国際特許分類[C23C14/34]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | スパッタリング (3,573)
国際特許分類[C23C14/34]の下位に属する分類
磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング (349)
ダイオードスパッタリング (26)
トリオードスパッタリング (18)
外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの (69)
国際特許分類[C23C14/34]に分類される特許
3,011 - 3,020 / 3,111
成膜装置及び成膜方法
【課題】 広い範囲で所望の厚さの薄膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板160A,160B上に薄膜を形成する成膜装置において、ガラス基板160A,160Bと対向するように配置されたターゲット50に対してガラス基板160A,160Bを所定角度傾ける外側保持枠195A,195Bを採用した。外側保持枠195A,195Bはガラス基板160A,160Bとガラス基板160A,160Bを支持するための基板ホルダ140との間に配置され、ガラス基板160A,160Bの一辺を持ち上げる。
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Cu2O膜の成膜方法及び太陽電池
【課題】酸化数が精密に制御されたCu2O膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたCu2O膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー26内部に透明基板1を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。ターゲット電極20A,20Bに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット21a,21bから粒子がスパッタされ、基板1上にCu2O膜よりなるp層3が形成する。コリメータ30a,30bを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりPEM31a,31bに取り込まれる。このPEM31a,31bを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。
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マイクロカプセル及びその製造方法
【課題】 微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るマイクロカプセルの製造方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器1内に微粒子を収容し、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記真空容器1を回転させることにより該真空容器1内の微粒子3を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子3の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子3を取り除くことを特徴とする。なお、微粒子3を取り除く際は、溶解、気化、抽出等の方法を利用することが好ましい。
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コーティングプロセスのためのスパッタ陰極
【課題】ターゲットから冷却媒体への熱移行が、簡単で効果的なかつ安価な形式で改善され、真空チャンバ内への冷却媒体またはその蒸気の侵入の危険とコーティングプロセスへの不都合な影響とが回避される、コーティングプロセスのためのスパッタ陰極を提供する。
【解決手段】当該スタッパ陰極のための支持構造体が中空体を有しており、該中空体が、真空チャンバの内室に対してガス密に閉鎖されており、前記中空体が、さらに、磁石システムを取り囲んでいる中空室を、真空チャンバの外部に存在する雰囲気に接続しており、冷却媒体通路が、その横断面周囲にわたって閉じた導管として、少なくとも1つの平坦面を備えて形成されており、該平坦面がダイアフラムと熱伝導的に結合されており、かつダイアフラムと、導管の、ダイアフラムとは逆の側の表面とが、前記支持構造体を介して、真空チャンバの外部の雰囲気圧力に晒されているようにした。
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単一片のコイル支持組立体、コイル構造体及びコイル構造体を組み立てる方法
【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体22の面と相互接触する絶縁体132を有するコイル支持組立体130を備えている。絶縁体132は遮蔽体22を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体131が遮蔽体22とコイル26との間に配設され且つコイルから延びる突出部40と接触する。締結具134は、第一の絶縁体132を通して配設され且つ第二の絶縁体131を通って突出部40内に延びる。締結具134は、第一の絶縁体132により遮蔽体22から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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p型透明酸化物膜の成膜方法及び太陽電池
【課題】組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるp型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたp型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー26内部に透明基板1を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。ターゲット電極20A,20Bに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、銅よりなるターゲット21a及びアルミニウムよりなるターゲット21bから粒子がスパッタされ、基板1上にCuAlO2膜よりなるp層3が形成する。コリメータ30a,30bを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりPEM31a,31bに取り込まれる。このPEM31a,31bを用いてプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。
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成膜装置及び多面体並びに成膜方法
【課題】 生産性が良く、光学特性に優れた膜を形成すること。
【解決手段】 複数の成膜面を有する多面体1に対してスパッタリングにより成膜を行い、複数の成膜面に同時にミラー面を形成する成膜装置10であって、スッパタリングする板状のターゲット11、12と、該ターゲット11、12の表面に対して、成膜面の少なくとも2面が所定角度となるように多面体1を位置させるホルダ13と、ターゲット11、12とホルダ13との間に配され、ターゲット11、12から多面体1に向けて飛散する物質を通過させる開口14c、15cを有する開口板14、15とを備え、ホルダ13は、多角形状の外周面を有して軸方向に延びるよう形成されて軸回りに回転可能であると共に、外周面上に多面体1を複数固定可能である成膜装置10を提供する。
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基板を被覆するためのコーティング装置及び被覆方法
本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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スパッタターゲット、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法
【課題】1000〜4000エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Co、0より多く24原子パーセント以下のCr、0より多く20原子パーセント以下のPt、0より多く20原子パーセント以下のB及び0より多く10原子パーセント以下のX1を含み、前記X1が、Ag,Ce,Cu,Dy,Er,Eu,Gd,Ho,In,La,Lu,Mo,Nd,Pr,Sm,Tl,W及びYbからなるグループから選択された1つの元素である。このスパッタターゲットは、更にX2を含み、前記X2が、W,Y,Mn及びMoからなるグループから選択された1つの元素である。スパッタターゲットは、更に0〜7原子パーセントまでのX3を含み、前記X3が、Ti,V,Zr,Nb,Ru,Rh,Pd,Hf,Ta及びIrからなるグループから選択された1つの元素である。
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透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 比表面積が1m2/g以上20m2/g以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スズ(Sn)およびタングステン(W)からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、15m2/g以下であり、さらに好ましくは、6m2/g以下である。
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