【課題】長時間プラズマエッチングを行っても均一なエッチングを行うことができるシリコン電極板を提供する。
【解決手段】シリコン電極板２にガス噴出孔５を設けてなるシリコン電極板において、前記ガス噴出孔５は、深さがシリコン電極板２の厚さよりも浅くかつ軸がシリコン電極板の厚さ方向になるように設けられている有底大径孔部分８と、この有底大径孔部分８の底部分からシリコン電極板２の厚さ方向に対して非平行な方向に向かってシリコン電極板の片面に貫通している複数の貫通細孔９とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】湾曲した窒化物半導体結晶から、面内および基板間で格子面方向のばらつきが少ない窒化物半導体基板を得る方法を提供する。
【解決手段】異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶１２の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層１３を導入する。加工変質層１３の導入によって窒化物半導体結晶１２の曲率半径は大きくなり、面内各点での格子面方向［ｈｋｉｌ］若しくは［ｈｋｌ］が平行化される。この状態の窒化物半導体結晶１２から、表面１２ａから裏面１２ｂに向かってスライスして複数の基板１４を切り出す。このようにして得られた基板１４は、基板表面と特定の結晶格子面とが成す角度が基板の面内で略同じとなるため、湾曲した窒化物半導体結晶１２から、結晶格子面が揃った複数の基板１４を切り出すことが可能となる。 （もっと読む）

リボン結晶を処理する方法は、ストリングリボン結晶を提供し、ストリングリボン結晶の少なくとも１つの縁を除去する。上記少なくとも１つの縁はストリングを備え、除去することは、１つの縁の該ストリングの大部分を除去することを包含し得る。また、除去することは、ストリングリボン結晶上に実質的に平面の縁を形成することを包含し得る。本発明はさらにストリングリボンウエハを提供し、該ストリングリボンウエハは、複数の大粒子と複数の小粒子とを備える複数の粒子を含む本体を備えている。
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【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

本発明は、Ｍをカルシウム、バリウム、マグネシウム若しくはストロンチウムまたはこれらの混合物として、化学式ＭＦ_２の金属フッ化物単結晶から作製される光学素子の表面を、保護材料の膜で被覆する処理に先立って、洗浄する方法に向けられる。方法は、少なくとも以下のステップ、（ａ）少なくとも１つの選択された液体に、ＭＦ_２単結晶の光学素子を浸し、メガソニック周波数で音波処理を行って微粒子を除去し、かつ、スラリーの残留物および前記光学素子の損傷した上面を磨くステップ、（ｂ）気相洗浄プロセスで洗浄を行い、光学素子の表面から紫外線／オゾン洗浄を用いて炭化水素を除去するステップ、および、（ｃ）気相プロセスにおいて、光学素子の表面を、真空雰囲気中でアルゴンおよび酸素を含む低エネルギー・プラズマにさらすステップを含む。
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光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

単結晶体の結晶方位を解析する工程と、前記単結晶体の選択された結晶方向と前記単結晶体の第１の主外面の面に沿う結晶方向の投影との間の方位差角を計算する工程とを有する、単結晶体の結晶方位を変化させる方法が開示される。前記方法は、前記第１の主外面の少なくとも一部から材料を除去して前記方位差角を変化させる工程をさらに有する。
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【課題】炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出し、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工し、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子の光学端面に形成された加工変質層を中性のスラリーで除去できるケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】光波長変換素子の光学端面を平均粒径２０μｍの第１の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第１の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径０．１２５から１μｍの第２の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第２の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径２００μｍの以下の第３の砥粒からなる研磨スラリーを用いてケミカルメカニカルポリッシングを行う第３の研磨工程とから成る光波長変換素子の光学端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】厚膜材料製造中における温度制御の方法および装置を提供する。
【解決手段】温度制御装置１００は、注入され続いて劈開されるバルク材料１１０を支持する平面１２２を有するステージ１２０を備え、バルク材料は表面領域１１２、側部領域１１７、および底部領域１１８を有する。装置はさらに、バルク材料とステージの界面領域を通じて熱エネルギーの移動をするためにバルク材料が平面と接触する一方で表面領域が露出されるよう構成された機械的クランプ装置１３０と、表面領域の温度値を測定し、入力データを生成するセンサ装置１５０と、バルク材料の表面領域の一つまたは複数の部分に複数の粒子を注入する注入装置と、少なくともステージの平面とバルク材料の底部領域の間の界面領域を通じて表面領域の温度値を上昇および／または下降させるよう入力データを受信し、処理する制御装置１６０とを備える。 （もっと読む）