【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【課題】フランジ領域を確保しつつ、無効領域が低減されたウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円周の一部を切り込んだオリエンテーションノッチ１０ｂを有するウェーハ１０であって、周縁に立設された補強フランジ１０ａと、補強フランジ１０ａに取り囲まれ補強フランジ１０ａよりも層厚の薄い薄層部１０ｃと、を備え、補強フランジ１０ａは、円周に沿って立設された円周部と、オリエンテーションノッチ１０ｂの近傍に立設されたノッチ部と、を有し、ウェーハ１０の主面に対して平行な方向にみた円周部の幅Ｗ１は、主面に対して平行な方向にみたオリエンテーションノッチ１０ｂの深さＮよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】従来、ダイヤモンドの研磨は、輝きを増幅させる為カット数が多い立体的な研磨が多かったが、平面的なカットでダイヤモンド持つ透明性の美しさを幅広く表現させる。
【解決手段】平面的板状にカットしたダイヤモンドを様々な、平面的なデザインにカットしダイヤモンド自体の透明性や輝きを、斬新的で様々なデザインで顕現する。 （もっと読む）

【課題】ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、窒化ガリウム単結晶のファセット面成長により形成され、周囲の極性に対して反転した極性を有する欠陥部１２１と、Ｃ面成長により形成されるＣ面成長部１１０と、欠陥部１２１の成長面側の端部において外部に露出する欠陥上端１２４と、欠陥上端１２４からＣ面成長部１１０に向かってＣ面成長部１１０の表面の法線方向に沿って形成される垂直面１２６と、垂直面１２６とＣ面成長部１１０との間に形成される曲面部１２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用な、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向のＢａＬｉＦ_３単結晶体からなり、かつ屈折率均質性が良好なる光学部材を安定的に、簡便かつ安価に得る。
【解決手段】 チョクラルスキー法にて＜１２３＞方向に結晶を育成してインゴットを得、このインゴットを斜め方向に切断するなどして｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体を得る。＜１００＞方向に育成して水平に切断して得た板状体よりも応力分布（歪）等が均一となり、屈折率均質性に優れる部材を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板に半導体膜が成膜されている構造体の下地基板から半導体膜を破損させることなく剥離させることができる剥離処理装置および方法を提供する。
【解決手段】剥離処理装置１００は、サファイア基板２１０が上側でＧａＮ膜２２０が下側の状態のサファイア／ＧａＮ構造体２００を基板支持部１２０で下面中央で下方から支持し、支持されたサファイア／ＧａＮ構造体２００を所定温度まで加熱し、加熱されているサファイア／ＧａＮ構造体２００に上方からレーザ光ＬＲを照射する。このため、加熱機構１３０の加熱によりサファイア／ＧａＮ構造体２００が下方に凹状に湾曲しても、その外縁部が処理装置本体１１０の内部底面に接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の主面をＸ線光電子により分光した場合、Ｚｎ原子の２ｐ３／２内殻電子の励起ピークエネルギーが、１０２１．７５ｅＶ〜１０２２．２５ｅＶの範囲に存在するように主面を形成する。このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、酸化処理が行われる。以上により、ＺｎＯ系基板においてダメージのない主面を得ることができ、薄膜成長に適した表面となる。 （もっと読む）

本発明は電子工学分野での応用を目的とする、少なくとも１つのＩＩＩ／Ｎ型窒化材料層を具備してなるハイブリッド基板の製造法であって；六方単結晶の結晶構造を有するＩＩＩ／Ｎ型窒化材料でできた原材基板（１）を選択する工程；前記基板内部に多数のナノ空隙（１２）を生じさせて活性層（１４）の境界となる脆弱領域（１３）を作ることを目的として、前記窒化材料の「ｃ」結晶軸に平行もしくは略平行な平面内にある「注入面」（１０）と呼ばれる面の一つを通して、１×１０^１６Ｈｅ^＋／ｃｍ^２から１×１０^１７Ｈｅ^＋／ｃｍ^２のヘリウムイオンＨｅ^＋を前記原材基板（１）に注入する工程；および、少なくとも前記ナノ空隙を空隙（１２’）へと成長させることが可能な熱授受を含む授受からなる、活性層（１４）を原材基板（１）から分離させることが可能な全エネルギー授受を施すことによって前記活性層（１４）を移設する工程；からなることを特徴とする製造法に関する。
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【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、サファイア基板上に、ＧａＮ層と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層とが交互に積層された半導体成長層を形成する工程と、半導体成長層を、半導体成長層の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）