ａ）分子線エピタキシ法（molecular beam epitaxy：MBE）を用いて、立方晶III-V族基板上にエピタキシャルIII族窒化物材料を成長させるステップと、ｂ）前記III族窒化物基板が立方晶III族窒化物自立基板として残るように、前記III-V族基板を除去するステップと、を含む立方晶III族窒化物自立バルク基板の製造方法。III族窒化物デバイスの製造のための立方晶III族窒化物自立バルク基板。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体基板に簡便かつ高精度にオリフラを加工する技術、及びインデックスフラットなしに表裏を判別する機能をオリフラに付与する技術を提供することにある。
【解決手段】 窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット７を形成し、このファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラット１８とする。又は、窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット７が形成された自立基板１６を作製し、さらにその上に気相成長を行うことにより側面にファセット面を持つインゴットを形成し、次に、そのファセット面を残したままインゴットを所定の外形に研削した後スライスして、ファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラットとしてもつ窒化物半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面に形成されるエピタキシャル膜の特性を均一で良好にできるウェハの製造方法を提供することこと。
【解決手段】 表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するためのウェハ１０を製造するウェハの製造方法であって、表面１５Ａ及び裏面１５Ｂが平坦面に形成されたウェハ１５を準備する準備工程と、この準備工程にて準備されたウェハの表面に中央領域が突出する中央凸部１９を形成し、裏面に周辺領域が突出する周辺凸部２０を形成する凸部形成工程と、この凸部形成工程を経たウェハ１８の表面１８Ａ及び裏面１８Ｂに押圧力Fを作用して当該ウェハに歪を生じさせ、この状態で表面及び裏面を平面研削する研削工程とを有し、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状を有し、当該表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するための加熱処理時には平坦に変形するウェハ１０を製造するものである。 （もっと読む）

ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを開示する。ウェハは、直径が少なくとも約３インチであり、歪みは約５μｍ未満であり、反りは約５μｍ未満であり、全厚さ変動は約２．０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 清浄な表面を有し安価に製造できるＤＡＳＴ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶媒Ａに溶解した溶液中でＤＡＳＴ結晶を育成する工程と、この育成した結晶を溶媒Ａと相溶性があり溶媒ＡよりもＤＡＳＴの溶解性が低く且つ溶媒Ａよりも蒸気圧が低い溶媒Ｂ中に結晶を乾燥させずに移行させて結晶表面に付着した溶媒Ａを除去する工程と、この溶媒Ｂに移行させた結晶を溶媒Ｂと相溶性がありＤＡＳＴを溶解しない溶媒Ｃに結晶を乾燥させずに移行させて結晶に付着した溶媒Ｂを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】欠陥クラスタを有する基板内に形成された薄い層を転写するための方法を提供する。
【解決手段】半導体材の薄い層と支持基板とを含み、この薄い層は欠陥クラスタを第一の密度にて有するドナー基板の一部を転写した結果として得られる基板であり、ドナー基板の支持基板上への転写の後の、この部分内に存在するこれら欠陥クラスタの、第一の密度を第二の密度に低減されるために、キュアするステップと、キュアするステップの前の、ドナー基板のこの部分内に第一の密度にて存在する欠陥クラスタを増加させないようにする１つ又は複数のステップを含むことを特徴とする。 本発明は、さらに、この方法にて得られるSeOI基板と、欠陥クラスタを有する基板であって、既にドナー基板として用いられ、それから薄い層が剥離され、それが支持基板上に転写された基板をリサイクリングする。 （もっと読む）

【課題】インゴットから切り屑なしに薄い基板を得ること。
【解決手段】柱状インゴット１の側面に側方からレーザ光１０を照射することにより胴巻き状に切り欠き９を形成し、この切り欠き９に沿ってインゴット１の長手方向からレーザ光４の集光点を合わせることによりインゴット１の切り欠き９から内部に向かって多光子吸収による加工面領域を形成し、この加工面領域を剥離面としてインゴット１の一部を剥離し基板を得ることよりなる基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ単結晶基板について表面平坦性を確保するとともに結晶品質を改善する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ単結晶基板について、例えば平均粒径０．１μｍのアルミナ砥粒を１０重量％分散させてあり、かつｐＨがほぼ５から１０の間の研磨液を用いて、平均研磨量が１μｍとなるような研磨を行う。その後、１５００℃以上、好ましくは１６００℃以上の温度で該ＡｌＮ単結晶基板を加熱するアニール処理を行う。これにより、ＡｌＮ単結晶基板の表面平坦性が改善される。また、研磨処理によって生じる加工変質層がアニール処理によって除去されてなることから、基板上にデバイス層を形成すると、鏡面状態の表面を有し、かつ、研磨処理のみを行った基板に対して形成するよりも結晶品質のよいデバイス層を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 （１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減された（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法を提供すること。
【解決手段】 育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断することを特徴とする、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法。育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断、加工する、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法であって、上記加工が円筒研削加工であり、該円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする、（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法等を採用する。 （もっと読む）