リボン結晶を成長させるための炉は、所定の方向に所定の速度でリボン結晶を成長させるためのチャネルと、成長中のリボン結晶から一部分を分離させるための分離メカニズムとを有する。分離メカニズムの少なくとも一部は、成長中のリボン結晶から該一部分を分離させている間に、概ね所定の方向に概ね所定の速度で動く。分離メカニズムは、レーザを備え、該レーザは、成長中のリボン結晶を複数回横切って横断するパルス化されたレーザビームを発生させることによって切断するために使用される。
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【課題】原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００）面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、酸化ガリウム単結晶の（１００）面にステップとテラスとを形成して、酸化ガリウム単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイス等に用いられる部品の生産性を向上させる。
【解決手段】 四角柱状に加工された結晶体からなる複数のブロック体を積み重ねつつ並べた状態に接合するブロック体接合工程と、接合された前記複数のブロック体の外周を切断して所定の厚さのウェハを形成する切断工程と、から構成されることを特徴とし、結晶体がアズグロウン人工水晶からなり、直接接合又は紫外線硬化性接着剤により接合されており、切断がＡＴカットとなるカットアングルでなされる。 （もっと読む）

ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】平坦度の向上と、LPD の検出サイズの縮小化を図ることができるエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル成長工程と、前記ウェーハの主表面を特定の処理液で１００℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ数十μｍ以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工する。
【解決手段】フッ化水素酸等のハロゲンを含む分子が溶けた処理液２２中に、ＧａＮやＳｉＣ等の被加工物２８を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒２６を被加工物２８の被加工面に接触または極近接させながら該触媒２６と被加工物２８とを相対移動させて被加工物２８の被加工面を加工する。 （もっと読む）

【課題】単結晶内部に誘起構造を作製する方法および該誘起構造を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】面心立方格子構造または六方最密充填構造を有し、かつパルスレーザを透過し得る単結晶内部に単一のフィラメントが形成されるようにパルスレーザを集光させる。また、パルスレーザは、上記フィラメントが誘起構造の形成される結晶面に対して略垂直に形成されるように照射する。これによって、フィラメントが到達した結晶面が局所転位を起こし、単結晶内部に光学異方性を有する誘起構造を周期的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置に好適な結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部１０５を有する結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の突起部１０５を研磨加工によって除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本窒化物結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）