【課題】基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下となる範囲内において、目標値を発光出力Ｌ１として半導体ウェハーＷに第１の光照射を行い、それに引き続いてピークが発光出力Ｌ１および第１の光照射における発光出力の最大値よりも大きな発光出力Ｌ２となる出力波形にて第２の光照射を行い、さらにそのピークが過ぎた後に発光出力Ｌ２よりも小さな発光出力にて追加の第３の光照射を行う。第１の光照射で予熱された半導体ウェハーＷに第２の光照射を行えば、半導体ウェハーＷに与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性を効率良く行うことができる。また、第３の光照射によって、半導体ウェハーＷの表面がある程度時間をかけて降温することとなり、欠陥の回復をも行うことができる。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループ１２０で制御される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループで制御１２０される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

【課題】安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波イオン源を有するイオン注入装置を用いて対象物にイオンを注入するイオン注入方法であって、イオン源のガスチャンバーに導入した一酸化炭素ガスにマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力するステップと、導入した一酸化炭素ガスの密度を、所定のマイクロ波電力を供給したときに得られる炭素イオン電流が飽和する領域まで高くするステップと、ガス密度を高くして所定のマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力させている状態で、マイクロ波電力を増加させるステップと、を有する。 （もっと読む）

イオン均一性監視デバイスが、プラズマ処理チャンバ内に配置され、チャンバ内に配置される処理対象物から離間して上方に位置する複数のセンサを含む。前記センサは、プラズマ処理に晒された処理対象物の表面から放出される二次電子の数を検出する。各センサは、検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流比較回路は、複数の電流信号のそれぞれから生成される処理された信号を出力する。プラズマ処理の間に、処理対象物から放出される二次電子の検出は、処理対象物の表面にわたる均一特性を示し、検出は、プラズマ処理の間にその場でオンラインで実行されてもよい。 （もっと読む）

励起したおよび／または原子状態のガスの注入を利用するイオン源を開示する。イオンビームに適用する場合、ソースガスはそのまま使用して従来どおり供給する。代替的にまたは付加的に、ソースガスをイオン源チャンバに導入する前にリモートプラズマ源を通過させることにより変質させることができる。これにより励起中性種、重イオン、準安定分子、または多価イオンを生成することができる。他の実施形態において、複数のガスを用い、１つ以上のガスがリモートプラズマ源を通過するようにする。特定の実施形態においては、複数のガスをイオン源チャンバへ供給する前に単一のプラズマ源において混合する。プラズマ浸漬に適用する場合、１つ以上の追加ガス注入箇所を介して、プラズマをプロセスチャンバに注入する。これら注入箇所により、プロセスチャンバの外部におけるリモートプラズマ源で生成した追加プラズマの流入が可能になる。 （もっと読む）

【課題】レンズ等の曲率を有する基体に、均質なフッ化物薄膜を無加熱で成膜する。
【解決手段】レンズ４を、揺動機構５によって揺動及び回転させながら、遮蔽板３の開口３ａを通して抵抗加熱蒸発源２からの蒸着粒子を被着させ、フッ化物薄膜を成膜する。遮蔽板３の開口３ａは、クラスターイオン源１から照射されるクラスターイオンが３０度以下の入射角でレンズ４に入射する領域にのみ開口する。入射角３０度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ４の有効面全体に及ぶように、揺動機構５によってレンズ４を揺動させる。 （もっと読む）

【課題】 より高いイオンアシスト効果を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、真空容器１０内に回転可能に配設され、基板１４を保持するための基板ホルダ１２と、この基板ホルダ１２に保持される基板１４に対して成膜材料を供給し、これを基板１４の成膜面に堆積させる蒸着源３４と、イオンビームを基板１４の一部に対し部分的に照射可能に配置されたイオン源３８とを備える。
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プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内にイオンを注入する方法は、処理チャンバ内に基板を提供するステップであって、基板が１つまたは複数のフィーチャが形成された基板表面を備え、各フィーチャが１つまたは複数の水平表面および１つまたは複数の垂直表面を有するステップと、イオンを生成するように適合された反応ガスを含むガス混合物からプラズマを生成するステップと、基板表面上および基板フィーチャの少なくとも１つの水平表面上に材料層を堆積させるステップと、等方性プロセスによって、基板内、少なくとも１つの水平表面内、および少なくとも１つの垂直表面内へ、プラズマからへイオンを注入するステップと、異方性プロセスによって、基板表面および少なくとも１つの水平表面上で材料層をエッチングするステップとを含む。
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プラズマ浸漬イオン注入プロセスにより基板内に材料を注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内に材料を注入する方法は、材料層が形成された基板表面を備える基板を処理チャンバに供給するステップと、非ドーパント処理ガスの第１のプラズマを発生させるステップと、非ドーパント処理ガスのプラズマに材料層を露出するステップと、ドーパントイオンを生成するように適合された反応ガスを含むドーパント処理ガスの第２のプラズマを発生させるステップと、プラズマから材料層内にドーパントイオンを注入するステップとを含む。この方法は、洗浄プロセス又はエッチングプロセスを更に含んでもよい。
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