脂表面の薬品劣化を防止し、一方このような環境負荷が大きい化学薬品を使用せず、環境負荷物質の削減を図り、また樹脂めっき品の表層剥離を防止してその安全性は確保する。
【解決手段】樹脂成形品の表面をプラズマ処理で洗浄及び表面改質活性化する樹脂表面洗浄・活性化工程Ｓ１と、次に、樹脂成形品の表面に金属をスパッタリングにより成膜する金属薄膜成膜工程Ｓ２と、続いて、樹脂成形品に成膜した金属薄膜上にスパッタリングによりニッケル又は銅等の導電化膜を成膜する導電化膜成膜工程Ｓ４と、最後にこの樹脂成形品を電気めっきする電気めっき工程とから成る。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】コンタクトホールやヴィアホールの導通抵抗を低下させる。
【解決手段】ターゲット２０と成膜対象物１７の間の空間をアノード電極４で取り囲み、アノード電極４に印加する正電圧と、成膜対象物１７に印加する負電圧とを制御し浅穴の底面の堆積速度がエッチング速度よりも大きい状態を維持しながら、深穴の底面では、エッチング速度を堆積速度以上の大きさにする。深穴底面にバリア膜を形成せずに、浅穴底面、及び深穴と浅穴の側面にバリア膜を形成することができるので、銅配線膜が深穴底面下の導電性物質と直接接触でき、導通抵抗が低下する。 （もっと読む）

【課題】マルチカソード大面積ＰＶＤ装置用の冷却暗部シールドが開示されている。
【解決手段】マルチカソードシステムについては、近接するカソード／ターゲット間に暗部シールドがあると有益である。シールドは接地してもよく、スパッタリングプラズマ内に存在する電子の接地経路を提供する。シールドは近接するターゲット間にあるため、接地されたシールドは、アノードとして作用することにより処理空間内で均一なプラズマの形成に寄与する。チャンバ内の温度は処理温度とダウンタイム温度の間で変動するため、シールドは膨張及び収縮する。シールドを冷却すると、膨張及び収縮の可能性が減じ、生じる恐れのあるフレーキングの量を減じる。シールドの表面をエンボス加工すると、シールドに蒸着する材料の量が減じ、シールドの膨張及び収縮が制御される。 （もっと読む）

【課題】
有機薄膜上にスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した場合、高エネルギー粒子である反跳Ａｒイオン、γ電子、ターゲット粒子などの飛散・衝突により有機薄膜の分子構造が破壊（結合断裂）され、有機発光材料本来の発光ポテンシャルが低下するという問題があった。
【解決手段】
基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットからなるピンを備えたトラップ電極を設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の小型化が容易で、膜質の良い薄膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明に用いられる成膜装置１では、基板２０の成膜面２２が、ターゲット１１のスパッタ面１２に対して斜めにされており、スパッタ粒子は成膜面２２に斜めに入射する。成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。 （もっと読む）

基板をコーティングする装置は、ポンプ区画の両側に並置された２個のプロセス区画を備えている。ポンプ区画は、この２個のプロセス区画および通路からのガスをポンプによってポンピングするためにそれらと動作可能に連通しており、また、基板コーティングプロセスに際してガスをほぼ分離することが十分可能である。ポンプ区画は、通路長さが１個のプロセス区画に関連した通路長さ、別のプロセス区画に関連した通路長さ、またはこの２つの通路長さの平均の２倍未満である場合にこのような分離を十分行うことができる。また、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置、基板のコーティングまたはガスのポンピングに関連した方法も提供する。 （もっと読む）