【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層２として、アモルファスなＴｉＯ_２膜を用いる。紫外線吸収層２とハードコート層３との間には、アモルファスなＴｉＯ_２と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層４が配置されている。ＴｉＯ_２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層４は、紫外線吸収層２とハードコート層３との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極、有機膜及び第２電極を順次に含む有機発光部が形成された基板と、基板及び第２電極を覆うパッシベーション膜とを含む有機発光素子、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

例えば、Ｂ２Ｆ４またはその他のＢＦ３の代替物といったホウ素ソース材料を使用して、アークチャンバ熱生成によるドーパントガスの加熱および分解を抑制するために、ドーパントガス供給ラインにおいてドーパントガスの冷却を提供する、イオン注入システムシステムおよび方法。イオン注入システムの効率的な動作を達成するために、多様なアークチャンバ熱管理構成が、プラズマ特性の変形、特定の流れ構成、洗浄プロセス、電力管理、平衡シフト、抽出光学系の最適化、流路における堆積の検出およびソース寿命最適化と共に記載される。 （もっと読む）

【課題】冷却効率が高く、かつ耐食性に優れる長寿命のイオン源用電極を提供する。
【解決手段】イオンビームを引出すための複数のビーム孔23が形成され、少なくとも一方が連続する溝2,2A,2Bを有する耐熱性の金属材料からなる１対の耐熱電極板1,1A,1B,3,3A,3Bと、１対の耐熱電極板の間に挟まれ、かつ溝の周壁を被覆するように、耐熱電極板の各々に密着接合され、耐食性の金属材料からなるバリア材4,4A,4B,5,5A,5Bと、ビーム孔の近傍に配置され、溝の周壁を被覆するバリア材によって周囲を規定され、耐熱電極板を冷却するための冷媒が通流し、少なくとも一部が前記溝2,2A,2Bのなかに入り込むように配置された冷媒流路22,22A,22Bと、を有する。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

本発明は、１つには、半導体及びマイクロエレクトロニクス製造で使用されるイオン注入装置のイオン源構成要素を洗浄するための方法に関する。イオン源構成要素は、イオン化チャンバと、イオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素とを含む。イオン化チャンバの内面、及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素には、例えばカルボランＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２といったドーパント・ガス中に含有される元素の少なくともいくらかの堆積物が付着している。この方法は、洗浄ガスをイオン化チャンバに導入するステップと、イオン化チャンバの内面から及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で洗浄ガスを堆積物と反応させるステップとを含む。洗浄ガスは、Ｆ_２と、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのＯ_２との混合物、或いは酸素／フッ素含有ガスと、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスとの混合物である。堆積物は、イオン注入装置の正常な動作に悪影響を及ぼし、ダウンタイムを頻繁にもたらし、ツール稼働時間を減少させる。
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【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に、ＸＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物（但し、Ｘは、ＴｉまたはＨｆを示す。）のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第１素子分離不純物埋込層を形成する第１素子分離不純物注入工程Ｓ２と、前記第１素子分離不純物注入工程Ｓ２を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ３と、を備え、第１素子分離不純物注入工程Ｓ２におけるイオン注入時のエネルギーが１００〜２００ｋｅＶであり、かつ第１素子分離不純物注入工程Ｓ２とエピタキシャル層形成工程Ｓ３との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒界を有し、優れた耐擦傷性を有する多層反射防止層および、その製造方法、さらには、該多層反射防止層が形成されたプラスチックレンズを提供すること。
【解決手段】多層反射防止層３は、高屈折率層３Ｈ１、３Ｈ２と低屈折率層３Ｌ１、３Ｌ２、３Ｌ３とを交互に積層してなるとともに、高屈折率層３Ｈ１、３Ｈ２が粒界を有し、粒界を形成する粒子の粒子径が３０ｎｍ以下である。 （もっと読む）