【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式Ｔｉ（Ｃ_１−ＸＮ_Ｘ）（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．９８）を満足するＴｉの炭窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１０＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示す改質Ｔｉ炭窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】キャリア搬送装置の部品の表面を腐食させることなく、クリーンな状態で磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上部および下部にガス排気手段１０３、１０４を備え、下部側に基板搬送装置１０５が備えられた反応容器１０１の内部に磁性層を形成した基板２００を搬入して、反応容器１０１の一対のプラズマ発生電極ユニットＵ１、Ｕ２の間に基板２００を配置した後、ハロゲンを含むガスを供給して発生させたハロゲンイオンを含む反応性プラズマもしくは反応性プラズマ中に生成した反応性イオンに、磁性層の表面を部分的にさらして磁性層を改質することにより、磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する改質工程において磁性層を部分的に改質した後に生ずる排ガスを上部のガス排気手段１０３から排気させる磁気記録媒体の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられたユニポテンシャルレンズ４０と、その第２電極４２、第３電極４３に直流電圧Ｖ₁ 、Ｖ₂ を印加する直流電源６０とを備えている。そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板２上に形成された磁性層６に、磁気記録領域９Ａと分離領域１０とを有する磁気記録媒体であって、分離領域１０は、前記磁気記録領域９Ａと分離領域１０との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部１０Ａと、この第１の分離領域部１０Ａに囲繞された磁性層６の表面に形成された第２の分離領域部１０Ｂと、前記第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部に位置し磁性層６と同一磁気特性を有する内部領域１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い放電パワー及び処理速度で、温度の影響を受けやすい材料の真空でのプラズマビームの処理を行なう。
【解決方法】堆積する給送ガスがプラズマビームに注入される間、イオンソース給送ガスが導入される、陰となったギャップを有する、液冷のアノードと特徴とする、グリッドのないホール電流イオンソースが提供される。陰になったギャップは、非伝導性堆積物がほぼないように保たれる、アノード表面の、良好な電気的に活動している領域を提供する。アノード放電領域は、イオンソースの内部への放電の移動を防ぐため、絶縁的にシールされる。伝導性コーティングを堆積させている間、アノードの電気的絶縁を保つために、アノードと非アノードの構成部品の間に、真空のギャップも使用される。ホール電流イオンソースの磁界は、放電電流か周期的な交番電流により駆動される電磁石で作られる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速いため、製造時間が短くなり、製造コストを低減することができる酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上に積層される中間層２０（薄膜）であって、該中間層２０上に希土類系酸化物超電導層３０が積層される酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜を、２軸配向性を有するシーライト構造の酸化物から形成する。この基材１０上に積層される２軸配向性を有する薄膜はイオンビームアシスト蒸着法により積層される。中間層２０は、シーライト構造を有するＹＮｂＯ_４，ＧｄＮｂＯ_４の１種から形成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材を部分的に発色させたパターンを形成することができる透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】カバーガラス１０は、サファイアガラスからなる透明な基材１１を備えている。基材１１の表面には、基材１１が赤色に発色して形成された発色部１２１と、無色透明な無色部１２２と、により、パターン部１２が形成されている。カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】基板加熱装置において、２０００℃を越える高温処理下においても、導電性ヒータ内部の圧力が、規定値である１．０×１０^−２Ｐａ以下を長期的に維持することを目的とする。
【解決手段】真空加熱容器１０３にあるフィラメント１３２で発生した熱電子を加速して、真空加熱容器１０３の一面を構成する導電性ヒータ１３１に衝突させて発熱させる基板加熱装置において、導電性ヒータ１３１は、カーボン製であり、導電性ヒータ１３１の内面及び外面の少なくとも一方をタンタルカーバイド（ＴａＣ）で被覆した。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスでは、シーズニング層の厚さの増大のためにウェーハのクランプ静電力を損失することなく、事前注入チャンバシーズニング層の厚さが増大される（シーズニング層を取り替えることなく一連のウェーハの注入を可能にする）。これは、まず厚いシーズニング層から残留静電荷をプラズマ放電することによって実現される。同じシーズニング層を使用して処理できるウェーハの数は、各ウェーハが処理された後、シーズニング層を部分的に補給することによってさらに増大され、それに続いて、補給されたシーズニングを短時間でプラズマ放電してから、次のウェーハを処理することができる。
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