【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
Ｃ_４Ｈ_Ｘ^＋イオン、Ｃ_５Ｈ_Ｘ^＋イオンまたはＣ_６Ｈ_Ｘ^＋イオン（ｘは１以上の整数）を生成し、ウエハに対して、効率的にイオン注入する。
【解決手段】
本発明のイオン注入方法では、ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ＋２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ^＋イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ＋２の整数）を生成する。その後、生成されたイオンをウエハに注入する。
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【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 （もっと読む）

【課題】
従来の無機膜成膜に比べて安価に製造ができ、かつ、煩雑な製造工程を必要とせず、容易に優れたガスバリア性と可とう性を有するガスバリア積層体、その製造方法、このガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるＣＶＤ法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体、このガスバリア積層体の製造方法、前記ガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した２次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が所定のパターンに加工された磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を得る。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】 良好な記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体は、基板と、基板上に設けられ、磁性材料を含有する磁気記録層と、保護層とを含む。磁気記録層は、面内方向に規則的に配列されたパターンを有する記録部と、記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部を含む。非記録部は、磁性材料と、飽和磁化の値を該記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種と、保護層の成分とを含有する。 （もっと読む）