ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

本発明は、ターゲット／バッキングプレート構造物及びターゲット／バッキングプレート構造物の形成法を含む。ターゲットとバッキングプレートは適当な中間層を介して互いに接着できる。ターゲットは、アルミニウム、銅、タンタル及びチタンの一つ以上を含みうる。中間層は、銀、銅、ニッケル、スズ、チタン及びインジウムの一つ以上を含みうる。本発明のターゲット／バッキングプレート構造物は、少なくとも２０ｋｓｉの接着強さと８０μｍ未満のターゲット内平均粒径を有することができる。

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本発明は、電子ビームによる発生プラズマを用いて基板上に薄膜及び被覆を堆積する手段に関する。プラズマは、スパッタ応用におけるイオン源として用いることができ、イオンは、膜又は被覆を形成するため基板上に縮合できる材料をターゲットから放出させるのに用いられる。代わりに、プラズマは、スパッタ又は蒸着技術に基づくものを含む既存の蒸着源と組合わされ得る。いずれの構成においても、プラズマは、反応性蒸着プロセスにおいて成長する膜表面におけるイオン及びラジカル種の源として機能する。電子ビーム大面積堆積システム（ＥＢＥＬＡＤＳ）は、数ｍ^２まで及び数ｍ^２を含む薄膜又は被覆を生成する新しい方法である。 （もっと読む）

本発明は、全般的に、プラズマスパッタリングの分野における欠陥処理システムに関し、特に、スパッタリングシステムにおいて用いられる電力発生器の制御動作のための欠陥処理システムおよび方法に関する。欠陥処理アルゴリズムは、電力発生器の動作に影響するための少なくとも１つのコマンド信号を生成するために、一期間内においてスパッタリングシステムからの複数の欠陥状態信号を処理する。欠陥処理アルゴリズムは、複数の欠陥状態信号タイプに対する応答として４つまでのコマンド信号を生成可能であり、そのコマンド信号は、システム出力無効化、電力ブロック出力無効化、出力イネーブル防止、および出力駆動ロールバックを含む。 （もっと読む）

ターゲットと支持板とから成るアセンブリとその製造方法。前記支持板は45% IACS以下の導電率を有する材料で作られ、該材料は、Al合金、Cu合金、マグネシウム、マグネシウム合金、モリブデン、モリブデン合金、亜鉛、亜鉛合金、ニッケル、およびニッケル合金から成るグループから選択される。 （もっと読む）

例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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一方のアセンブリ部材上に設けられた突起を熱膨張させ、もう一方のアセンブリ部材に熱接触を与えることによりスパッタカソードアセンブリの構成部分を組み立てる方法、及び当該方法によって形成されたスパッタカソードが記載される。本方法は、構成部材の一時的な機械的結合を形成し、この機械的結合は構成部分が所定の接触温度未満に冷却されると終わる。本方法は、任意選択でアセンブリの構成部分を互いに機械的に連結することを含む。
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複数のスパッタターゲットを形成するよう分割するのに十分な寸法を有するバルブ金属のミル成形体を製造する方法が記載される。本方法は、約１００μｍ以下の好ましい平均粒度及び／又は組織バンドの実質的にない組織を有するミル成形体を形成するためのインゴットの多方向変形を含む。
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非対称交流電圧（好ましくは４０ｋＨｚ）が、同軸（好ましくは、せん頭円錐形）関係を有する一対のターゲットの間に与えられ、（１）基板表面に材料を均一な厚さで付着し、（２）ターゲット又は他の表面から誘電体材料を除去し、（３）ターゲットの単一の点弧をなし、その後に、ターゲットの点弧を消し、（４）プラズマ放電からの低エネルギー（「冷」）電子を使用することによって、基板温度を減じて、低エネルギー流を作り出す。非対称は、交互の半サイクルの電圧と、他の半サイクルの電圧との間の大きさの差に起因する。第２の交流電圧（好ましくは、無線周波数）が、非対称交流電圧を変調して、円滑なプラズマ点弧をもたらす。ターゲットの各々に印加された異なる電圧の振幅は、基板の表面に、異なる位置で、実質的に一定の付着厚さを作る手段でもある。 （もっと読む）