国際特許分類[C23C14/34]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | スパッタリング (3,573)
国際特許分類[C23C14/34]の下位に属する分類
磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング (349)
ダイオードスパッタリング (26)
トリオードスパッタリング (18)
外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの (69)
国際特許分類[C23C14/34]に分類される特許
3,081 - 3,090 / 3,111
ITOターゲットの製造方法
【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のITOターゲットを得る方法の提供を課題とする。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してITOターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度90〜95mo1%、重合度400〜1000のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して1.0〜3.0重量%となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を0.15〜0.4重量%とする。
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薄膜または薄層をイオン化蒸着する装置およびその方法
本明細書において、a)ある幅(240)を有する少なくとも1つのコイル(220)と、b)少なくとも1つのコイルに結合された少なくとも1つのボス(210)とからなり、少なくとも1つのボスは少なくとも2つの支持部分を有する、コイルアセンブリ(200)が述べられる。本明細書において、コイルアセンブリを形成および/または生成する方法が述べられ、この方法は、a)コイルを用意することと、b)少なくとも2つの支持部分を有する少なくとも1つのボスを用意することと、c)少なくとも1つのボスをコイルに結合することを含む。
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フィルム状積層体およびフレキシブル回路基板
【課題】ファインパターンが得ることが出来、かつ電気的信頼性に優れた、フィルム状積層体を提供する。
【解決手段】耐熱性重合体フィルムの少なくとも片面に、有機金属化合物のプラズマCVD層および導電体層が逐次形成されたことを特徴とするフィルム状積層体。
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高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット
【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗500〜2000Ω/□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。
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Ti−Si合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法
【課題】 ドロップレット量、局部溶融の発生が少なく、安定した放電特性が得られ、かつ長寿命であるTi−Si合金系ターゲット材を提供する。また、その製造方法と、これら技術の利用による皮膜コーティング方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材組織中に面積率で純Si相が5%以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が30〜80%であるTi−Si合金系ターゲット材、具体例として、ターゲット材組織中に面積率で純Si相が5%以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が30〜80%、残部実質的にターゲット材構成元素による固溶相のTi−Si合金系ターゲット材である。Si:10〜40原子%含み、残部実質的にTiでなることが好ましい。本発明のターゲット材は、アークイオンプレーティング用に好ましく、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品の表面コーティング用に使用できる。
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表示素子用配線、これを利用した薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているAg合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線22,24,26及びデータ配線65,66,68を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。
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ITOターゲットの製造方法
【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ITOターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量1kg当り0.5〜3.0リッター/分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、24時間程度かけて1000℃まで昇温し、1000℃から1400〜1600℃の所望の温度までを150分以内で昇温し、1400〜1600℃の温度範囲で10時間以上保持して焼結させる。
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切削工具とその製造方法および製造装置
【課題】 ドリル、エンドミル等に好適で、耐摩耗性、高滑り性、高焼き付き性、被削材の加工精度などを向上できる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 基材と、その基材上に形成された4a、5a、6a族元素およびAlからなる群の中から選択される1種以上の元素の窒化物または炭窒化物を主成分とする耐摩耗性被膜とを具える。耐摩耗性被膜中には、B4C、BN、TiB2、TiB、TiC、WC、SiC、SiNX(X=0.5〜1.33)およびAl203をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。この超微粒化合物の粒径は0.5〜50nmが好ましい。基材としては、WC基超硬合金、サーメットなどが利用できる。
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スパッタリングターゲット組立体
【課題】 構成相や空孔率を制御して成形した割れのないターゲット材を、インサート材を介してバッキングプレートと接合したスパッタリングターゲット組立体を提供する。
【解決手段】 ターゲット材を構成する金属元素を機械的合金化法によって均質に混ざるように混合し、この混合粉末を用いて、温度、圧力を制御して適当な空孔率を導入しつつ成形することによって割れのない成形体を作製し、得られた成形体とバッキングプレートを、インサート材を介して加圧下通電加熱法を用いて接合し、スパッタリングターゲット組立体を製造する。
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スパッタリングターゲット組立体
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