【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の実際の反応条件下におけるＳＯＩウェーハの真の表面温度及び温度均一性を正確に求めることができるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びそれを用いた反応炉の温度管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求める方法であって、少なくとも、イオン注入により不純物注入層が形成された拡散用ＳＯＩウェーハを、ランプ加熱型の気相成長装置における反応炉内で熱処理する工程と、該熱処理された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を測定する工程とを有し、該測定された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を用いて、予め求めた熱処理後の拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗と熱処理温度とのキャリブレーションカーブから、前記拡散用ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求めるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法。 （もっと読む）

【課題】Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能な蒸着フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】蒸発源から蒸発させた珪素を含む蒸着材料に向けて、プラズマガンにより出力が３ＫＷから１２ＫＷの範囲内でＡｒプラズマを照射して、基材の被成膜面に上記蒸着材料よりなる酸化珪素を含む薄膜を成膜する。これにより、基材の搬送速度を１０ｍ／分以上２００ｍ／分以下の非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すれば良い。具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。ハロゲン元素としては、フッ素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】内部に球状のシリコンナノ結晶が点在する、発光材料として利用可能なシリコンナノワイヤを提供する。
【解決手段】該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性および耐久性の良好な光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成することと、第１の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜３３を物理的蒸着により形成することとを有する。透光性薄膜を物理的蒸着により形成することは、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第１の化合物群に含まれる少なくとも１種を含む第１の気体をイオン化することを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）