本発明は、ポットを形成するための、コンピュータ実行される方法に関し、この方法は、（ａ）高融点金属コンポーネントを含むインゴットを第１の工作物に切断し；（ｂ）第１の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第２の工作物を形成し；（ｃ）第２の工作物を真空又は不活性ガス中で少なくとも約１２００℃の第１の温度まで第１の焼きなまし工程にさらし、これにより、焼きなましされた第２の工作物を形成し；（ｄ）第２の工作物の直径を減じることによって、焼きなましされた第２の工作物を再び鍛造し、これにより、第３の工作物を形成し；（ｅ）第３の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第４の工作物を形成し、（ｆ）第４の工作物の直径を減じることによって、第４の工作物を再び鍛造し、これにより、第５の工作物を形成し；（ｇ）第５の工作物を第２の焼きなましステップまで、第５の工作物を完全に再結晶させるように十分に高い温度までさらし；（ｈ）第５の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第６の工作物を形成し；（ｉ）焼きなましされた第６の工作物を複数の圧延パスにさらすことによって、焼きなましされた第６の工作物をプレートに圧延し；この場合、焼きなましされた第６の工作物は、少なくとも１つのパスの後に厚さが減じられており、焼きなましされた第６の工作物は、例えば各２つのパスの間に回転させられ、（ｋ）プレートに第４の焼きなまし工程を行い、これにより、プレートを形成し、第４の焼きなまし工程が（１）工程（ｊ）の後でかつ工程（ｋ）の前、又は（２）工程（ｋ）の後に行われ、ポットに処理するために適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法が、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定され、これにより、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定される寸法と実質的に同じ寸法を有することを含む。ポットに処理するのに適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法は、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定された寸法と実質的に同じ寸法を有するように、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定される。 （もっと読む）

スパッタリングターゲットは、タンタル粉末を一体化成形することにより生成するタンタル結晶粒とスパッタリング面を有するタンタル体を含む。スパッタリング面は、基板を被覆するために、タンタル原子をスパッタリング面から離して移送する原子移送方向を有する。タンタル結晶粒は、スパッタリングの均一性を増すように、スパッタリング面から離れる原子移送方向において、少なくとも４０パーセントの（２２２）方向の配向率と、１５パーセント未満の（１１０）方向の配向率を有し、タンタル体は後方散乱電子回折により検出できる（２００）−（２２２）方向バンドが無く、前記スパッタリングターゲットは、少なくとも９９．９９（％）パーセントの純度を有する。
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プラズマプロセスにおけるアーク放電の識別のためのアーク放電識別装置（１）はアーク放電識別信号を送出する比較器（４）を有し、この比較器（４）には信号及び基準値が供給され、基準値は調整装置（６）によって極値検出装置（５）により予め設定された期間に求められた信号の極値から形成され、比較器（４）は、基準信号と信号の瞬時値との比較の結果アーク放電が生じた場合に、アーク放電識別信号の状態を変化させる。
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基板上に薄膜を堆積させるためのスパッタリングステーションは、互いに対向して配置され、プラズマ領域を規定する２つのターゲットと、磁界を生成する永久磁石またはコイルと、磁界を方向付けるヨークと、各ターゲットへのエネルギを個別に制御するために各ターゲットに接続された２つの個別の電源とを備える陰極を含む。
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本発明は、スパッタリングにおいてスパッタターゲットの熱応力を緩和する方法に関する。本方法は、ターゲットホルダを用意する工程と、このターゲットホルダ上にインジウムスズ酸化物を含むターゲット材料を吹き付けによって付着させる工程と、ターゲットホルダ上のターゲット材料を付着させている間に、ターゲット材料に気孔を導入する工程とを含む。これら気孔により、吹き付けられたターゲット材料は少なくとも２％の気孔率を有するようになり、熱応力が緩和する。また、本発明は、緩和された熱応力を有するスパッタターゲットに関するとともに、インジウムスズ酸化物で基材表面を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 時間経過による良好な安定性と良好な再現性を持ちながら、なお電気アーク形成の危険を減らし、好ましくは高出力の電気放電を発生することを可能とするパルス型マグネトロンスパッタリングにより物質を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】 この課題は、マグネトロン陰極に付与される各主電圧パルスに先立ち、主電圧パルスの遮断後の電流パルスの減衰時間が５μｓ未満の電流パルスを発生するようにガスが予備イオン化されることにより達成された。 （もっと読む）

スパッタリング対象物用の大型のＭｏビレットあるいはＭｏバーを製造する方法であって、Ｍｏを含有する二つ以上のボディは、その隣接したボディ間の隙間または結合部にＭｏ金属粉が存する状態で、相互隣接して配置されている（例えば一方が他方に積み重なっている）。この隣接したボディは、機械加工する等して大型のスパッタリング対象物を形成可能なビレットまたはバーを提供するため、隣接ボディ間の結合部で金属−Ｍｏ粉層−金属の拡散接合すべく熱間等方加圧される。相互近接して配置されるボディの数や寸法は、スパッタリング対象物として適切な大型のビレットやバーを産出できるように要望に応じて選択される。スパッタリング対象のためのビレットまたはバーは、粒度３０ミクロン未満の等軸粒子からなるミクロ構造を呈するとともに、重量比で約１００ｐｐｍの低酸素含有量となっている。
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金属間バリウムアルミニウム化合物、バリウムアルミニウム合金、又は保護されたバリウム金属を含む、１又は２以上の供給源材料を提供すること、活性剤種を提供すること、硫黄含有雰囲気中で、１又は２以上の供給源材料及び前記活性剤種を、選択された基板上の発光体組成物として作用させること、を含む、チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法である。この方法は、ＴＶの応用で要求されている高輝度及び色とともに青色薄膜エレクトロルミネセント発光体の堆積を可能にする。 （もっと読む）

高価な真空設備を用いることなく、大気圧プラズマスパッタ法を用いることにより製造することが可能で、また２００℃以下の低温においても粒子を成長させることができ、粒子径、粒子密度、パターニング、集積度がコントロールされたナノオーダーの金属またはその酸化物をはじめとする各種の微粒子自体が、バインダまたはフィラー等の接着媒体を介さずに、密着性良く、一次粒子の形態においても直接付着していることを特徴とする微粒子付着基板。 （もっと読む）

Ｐｔ含有量が０．１〜２０ｗｔ％であるＮｉ−Ｐｔ合金であって、ビッカース硬度が４０〜９０である加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金及び同ターゲット。３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金の製造方法。Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供することを目的とする。 （もっと読む）