国際特許分類[C23C16/30]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの (4,650) | 化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物 (3,477)
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硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が断続重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層の中間層は、隣接する結晶粒相互の界面における(0001)、{10−10}面の法線同士の交わる角度が15度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の45%以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Al2O3層であり、上部層は、層厚方向に垂直な面内で平板多角形状(平坦六角形状も含む)、平行な面内でたて長形状を有し、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上の、Σ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されているB含有酸化アルミニウム層であり、隣接する結晶粒相互の界面における(0001)、{10−10}面の法線同士の交わる角度が15度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の35%以上を占める結晶粒界面配列を示すB含有酸化アルミニウム層である。
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コーティングされたセラミック切削インサートおよびその作製方法
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コーティングされたPCBN切削インサート、かかるコーティングされたPCBN切削インサートを使用したコーティングされたPCBN切削工具、およびその作製方法
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硬質被覆層がすぐれた耐剥離性、耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が高速断続重切削加工ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)中間層としてα型Al2O3層、(c)上部層としてZr含有α型Al2O3層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、すくい面、逃げ面に比して相対的に(0001)面配向率の小さいα型Al2O3層、Zr含有α型Al2O3層からなり、また、すくい面および逃げ面の上部層は、面積比率で35%以上60%未満の結晶粒の内部が、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、一方、切刃部の上部層は多角錐形状の結晶組織構造からなる。
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硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】高硬度鋼の高速断続切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)中間層としてα型Al2O3層、(c)上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するZr含有α型Al2O3層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、(0001)面配向率の高いα型Al2O3層、Zr含有α型Al2O3層からなり、また、切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。
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硬質被覆層がすぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)中間層としてα型Al2O3層、(c)上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するZr含有α型Al2O3層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、(0001)面配向率の高いα型Al2O3層、Zr含有α型Al2O3層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。
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フレキシブルフラットケーブル(FFC)製造用撥水性離型フィルム
【課題】 有機成分を含有する有機珪素酸合物の撥水性連続蒸着膜を有するFFC製造用撥水性離型フィルムを提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長法(PE−CVD法)により、プラスチック基材上に炭素含有珪素化合物膜を形成させてなるFFC製造用撥水性離型フィルムにおいて、離型層として、分子内にSi−O結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に低酸素ガス雰囲気下で、プラスチック基材上に有機成分を含有するように有機珪素酸化物の連続蒸着膜をプラズマ化学気相成長により成膜させ、有機珪素化合物中の有機成分に基づく撥水性を発現させ、離型性を付与してなるFFC製造用撥水性離型フィルムである。
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化合物半導体エピタキシャル成長装置
【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板13を収容した反応炉11内に、V族元素を含む原料を供給して、基板13上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置10において、V族元素を含む原料が分解し、反応炉11内でその分解付着物が付着する付着部分17の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段36を接続した。
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マイクロスケールの紫外線センサー及びその製造方法
【課題】日焼けや皮膚がんを起こしやすい紫外線を、感度よく、安定に検知できる紫外線センサーを、低コストで提供する。
【解決手段】紫外線を、感度よく、安定に検知できる紫外線センサーは、以下の工程を経て、低コストで製造される。
(i)無機酸化物基板の表面を金属層で覆う工程;
(ii)金属層で覆われた無機酸化物基板の表面に、化学的蒸気堆積法によって単結晶ZnSナノベルトを多数成長させる工程;及び
(iii)成長した単結晶ZnSナノベルトの上に、電極間の距離がμmオーダーである2つの分離された電極を形成させる工程。
無機酸化物基板として石英ガラス基板が、その表面を覆う層として金薄膜が好ましく用いられる。また、基板上に電極パターンを作製する際に、μmオーダー径のマイクロワイヤからなるメッシュをマスクに用い化学的蒸気堆積法を行なえばよい。
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化合物半導体基板とその製造方法
【課題】AlGaInP化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいAlGaInP化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるAlGaInP化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が45ppm以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階(1)と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を700℃以下でエピタキシャル成長させる段階(2)とを含む化合物半導体基板の製造方法。
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