【目的】本発明は、良好な一軸磁気異方性を有し、電気抵抗が大きく、飽和磁歪定数が小さく、高周波特性の優れた磁性薄膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明は、２種類以上の結晶相からなる組織を有するＣｏ基合金薄膜において、Ｐｄを含むことを特徴とする磁性薄膜である。 （もっと読む）

【目的】 酸素汚染等の問題なくパーティクル問題に対処して結晶組織の均一微細化への要求に対処しうる金属シリサイドターゲットの製造方法の確立。
【構成】 金属とシリコンのモル比率を２．０以上の範囲とし、メカニカルアロイングにより５μｍ以下の金属シリサイドー次粒が凝集した１０μｍ以上の二次粒子粉からなる金属シリサイド粉末を得、該粉末を用いてホットプレスを行うスパッタリング用金属シリサイドターゲットの製造方法。メカニカルアロイングにおいては、金属−シリコン混合粉の急激な微細化と凝集が繰り返し起こり、サブミクロン以下に微細化した各原料粉からなる粒径が数十ミクロンの凝集体が形成され、凝集粉は次第に等軸形状になり、内部では原料混合粉の均一化が進み、原子レベルの混合となり、合金化する。製造されるターゲットは、酸素含有量５００ｐｐｍ（重量）以下でありそして結晶粒が５μｍ以下である。金属シリサイドの化学的合成は不要である。 （もっと読む）

【目的】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングにより形成する際に、成分調整のために強誘電体粉末にＰｂＯ粉末を添加した場合における強誘電体の成分の安定化に要する時間の短縮化を図ることを目的とする。
【構成】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングによって形成するためのターゲットであって、平均粒径が、１０μｍ以下のＰｂ系強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合・焼結してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【構成】成分組成が、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙから選ばれる少なくとも１種の希土類元素１０〜４０ａｔ％、残部が実質的にＦｅ，Ｃｏの１種もしくは２種の遷移金属からなり、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属間化合物ａ相と、前記金属間化合物ａと同組成の金属間化合物ａと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体とからなる微細混合相と、前記金属間化合物ａとは組成の異なる希土類元素と遷移金属との金属間化合物ｂ相とからなっている。
【効果】酸化が少なく、ターゲット組成と膜組成とのズレは非常に小さく、膜特性の劣化は生じず、さらには、膜組成の経時変化は極めて僅かである。そして、このターゲットを作製する際、合金粉末ｂを超急冷凝固法により得ると粉末の粉砕が容易に行えその結晶粒が微細となり成形に際して低温での成形が可能となる。 （もっと読む）

【構成】 本願のターゲット１１は、ターゲット材となる磁性材料１３の一方の面に非磁性体１２を接合してなることを特徴とする。また、ターゲットの製造方法は、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴とする。
【効果】 本願のターゲットによれば、磁性材料を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることができる。また、使用する磁性材料の量を削減し経済性を向上させることができる。また、本願の製造方法によれば、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合することが可能になる。これにより難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。 （もっと読む）