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国際特許分類[C23C28/02]の内容

国際特許分類[C23C28/02]に分類される特許

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【課題】Agの使用量を少なく抑えて低コストで製作可能であるとともに、耐熱性及び耐ウィスカー性を両立させることができるSnメッキ導電材料及びその製造方法並びにこのSnメッキ導電材料を用いた通電部品を提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる基材2の上に、Sn又はSn合金からなるSnメッキ層5が形成されたSnメッキ導電材料1であって、基材2とSnメッキ層5との積層方向に沿った断面において、Snメッキ層5の表層部分にAg−Sn粒子が凝集したAg−Sn合金層6が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ポリカーボネート上に意匠性に富んだ被膜を形成した部材を提供する。
【解決手段】エンジニアリングプラスチック用無電解ニッケルめっきを行うことによって、ポリカーボネート上に導電性を付与し、その上にアルミニウムコーティング法の中でも低温で緻密な厚膜を形成することができるジメチルスルホン系電気アルミニウムめっき膜を形成する。更に、アルミニウムめっき膜表面を陽極酸化し、着色・封孔することによって、金属質感を持ち、カラーバリエーションに富んだ表面を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金の表面に、製品の形状や寸法に拘らず、比較的簡単な方法により、均一な膜厚のRe基合金からなる拡散バリア層を形成する。
【解決手段】この無電解めっき浴は、基材上に50at%以上のReを含むNi−Re−B合金を無電解めっき処理により形成するためのものであって、Ni2+とReOをそれぞれ0.01〜0.5mol/Lの範囲で等当量ずつを含む金属供給源成分と、クエン酸と少なくとも一種の他の有機酸を含む錯化剤成分であって、Ni2+とReOの合計に対するクエン酸のモル濃度比が1/20〜1/5であり、Ni2+とReOの合計に対する前記クエン酸と前記少なくとも一種の他の有機酸の総有機酸量のモル濃度比が1/2〜10である錯化剤成分と、ジメチルアミンボランをNi2+とReOの合計に対してモル濃度比で1/4〜2含む還元剤成分とを含み、pHを6〜8に調整したものである。 (もっと読む)


【課題】コストパフォーマンスに優れ、プロセス構築が比較的平易という電気めっき法の長所を生かし、かつ、電流分布により黒色度が不均一になることのない、プラズマディスプレィ前面板用黒色化シールドメッシュの製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマディスプレィの前面板における電磁波シールドのために使用する、黒色化シールドメッシュの製造方法であって、(1)透明樹脂シート1上に銅箔2を貼り合わせる工程と、(2)前記銅箔2のエッチングにより銅メッシュパターンを形成する工程と、(3)前記銅メッシュパターン表面上へ電気めっきにより鉄−炭素合金4を被覆することによる黒色化を行う工程とを順次有することを特徴とするプラズマディスプレィ前面板用黒色化シールドメッシュの製造方法。 (もっと読む)


【課題】銅表面に1,000nmを超す凹凸を形成することなく、銅表面と絶縁樹脂との接着強度を確保し、各種信頼性を向上させることができる銅表面の処理方法、ならびに当該処理された配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面の処理方法において、銅表面に貴金属を離散的に形成する工程、前記銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理して酸化銅を形成する工程、前記酸化銅を、還元剤を含むアルカリ溶液で還元処理して金属銅を形成する工程、前記金属銅の表面にニッケル、コバルト、ニッケルとコバルトの合金、ニッケルおよびコバルトの2層から選択される無電解めっき皮膜を形成する工程を有する銅表面の処理方法。 (もっと読む)


【課題】繰返しのばね性が必要な部品に好適であり、各種電子機器のスイッチ部分に使用される部品、特にスイッチ用メタルドーム部品に好適な耐硫化性及び疲労特性の優れた材料を提供する。
【解決手段】準安定オーステナイト系ステンレス鋼上にAg膜、更に厚さ1〜100nmのRu膜が形成され、上記形成の少なくとも1つは乾式成膜法で行われている、耐硫化性に優れた準安定オーステナイト系ステンレス鋼帯、並びに上記ステンレス鋼帯からなるスイッチ用メタルドーム部品。 (もっと読む)


【課題】耐屈曲性を著しく向上させることができる銅積層プラスチックフィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムW1上に、少なくとも3層以上の銅メッキ層3a〜3gからなる銅メッキ積層体3が形成された銅積層プラスチックフィルムであって、この銅メッキ積層体は、銅メッキ層間に境界面31が形成されるとともに、これらの境界面の上下に位置する各銅メッキ層が互いに一体化されて構成されている。前記プラスチイクフィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来用いられている無電解銅めっき液と比較して安全性の高い無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂に対して、良好な密着性と優れたエッチング性を兼ね備えた導電性皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】還元剤として次亜リン酸又はその塩を含む自己触媒型無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂上にニッケル含有率20〜70重量%の銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂上への導電性皮膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに放熱性に優れ、ハンダ付けが可能であるヒートシンクに好適に適用可能な表面処理Al板、およびその表面処理Al板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Al基板表面に置換めっきによりZn層を形成させ、その上にNi層とSn層をめっきにより形成させ、前記Zn層が前記Niめっき後の状態で5〜500mg/mの皮膜量、前記Ni層が0.2〜50g/mの皮膜量、前記Sn層が0.2〜20g/mの皮膜量となるようにする。 (もっと読む)


【課題】コネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のSnめっき膜表面やはんだからウィスカが発生するおそれが少なく、また、高温・高湿環境下においても接触抵抗が増大することのないPbフリーの配線用導体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の配線用導体は、少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部31と心材33となる金属材料からなる複合材であり、心材33とSn系材料部31との間に所定厚さのNi−P中間層32を設け、その後、リフローを行い、そのNi−P中間層32をSn系材料部31中に拡散させてNi−P中間層32を消失させると共に、Sn系材料部31の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜(又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜)35を形成したものである。 (もっと読む)


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