国際特許分類[C23C16/30]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの (4,650) | 化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物 (3,477)
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耐食性と組合わされたトライボロジー、新種のPVDおよびPACVDコーティング
本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン(DLC)層でコーティングする。このDLC層を、DLCコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、DLC層のピンホールを閉じる。
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高温でのIV族金属含有膜の堆積
IV族金属含有前駆体と、IV族金属含有膜{窒化物、酸化物および金属)の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。IV族金属(チタン、ジルコニウム、ハフニウム)含有膜の堆積は、熱および/またはプラズマ強化CVD、ALDおよびパルスCVDによって行うことができる。 (もっと読む)
不揮発性半導体記憶装置
【課題】消費電力を低減させ且つ誤動作を抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】可変抵抗層63は、炭素C、及び元素群Aから選ばれる少なくともいずれか1種類以上の元素を含む第1化合物631と、化合物群G2から選ばれる少なくともいずれか1種類以上の第2化合物632とを含む混合体にて構成されている。可変抵抗層63中での第1化合物631の濃度は、30vol.%以上であり且つ70vol.%以下である。元素群G1は、水素、ボロン、窒素、シリコン、及びチタンを含む。化合物群G2は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウム酸化物、炭化珪素を含む。
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硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)中間層としてα型Al2O3層、(c)上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するY含有α型Al2O3層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、(0001)面配向率の高いα型Al2O3層、Y含有α型Al2O3層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。
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表面被覆切削工具およびその製造方法
【課題】耐摩耗性と耐欠損性との両者に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と、該基材表面に形成された被覆層とを含み、該被覆層は、1層または2層以上の層からなり、その層のうち少なくとも1層は酸化アルミニウム層であり、該酸化アルミニウム層は、ナノインデンテーション法により測定した硬度が4000〜7000mgf/μm2であり、かつ同法により測定した弾性回復率が0.3〜0.5である。
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硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)上部層として、平板多角形(平坦六角形状を含む)状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、Y(イットリウム)を含有するα型Al2O3を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上部層の結晶粒の内、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。
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太陽電池ユニットとその製造方法
【課題】太陽電池の新たな用途展開の一環として、用途にあわせて太陽電池の意匠性、特に表面色のコントロール性に優れた太陽電池ユニットとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にp型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される可視光反射層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。
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トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板1を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ11によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、V族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-V族化合物半導体層を成長させる。
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硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)下部層としてTi化合物層、(b)中間層としてα型Al2O3層、(c)上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するTi含有α型Al2O3層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、(0001)面配向率の高いα型Al2O3層、Ti含有α型Al2O3層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で60%以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ3で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。
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プラズマ処理方法
絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は:マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第1のフッ素化炭素(CFx1)層を形成するステップ;及びRFパワー励起プラズマを用いて第2のフッ素化炭素(CFx2)層を形成するステップを含む。
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