ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、該ターゲットの空間部を覆う大きさの蓋を設置し、該蓋に１又は複数の貫通孔を設け、これらの上に樹脂の袋を被せて、内部を真空吸引することを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び方法。ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、樹脂製の袋で覆った中空部の内部までも真空吸引できるホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法を提供することを課題とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
反応性スパッタ堆積によってルチル相の二酸化チタンの薄膜を形成する装置（１００）及びプロセス。一態様においては、スパッタリングターゲット（１０２、１０４）と補助プラズマ発生器（１１０、１１２）とが、スパッタリングチャンバ（１０１）内の被覆ステーション内に配置され、被覆チャンバ内を通る基板上に堆積されたチタンが、プラズマ発生器（１１０、１１２）によって生成されスパッタプラズマと混合された補助プラズマに曝露することによって酸化される。プラズマは、ルチル型二酸化チタンの形成を支援する単原子酸素を含むことができる。また、ターゲット又は１対のターゲット（１０２、１０４）をパルス直流電源又は交流電源によって動作させることができる。 （もっと読む）

Ｚｎ含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 （もっと読む）

Ｓｉスパッタリングターゲットは、スパッタ面の結晶面方位をＸ線回折法で測定した際に、Ｓｉの（１１１）面のピーク強度（Ｉ_{（１１１）}）と（２２０）面のピーク強度（Ｉ_{（２２０）}）の比率（Ｉ_{（１１１）}／Ｉ_{（２２０）}）が１．８±０．３の範囲である。Ｓｉスパッタリングターゲットは、例えば相対密度が７０％以上９５％以下の範囲のＳｉ焼結材を具備する。このようなＳｉスパッタリングターゲットによれば、Ｓｉ酸化膜等のスパッタ膜の膜厚特性や成膜コスト等を改善することが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、カラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程を経ても、熱劣化による反射率の低下が極めて少なく且つ硫化による黄色化を生じにくいという２つの特性を併せ持った反射電極膜を形成しうるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｇｅ系銀合金を提供することを目的とする。 本発明に係る銀合金は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｃｕ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｇｅ含量を０．０１〜１．５０ｗｔ％とし、且つＰｄ、Ｃｕ及びＧｅの合計含量を０．２１〜３．００ｗｔ％として、少なくとも４元素からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の一形態において、本発明の半導体製造システムは、不活性ガスが吸気及び排気できる真空ハウジングと、システム内に配置された多数の蒸着チャンバとを含む。本発明の装置は基板２２２、支え電極２２４、基板電源２３６、ガス吸入口２３２、質量流量計２３３、ガス供給源２８、真空ポンプシステム２３４、ポンピングポート２３６、磁石１０２、１０４、１０６、１０８、ターゲット１１０、１２０、電子制限区域１３０及び電源１４０を含む。

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本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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スパッタリングターゲットアセンブリの接合の完全性をサーモグラフィーにより評価するための方法及び装置が記載される。本方法は、アセンブリの一方の表面に加熱又は冷却用媒体又はエネルギーを適用する工程、及び撮像装置を用いてアセンブリの反対側の表面の対応する温度変化のグラフィックによる記録を得る工程を含む。各フレームにおいて記録された画素データを数学的に分析して、アセンブリの接合の完全性を表す基準化された積分温度マップを作成する方法がさらに記載される。
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本発明は、表面粗さＲａ≦１．０μｍ、より好ましくはＲａ≦０．５μｍの内側底面を備えていることを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットに関する。このホローカソード型スパッタリングターゲットは、スパッタ膜の均一性（ユニフォーミティー）に優れ、アーキングやパーティクルの発生が少なく、さらに底面の再デポ膜の剥がれを抑制でき、成膜特性に優れている。 （もっと読む）