【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、実装プロセスでは安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示すチップからなる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも片面に機能素子が形成された半導体ウエハの少なくとも片面に、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下、引張弾性率が４ＧＰａ以上の有機溶剤可溶性のポリイミド層を直接形成した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、出発基板の自由面に沿って広がる少なくとも１つの厚い表面領域がＧａＮからなる出発基板からＧａＮ薄層を作製するための方法に関する。上記方法は、以下のステップ：ヘリウムおよび水素原子を用いて基板の上記自由面に衝撃を与えるステップであって、第一にヘリウムが上記厚い表面領域の厚さに注入され、その後水素が注入され、ヘリウムドーズ量および水素ドーズ量がそれぞれ１．１０^１７原子／ｃｍ^２〜４．１０^１７原子／ｃｍ^２で変化するステップと、出発基板の残余部に対して、自由面とヘリウムおよび水素注入深さとの間に位置する厚い領域の部分全体の分離を誘発するために、出発基板に破断プロセスを施すステップと、を含む。このヘリウムは、有利に少なくとも水素のドーズ量と等しいドーズ量で注入されるが、単独注入することもできる。
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【課題】貫通ピットや貫通クラックが存在するために事実上使用不可能であった自立基板を半導体素子の工程に流せるようにし、基板の生産歩留まりを著しく向上させ、貴重で高価な窒化物半導体基板の提供。
【解決手段】表面から裏面まで貫通する貫通ピット８又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板７に対し、前記貫通ピット８又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋める。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶１１側に対向する成長面に対して研削砥石３０の砥石加工部３２を接触させる工程と、研削砥石３０を回転させると共に研削砥石３０を種結晶１１方向に下降させて炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程とを含み、炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程にて、中空円筒状砥石３０又は固定装置２１に超音波振動を与えて炭化ケイ素単結晶１０の切子を排出させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すこ
とができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶側に対向する成長面に対して中空円筒状砥石３０の開口加工部を接触させる工程と、中空円筒状砥石３０を回転させると共に中空円筒状砥石３０を種結晶方向に下降させて炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程とを含み、中空円筒状砥石３０は、開口加工部の中心軸Ｚと、当該中空円筒状砥石３０を回転させる砥石シャンク３１の中心軸Ｚ_Ｓとがずれて構成されている。 （もっと読む）

本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。
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【課題】少ない冷却−潤滑剤で単結晶を内孔切断によって分割可能な装置を提供する。
【解決手段】内孔切断する同心孔を有する切断ディスク２が中心軸を中心に回転可能であって、そのエッジ３で単結晶１を切断する。該装置は、切断されるべき単結晶１を切断ディスク２と相対的に位置付けるための位置決め装置と、単結晶１を切断した後の切断ディスク２に、冷却−潤滑剤を供給するための第１の供給装置１０と、圧縮空気を供給するための装置１２と、洗浄液を供給するための第２の供給装置１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの製造にあたり、オートドーピングを有効に防ぎ、かつ、パーティクルの発生を十分に低減すると共に、シリコン単結晶基板の十分な強度を担保するシリコン単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主鏡面及び裏面を有するエピタキシャル成長用半導体ウェーハにおいて、該ウェーハは、シリコン単結晶基板からなり、該シリコン単結晶基板の外周側面と前記主鏡面及び裏面の間に面取り部をそれぞれ備え、少なくとも前記裏面及び裏面側の面取り部にＣＶＤ膜を成長させる工程を施した後に、主鏡面側の面取り部に回り込んだＣＶＤ膜を機械的に除去し、最大高さ粗さ（Rｚ）が０．３μｍ以下の鏡面に仕上げたことを特徴とするエピタキシャル成長用半導体ウェーハを提供する。 （もっと読む）