SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

本発明は、スパッタ領域およびフランジ領域（２２）を有するターゲット構造物を含む。フランジ領域（２２）は、前面の少なくとも一部の上に存在する保護層（５０）を有する。本発明は、フランジ領域（２２）の前面が平面部分を有しているフランジ領域（２２）を有するスパッタ用ターゲット構造物を含む。溝（２６）が前面の中に配置され、前面の傾斜部分は平面部分に対して溝（２６）から横方向に外の方に配置されており、傾斜部分は平面部分に対して傾いている。本発明は、フランジ領域（２２）内に配置されたＯリング用溝（２６）を有するターゲット構造物を含む。Ｏリング用溝は、底部表面、オリフィス、底部表面からオリフィスまで延びる第１の側壁、および第１の側壁に対向する第２の側壁を有する。溝の中の第１の角の角度と第２の角の角度とは同等でない。
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本発明は、従来技術で得られなかった相対密度９９．５％以上（ポアの体積率が０．５％以下）で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。
また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。
タングステン系粉末に、圧力は３５０ＭＰａ以上にてＣＩＰ処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度１６００℃以上、保持時間５時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中１５０ＭＰａ以上、１９００℃以上の条件でＨＩＰ処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。
また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。 （もっと読む）

本発明は、基板に積層膜を真空薄膜形成することによってウルトラバリア薄膜システムを製造する方法に関しており、積層膜は、平滑膜と透明セラミック膜からなる交互成膜システムとして形成されているが、少なくとも１つの平滑膜は、スパッタリングにより堆積された２つの透明セラミック膜間に含まれており、平滑膜の析出中、モノマーを真空化された成膜チャンバ内に入れ、該成膜チャンバ内でマグネトロンプラズマを作動する。 （もっと読む）

本発明は、堆積工程中に基板 (72)に形成された薄膜被覆の選択された光学的特性を光学的に監視し、それに応答した堆積工程を制御する方法及び装置に関する。
一面では、本システムは、基板搬送器(70)、監視点(71)、検出器、逆反射したビームの選択された特性が測定される前に基板及び薄膜被覆を通じて薄膜被覆と基板によって送り返される電磁気ビーム(75)を反射する為の逆反射体(50)を包含している。
本システム及び方法は、測定されたビームのノイズ特性に対する信号を改善する。
本発明は、被覆、或いは、基板のアレー用のシステムに使用されてもよいし、また、特に堆積工程に適している。堆積工程では、基板は、堆積する材料の源を通り過ぎて変形し、そこでは、基板上の監視ビームの入射角は、基板がビーム源を通り過ぎて変形するように変化する。 （もっと読む）

【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜（ＴＣＯ膜）であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Ｚｎターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が２．３原子％より少なく； 基板のための加熱器を、２００℃より高い該基板温度に調整される様に調整し；
１９０ｎｍ／分より早い静的溶着速度に相当する５０ｎｍ*ｍ／分より早い動的溶着速度に調整し；そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

金属プレート、並びにスパッタリングターゲット、を作る方法が記載される。さらに、本発明のプロセスで作られた製品がさらに記述される。本発明は好ましくは、金属製品の表面の大理石模様を減少させた又は最小にしたいろいろな利点がある製品を提供する。
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【課題】 銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５〜６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００〜８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。 （もっと読む）

安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）