【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐密着性に優れ、耐欠損性に優れた表面被覆部材を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、ＴｉＣＮ層４と、Ｔｉ、Ａｌ、炭素および酸素を含み、平均膜厚が５〜３０ｎｍで途切れることなく存在する中間層５と、α型Ａｌ_２Ｏ_３層９とが順に被着形成された積層体を有する被覆層３を備え、ＴｉＣＮの（２００）面に帰属される回折ピークが現れる２θの値θ_ｔとＪＣＰＤＳカードのθ_ｔ０との差△θ_ｔ（＝θ_ｔ−θ_ｔ０）と、Ａｌ_２Ｏ_３のα型結晶構造の回折ピークが現れる各結晶面の２θの値θ_{ａ（ｈｋｌ）}とＪＣＰＤＳカードのθ_{ａ０（ｈｋｌ）}との差△θ_{ａ（ｈｋｌ）}（＝θ_{ａ（ｈｋｌ）}−θ_{ａ０（ｈｋｌ）}）と、の差△θ_ｚ（ｈｋｌ）（＝△θ_ｔ−△θ_{ａ（ｈｋｌ）}）がいずれも−０．２°〜０．２°の表面被覆部材１である。 （もっと読む）

【課題】本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。
【解決手段】オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温高湿条件下に長時間曝露した後でも、オリゴマーの析出による白濁を生じず、且つ、良好な導電性及び可撓性を保持する透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基材フィルムの両面にオリゴマー析出ブロック層を積層し、次いで、そのいずれか一方の面に導電性薄膜層を積層してなる透明導電性フィルムであって、該オリゴマー析出ブロック層は、プラズマＣＶＤ法によって蒸着された炭素含有酸化珪素蒸着膜からなる層であることを特徴とする透明導電性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と中間層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層からなり、（ｂ）中間層は、κ型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層にＺｒを０．００４〜０．１２％（ただし、全体組成に対するＺｒの割合を原子％で示す）含むＺｒ含有κ型Ａｌ_２Ｏ_３層（下部中間層）と、該下部中間層の表面に部分的に形成されたＺｒＯ_２薄層（上部中間層）からなり、（ｃ）上部層は、その垂直断面を観察した場合、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相と上記ＺｒＯ_２薄層上に形成されたα型Ａｌ_２Ｏ_３相のα−κ混合組織を有し、さらに、その表面研磨面を観察した場合、α型Ａｌ_２Ｏ_３相の周囲をκ型Ａｌ_２Ｏ_３相が囲繞するα−κ網目状混合組織を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１に、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスを供給しながらＧａＡｓ層の成長温度よりも高い温度で熱処理するステップと、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスの供給を停止して熱処理されたＳｉオフ基板１の温度をＧａＡｓ層の成長温度まで低下させるステップと、Ｓｉオフ基板１上にＧａＡｓ層を成長させるステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改良された靭性特性を有するＣＶＤ被覆インサートを提供する。
【解決手段】本発明は、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具インサートに関する。本発明は、被膜に非常に激しい湿潤吹き付け処理を施すことによって達成される。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性、耐剥離性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、少なくとも、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（α型Ａｌ_２Ｏ_３層）を蒸着形成した表面被覆切削工具において、例えば、下部層−上部層界面に（Ｔｉ，Ｗ）ＣＮＯ粒子を島状に分散分布させることによって、層厚Ｔの上部層の層厚方向に対する直交面に、極小引張残留応力値、極大引張残留応力値を示す複数の極小位置と極大位置が存在する直交面残留応力分布を形成し、極小引張残留応力値の平均値をσｍｉｎ、極大引張残留応力値の平均値をσｍａｘ、隣接する極小位置と極大位置における引張残留応力差（絶対値）の平均値をδとした時、深さＤ１の位置の直交面におけるσ１ｍｉｎ、σ１ｍａｘ、δ１と、深さＤ２の位置の直交面におけるσ２ｍｉｎ、σ２ｍａｘ、δ２は、Ｔ＞Ｄ２＞Ｄ１＞０で、かつ、σ１ｍｉｎ＞σ２ｍｉｎ、σ１ｍａｘ＞σ２ｍａｘ、δ２＞δ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工ですぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、下部層と上部層とからなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層は、Ｔｉの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層および炭窒酸化物層のうちの１層または２層以上からなり、かつ、０．５〜１５μｍの全体平均層厚を有するＴｉ化合物層、上部層は、１〜１０μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム−酸化ジルコニウムの混合組織層であって、該酸化ジルコニウムは、平均粒径が０．５μｍ以下の粒子として酸化アルミニウム相素地に分散分布し、さらに、該酸化ジルコニウムの含有割合は、１〜１０面積％の範囲内で、上部層の層厚方向に沿って表面に向かうほど酸化ジルコニウムの含有割合が低くなる傾斜組成構造を備える。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れるとともに初期摩耗に優れた切削工具を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、基体２側から、平均結晶幅が０．１〜１μｍの柱状結晶にて構成される下層ＴｉＣＮ層４と、Ａｌ_２Ｏ_３層５と、平均結晶幅が下層ＴｉＣＮ層４の平均結晶幅よりも大きい柱状結晶にて構成される上層ＴｉＣＮ層６とを積層した切削工具１であり、密着性に優れるとともに初期摩耗に優れる。 （もっと読む）