【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない、バイポーラ無電解プロセス方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。更に、基板の表面が少なくとも部分的に絶縁性パターンで覆われ、金属化合物の析出がパターンの開口部中で選択的に起きる選択光Ｂｉ−ＯＣＤプロセスが開示されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅１３０ｎｍ以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が１．５ｃＳｔ以上２００ｃＳｔ以下、好ましくは５ｃＳｔ以上１００ｃＳｔ以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅１３０ｎｍ以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 （もっと読む）

【課題】従来の検査・解析医療用磁気デバイスの製造する方法のようにスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用すると、コスト、大量生産の面で不利であった。そこでスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用せず、湿式プロセスのみで安価で大量に生産可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックあるいは樹脂基板の上に磁性膜を形成する製造工程を電気めっき、無電解めっき等の湿式プロセスのみとした。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき工程を必要とせずに、絶縁基材との密着強度に優れ、かつ欠陥が少ない導体層を絶縁基材上に形成する。
【解決手段】導体層の形成方法は、ポリイミド前駆体樹脂を含有する塗布液を絶縁基材表面に塗布し、乾燥して塗布膜を形成する塗布膜形成工程（Ｓ１）と、前記塗布膜を金属化合物を含有する溶液に浸漬して、該溶液中の金属イオンを前記塗布膜の表層に含浸させる浸漬工程（Ｓ２）と、前記浸漬工程によって前記塗布膜の表層に含浸させられた金属イオンを還元処理して金属被膜を形成する金属被膜形成工程（Ｓ３）と、熱処理を行って前記塗布膜中の前記ポリイミド前駆体樹脂をイミド化してポリイミド樹脂層を形成するイミド化工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】粒子寸法が制御され、顕著な副生物がなく、安定化された金属コロイドを提供する。
【解決手段】周期律表のＩｂ族、ＩＩｂ族、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族、ＶＩ族、ＶＩＩｂ族、ＶＩＩＩ族、ランタノイド族及び／又はアクチノイド族の金属を含んで成り、粒子寸法が５０ｎｍ以下であり、支持電解質及び／又は安定剤として、第４級アンモニウム塩又はホスホニウム塩（それぞれＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ^＋Ｘ⁻又はＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｐ^＋Ｘ⁻であって、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は同じ又は異なり、Ｃ_１−１８アルキル又はアリール基である。）が存在する、有機媒体に溶解性もしくは再分散性である金属コロイド、２成分系金属コロイドまたは多成分系金属コロイドである。更に、同様の水溶性金属コロイド、２成分系金属コロイドまたは多成分系金属コロイドである。 （もっと読む）

【課題】電気透析法を用いて、老化した電解質液の蓄積した陰イオンおよび陽イオンの除去効率が良く、再生効率が良い電解質液の再生装置を提供する。
【解決手段】蓄積した陰イオンおよび陽イオンを含む老化した電解質液を電気透析法により再生する装置であって、一対の電極と、該電極間に設けられ、老化した電解質液の蓄積した陰イオンまたは陽イオンのいずれか一方を通過する一対の同種のイオン交換膜を有するイオン交換室と、前記イオン交換室の一方の側に設けられ、前記イオン交換膜を通過して除去された陰イオンまたは陽イオンを収容するイオン除去室と、前記イオン交換室の他方の側に設けられ、前記イオン交換膜を通過して電解質液に供給する除去したものと同種の陰イオンまたは陽イオンを収容するイオン供給室と、を有する電解質液の再生装置。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ液の使用に伴い減少する金属イオンを補給し、生成する不要な陰イオンの蓄積を減少し、メッキ液を安定して長期間使用することができる無電解メッキ装置を提供する。
【解決手段】無電解メッキをするためのメッキ液を有するメッキ槽と、前記メッキ槽に無電解メッキに使用する金属を補給するための補給槽と、前記補給槽とメッキ槽とを連結してメッキ液を循環させるための循環手段とを有する無電解メッキ装置であって、前記補給槽は、電気分解をするための電源と、前記無電解メッキに使用する金属からなる陽極電極を有する陽極室と、陰極電極を有する陰極室と、前記陽極室と陰極室との間に設けられたイオン交換膜とを有し、電気分解により前記陽極室の陽極電極から生成した金属イオンを陽極室または陰極室からメッキ槽に補給する無電解メッキ装置。 （もっと読む）

【課題】配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっきを最適なプロセス条件で行うことができるようにする。
【解決手段】表面に金属配線を有する基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて金属配線の露出表面に金属触媒を付与する触媒付与処理を行い、基板の表面にＤＭＡＢを還元剤とする液温が２５〜６０℃の無電解めっき液を接触させて配線の露出表面に保護膜を選択的に成膜し、その後、基板の表面を洗浄して乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性に優れたグラフトポリマーパターンを、基材表面の所望の領域にのみ簡便に形成しうるグラフトポリマーパターン形成方法、エッチング工程を行うことなく微細な導電性パターンの形成が可能であり、且つ、基材表面の凹凸が少ない場合であっても基材との密着性に優れた導電性パターンを形成しうる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基材上に光ラジカル発生剤を含有する組成物をパターン状に直接付与する工程、（ｂ）光ラジカル発生剤を基材に固定化する工程、及び、（ｃ）固定化された前記光ラジカル発生剤を有する基材表面に、重合性の二重結合を有する化合物を接触させた後、該基材表面にエネルギーを付与して、固定化された光ラジカル発生剤が存在する領域にグラフトポリマーパターンを形成する工程、を有することを特徴とするグラフトポリマーパターン形成方法。 （もっと読む）