【課題】結晶欠陥を損なうことなく、かつ効率よく結晶の大型化を達成できる炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】次のＡ〜Ｆの工程を有する炭化珪素単結晶の製造方法である。Ａ．炭化珪素単結晶からなる種結晶に炭化珪素単結晶を成長させる。Ｂ．成長した炭化珪素単結晶を成長方向と平行もしくは斜めにして、かつ成長方向に対し垂直断面における長軸方向に切断することにより第二の種結晶を得る。Ｃ．第二の種結晶を用い、その断面の長軸の長さよりも厚く炭化珪素単結晶を成長させる。Ｄ．第二の種結晶に成長した炭化珪素単結晶を、成長方向と平行もしくは斜め方向にして、かつ成長方向に対し垂直断面における長軸方向に切断して第三の種結晶を得る。Ｅ．第三の種結晶を用いて炭化珪素単結晶を成長させる。Ｆ．第三の種結晶に成長した炭化珪素単結晶から{0001}結晶面が露出するように切断して炭化珪素単結晶を得る。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、窒化シリコン含有基材を研磨する方法を提供する。該方法は、コロイダルシリカ、少なくとも１種の酸性成分、および水性担体を含む研磨組成物で窒化シリコン基材の表面を磨耗させることを含む。少なくとも１種の酸性成分は、１〜４．５の範囲のｐＫａを有する。該組成物は、該少なくとも１種の酸性成分のｐＫａよりも０．５ｐＨ単位小さいｐＨから該ｐＫａよりも１．５ｐＨ単位大きいｐＨまでの範囲のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｎバルク結晶を製造する方法であって、IIIは、周期表のIII族のうちＡｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素を指し、前記III−Ｎバルク結晶を、気相エピタキシーによって基板又はテンプレート上に成長させ、前記III−Ｎバルク結晶の成長速度を、リアルタイムで測定するIII−Ｎバルク結晶の製造方法である。エピタキシャル成長の間、成長速度のその場での測定及び動的制御によって、実際の成長速度を本質的に一定に維持する。その結果、良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶及びそれに付随して分離され個別化された単一のIII−Ｎ結晶基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】硬脆性材料で且つ導電性のある良質の大口径インゴットに機械的ダメージを与えることなくインゴットの外形加工する方法を提供する。
【解決手段】ワイヤー放電加工機を用いて、加工液中あるいは加工液をかけながらインゴット１とワーヤー２の間でアーク放電を起こし、ワイヤーを繰り出しながらほぼ円筒形の所望の形状にインゴットの外周をワイヤー放電加工機で除去することによって、インゴットの外形を加工する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶基板をより平坦あるいは凹形状に加工するＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１のＧａ面１ｇに予め加工歪を与えた後、その基板１を平坦なプレート２にＧａ面１ｇが接触するように無荷重で貼り付け、基板１のＮ面１ｎを加工歪フリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外し、取り外した基板１をプレート２にＮ面１ｎが接触するように荷重をかけて貼り付け、Ｇａ面１ｇを加工歪みフリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外して仕上げる加工方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸（光軸）を高精度に、且つ簡易な作業で決定することが可能な球状又は半球状の単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料となる単結晶のＺ軸方向を予め測定し、このＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を有する板状の単結晶母材２を切り出す。この単結晶母材２のＸ−Ｙ平面に、単結晶母材２とは識別可能な板状の識別材３を接合して接合材４０を得る。この接合材４０分割して、製造しようとする球状体６を包含する大きさの多面体４１を切り出した後、これを球状に形成する。形成された球状体６では、単結晶体からなる水晶部６１と識別材からなる識別部６２との接合面６３がＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を示す目印となる。また、識別部６２を剥離することで、Ｘ−Ｙ平面をオリエンテーションフラット６３ａとする球状体６１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の耐光損傷強度を充分に確保すると共に、大型化や量産が可能である、タンタル酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２ａ族元素、２ｂ族元素、３ａ族元素、３ｂ族元素のうちの１種又は２種以上を添加物として含むコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶基板１を使用して、この単結晶基板１を、タンタルとリチウムとを含む原料３を用いて気相平衡法により処理することにより、化学量論組成に近づけてタンタル酸リチウム単結晶を製造する。 （もっと読む）