【課題】硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層として少なくともＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、（ｂ）上部層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層のＴｉＣＮ層について、｛１１０｝面の法線がなす傾斜角度数分布グラフを作成した場合、０〜１０度の範囲内の傾斜角を有するＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒が、度数全体の５０％以上を占め、また、上部層のα型Ａｌ_２Ｏ_３層について、（０００１）面の法線がなす傾斜角度数分布グラフを作成した場合、３５〜４５度の範囲内の傾斜角を有するＡｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒が、度数全体の６０％以上を占め、さらに、層厚方向に垂直な面内で観察した場合、Ａｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒の平均結晶粒径は、Ａｌ_２Ｏ_３（１１−２６）結晶粒以外の結晶粒の２〜５倍である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体５の表面に、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、窒酸化物および炭窒酸化物のうちの１層以上の下層７と、α型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層８とを形成してなり、Ａｌ_２Ｏ_３層８の表面から波長５１４．５３ｎｍのHｅ−Ｎｅレーザーを照射
して得られるラマンスペクトルにおいて、波数４１６〜４２０ｃｍ^−１のＡｌ_２Ｏ_３層のピークから低波数側で隣り合うブロードピークのピーク強度Ｉ０に対して、波数１０５０〜１１２０ｃｍ^−１の範囲内に現れるピークのピーク強度をＩ_１、波数７８０〜８５０ｃｍ^−１の範囲内に現れるピークのピーク強度をＩ_２としたとき、比（Ｉ_１／Ｉ_０）が０．０５〜０．５、かつ比（Ｉ₂／Ｉ_０）が０．０５〜０．５の切削工具１等の表面被覆部材
である。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣＯ、ＴｉＣＮＯの少なくとも１層以上からなるＴｉ化合物層、上部層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層と上部層の界面において、平均粒径５〜１００ｎｍのクロム酸化物粒子を、界面単位長さ当り３０〜８０％の線分割合で島状に点在分布させることにより、下部層−上部層間の付着強度を向上させるとともに、上部層のα型Ａｌ_２Ｏ_３層の結晶方位分布制御を行うことにより、硬質被覆層の耐摩耗性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工において硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記上部層の層厚方向に０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄを求めて平均粒径Ｄの層厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、上部層の酸化アルミニウムの平均粒径Ｄが層厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体の揮発性錯体の形成を可能にするη−５配位モードにおいて二族金属、例えばカルシウム、マグネシウム、ストロンチウムに配位できる立体障害イミダゾール配位子及びそれらの合成を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウム又はそれらの２種以上からなる群より選択される金属に配位された１つ又は複数の多置換型イミダゾレート・アニオンを含む化合物が提供される。或いは、１つのアニオンを第２の非イミダゾレート・アニオンで置換することも可能である。新規化合物の合成及びＢＳＴ膜を形成するためのそれらの使用も意図される。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】保護膜としてＳｉＮ膜が使用されている場合であっても、素子動作特性の変動を軽減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ドレインドリフト領域１２を有する半導体基板１１と、ドレインドリフト領域１２上に形成されたフィールド酸化膜１７と、ゲート電極１８と、中間絶縁膜１７と、メタル層２１，２２と、これらを覆うＳｉＮ膜２３と、ＳｉＮ膜２３上にＯ３−ＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法により形成され、カーボンを含有するＰＳＧ膜２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）