複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

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【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスなどの製造工程のスループットを向上すると同時にウエーハの割れを抑えることのできる酸化物単結晶ウエーハおよび酸化物単結晶ウエーハの製造方法ならびにＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶ウエーハであって、少なくとも、ウエーハの表側面と、該表側面の反対側の裏側面と、外周面のうち、いずれか一つ以上の面に割れ防止のための絶縁性被膜を有するものである酸化物単結晶ウエーハおよび酸化物単結晶ウエーハの製造方法ならびに上記酸化物単結晶ウエーハにＳＡＷデバイスを形成するＳＡＷデバイスの製造方法。 （もっと読む）

半導体ウェハ（１）を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板（２）を準備し、この成長基板（２）に半導体層列（３）をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層（４）として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも１つの機能半導体層（５）とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層（５）を通して分離層（４）にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層（４）に沿って分断し、上記の成長基板（２）を含む半導体ウェハ（１）の部分（１ａ）が切り離される。
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本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を有するフッ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 エネルギー密度３０〜３００ｍＪ／ｃｍ^２、発振周波数３０〜３００ＨｚのＡｒＦレーザー光を１０^３〜１０^８パルス照射した後の波長２４８ｎｍにおける透過率Ｔ_２４８及び波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ_１９３が共に８５パーセント以上であること、及びＴ_１９３／Ｔ_２４８が０．９５０以上であることを満たし、かつ上記パルス照射した後の波長１５７ｎｍにおける透過率Ｔ_１５７が８０パーセント以上であること、及びＴ_１５７／Ｔ_１９３が０．９００以上であることを満たすフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長前，エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とするサファイア基板の提供を目的とする。
【解決手段】 直径３インチ以上のサファイア基板であって、主面（育成面を主面とし、反対側の面を裏面とする。）と裏面とに歪みが無く、かつ、エピタキシャル成長後に窒化物半導体膜を有するサファイア基板の反り量が所望の反り量となるように、主面が、凹度が８〜５０μｍの範囲内で凹形状に反っていることを特徴とする基板である。 （もっと読む）

【課題】 急激な温度変化が与えられても、ウェハの両面において、デバイスを形成する領域にスリップラインが発生しない構造の化合物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体ウェハは、化合物半導体結晶を切断して得られる化合物半導体ウェハで、ウェハ両面におけるウェハ外周縁３からウェハ中心方向に向かって距離Ｄまでの領域が、転位密度が１００，０００ｃｍ^-2以上の高転位密度領域２となっているものである。 （もっと読む）

単結晶様特性を示す、肉眼で見えるサイズの多結晶物質は、自己整列モルフォロジーを有し、任意で共に結合し、少なくとも１つから最高３つまでの結晶方向に沿って配列する、複数の単結晶粒子から形成される。 （もっと読む）