【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐摩耗性と靭性とを高度に両立させ、かつ表面層の剥離を高度に防止した刃先交換型切削チップを提供することにある。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、基材と被覆層とを有し、該被覆層は、内層と外層とを含み、該内層の各層は、元素周期律表のＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む特定の層で形成され、かつ該各層のうち該外層と接する最上層はＴｉと、窒素またはホウ素の１種以上の元素と、を少なくとも含む化合物によって形成され、該外層は、アルミナ層またはアルミナを含む層により形成され、かつ切削に関与する部位において、逃げ面側における平均厚みをＡμｍ、すくい面側における平均厚みをＢμｍとした場合に、Ｂ／Ａ≦０．９となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 過酷な切削加工条件においても耐摩耗性および耐欠損性に優れる切削工具を提供する。
【解決手段】 基体６の表面にＴｉＣＮ層８を含む多層からなる被覆層を形成しており、ＴｉＣＮ層８は筋状結晶からなるとともに、ＴｉＣＮ層８のうちの基体６側において、基体６側より１μｍ高さの平均結晶幅が、切刃４においてすくい面２よりも細い切削工具１である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造の多層プロセスにおいて、劣悪な平坦性は、ホトリソグラフィー工程で問題を惹起し得る。特に初期の堆積ステップにおける劣悪な平坦性は、半導体デバイス製造のより高い層を通じて増幅される傾向がある。この点を改良した半導体デバイス製造工程初期のブランケット層の堆積方法を提供する。
【解決手段】ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含み、ＳｉＧｅ膜３０をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板１０上に流し、パターンの有無に関わらず、基板１０上にエピタキシャルＳｉＧｅを堆積させる方法に依り、平坦性の優れたブランケット層３０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 突発欠損しやすい切削加工においても安定した切削加工が可能な切削工具を提供する。
【解決手段】 超硬合金からなる基体６の表面を被覆層５で被覆し、切刃４における基体６と被覆層５との界面にはオージェ分光分析法で測定される酸素量が１０原子％以下であり、かつ界面に算術平均粗さＲａ値換算で５０〜１５０ｎｍの微細凹凸が形成されている切削工具１である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブの先端部に抵抗率が１０^−２Ω・ｍ以下、硬度が６００Ｈｖ以上のＤＬＣ膜を被覆する技術及びプラズマ処理装置を提供し、この導電性ＤＬＣを被覆したコンタクトプローブ及びこのプローブを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ基材の先端部に加わる高電界を緩和する構造の支持手段にコンタクトプローブ基材を挟止し、プラズマ処理装置内で前記プローブ基材表面をクリーニングする工程と、前記基材表面に窒素イオンと炭素イオンを照射して基材金属の窒化物と炭化物の混合被膜を形成する工程と、炭化水素ガス放電プラズマを発生させ、コンタクトプローブの先端部に導電性ＤＬＣ被膜を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも反りの値を低減させたIII族窒化物エピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ基板と、上記Ｓｉ基板上に形成された超格子積層体と、上記超格子積層体上にエピタキシャル成長されたIII族窒化物積層体とを具え、上記超格子積層体が、上記Ｓｉ基板側からAlN材料を含む第１層、Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)材料を含む第２層、およびAl_yGa_１−yN(0≦y＜1)材料を含む第３層（但し、第２層のAl組成xおよび第３層のAl組成ｙは、y＜xの関係を有する）を順に有する積層体を複数組そなえることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐欠損性との両者に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と被覆層とを含み、該被覆層は１層または複数の層により構成され、特定の平面で切断した断面において、該被覆層のうち、刃先稜線部において最も薄くなる部分の厚みをＴ₁、刃先稜線からすくい面方向に１ｍｍ離れた地点における厚みをＴ₂とする場合、Ｔ₁＜Ｔ₂を満たし、かつ、該被覆層表面において、刃先稜線からすくい面方向に距離Ｄ_a離れた地点をａとし、逃げ面方向に距離Ｄ_b離れた地点をｂとする場合、該Ｄ_aおよび該Ｄ_bは特定の数値範囲を満たすものであって、地点ａから地点ｂまでの該被覆層における、表面から厚み０．１Ｔ₁〜０．９Ｔ₁を占める領域Ｅの１０％以上の領域において、該被覆層を構成する結晶粒の結晶方位のずれが５度以上１０度未満となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンド状炭素膜被覆物品であって、ダイアモンド状炭素膜の物品本体への密着性に優れているダイアモンド状炭素膜被覆物品を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が、アモルファス炭化珪素膜からなる中間層を介して形成されたダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜で被覆されているダイアモンド状炭素膜被覆物品Ｗ。アモルファス炭化珪素膜は、波長５３２ｎｍのレーザーを用いるレーザーラマン分光分析においてラマンシフト１４００ｃｍ^-1〜１６００ｃｍ^-1の範囲にスペクトル強度のピークを示す膜である。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性低下や、ｐ型半導体層への不純物の混入に起因するｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａと第二ｎ型半導体層１２ｂと、井戸層と障壁層とを交互に繰返し積層し、最上面が前記障壁層となる発光層１３を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記発光層の最上面の前記障壁層上に前記障壁層の再成長層１３ｃとｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）