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国際特許分類[C30B33/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理 (621)

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【課題】窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体および基板の側面に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法が提供される。
【解決手段】窒化ガリウムと異なる材料から成る基板9上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体24から窒化ガリウム基板を製造する方法であって、成長によって、窒化ガリウム結晶体24の側面および基板9の側面上に窒化物堆積物26が形成される。この方法は、窒化物堆積物26を外周加工により除去する工程と、この外周加工の後に、基板9をエッチングにより除去する。エッチング後に残余の窒化物堆積物26eを除去する工程とを備える。 (もっと読む)


ニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムの結晶をプリコンディショニングするための方法および装置。結晶の表面の少なくとも一部を、1もしくは複数の活性な化学物質を含有する凝縮された材料により被覆する(110)。該結晶を非酸化性環境中で、活性な化学物質が被覆された表面部分の下の結晶を還元することに貢献する活性化温度より高い温度に加熱する(120)。該結晶を、活性化温度より高い温度から、活性な化学物質が結晶を還元するためにほぼ不活性になるような急冷温度より低い温度に冷却する(130)。
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