【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として少なくともＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、上部層としてＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒とＺｒ含有α−型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒との混合相からなるＺｒ含有Ａｌ_２Ｏ_３層が形成された表面被覆切削工具において、下部層には、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒とＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒が合計面積割合で６０％以上形成され、また、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、また、ＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が夫々形成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のうちの３０％以上はＡｌ_２Ｏ_３{０００１}結晶粒で構成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のクラック密度はＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のそれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）改質ＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に、０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄの膜厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、下部層の上記改質ＴｉＣＮ層の平均粒径Ｄが膜厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０上に、自己組織化成長により量子ドット１６を形成する工程と、量子ドット１６を形成する工程の前又は量子ドット１６を形成する工程の際に、下地層１０の表面にＳｂ又はＧａＳｂを照射する工程と、量子ドット１６の表面をＡｓ原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット１６の表面に析出したＳｂを含むＩｎＳｂ層１８を除去する工程と、ＩｎＳｂ層１８が除去された量子ドット１６上に、キャップ層２２を成長する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（酸化アルミニウム層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａは４＜ｂ／ａ＜２０であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径は０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（Ａｌ_２Ｏ_３層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記Ａｌ_２Ｏ_３層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａを切れ刃部においては０．８＜ｂ／ａ＜１．２を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１μｍ以下であり、逃げ面部およびすくい面部においては、４＜ｂ／ａ＜２０を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１〜０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄等の高速連続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側に深さ０．５〜２．０μｍの範囲内の間隔をおいて、酸素含有量の複数のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である少なくとも３つの酸素濃化領域を備え、また、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝２２〜４１の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素、炭素、及び非金属元素（但し、珪素、酸素、及び炭素を除く。）を少なくとも１種類以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（ii）：（i）前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層として少なくともＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、（ｂ）上部層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層のＴｉＣＮ層について、｛１１０｝面の法線がなす傾斜角度数分布グラフを作成した場合、０〜１０度の範囲内の傾斜角を有するＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒が、度数全体の５０％以上を占め、また、上部層のα型Ａｌ_２Ｏ_３層について、（０００１）面の法線がなす傾斜角度数分布グラフを作成した場合、３５〜４５度の範囲内の傾斜角を有するＡｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒が、度数全体の６０％以上を占め、さらに、層厚方向に垂直な面内で観察した場合、Ａｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒の平均結晶粒径は、Ａｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒以外の結晶粒の２〜５倍である。 （もっと読む）