【課題】顕微鏡を使用せず、作業効率を向上させ、かつ、高精度で切断面に結晶方位面を得ることができる単結晶材料の面方位合わせ装置および単結晶材料のスライス方法を提供する。
【解決手段】面方位合せ装置（１２）の回転部（１２ａ）は、回転変位量が調整可能かつ固定可能に、固定部（１２ｂ）に対して回転可能であり、かつ、ワイヤソー（４）の走行方向と同じ方向に直線状の往復移動が可能である。単結晶材料（１０）の保持テーブル（１１）に設けられた回転部（１１ａ）は、単結晶材料（１０）を固定可能であり、固定部（１１ｂ）に対し、回転変位量が調整可能かつ固定可能に取り付けられる。モニタ装置（５）は、画面を２分割して使用し、第１カメラ（６ａ）が撮影する視野を第１画面に映し出し、かつ、第２カメラ（６ｂ）が撮影する視野を第２画面に映し出す。並んだ画像が一直線状となるように、回転部（１１ａ）または回転部（１２ａ）を回動調整する。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数Ｘ帯の振幅（強度）ｙを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノッチ角部への残留物を減らし、窒化物半導体基板上への結晶成長歩留を向上できる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】円形の窒化物半導体基板本体２の外周に結晶方位と表裏面とを特定するノッチ３を形成する窒化物半導体基板１において、窒化物半導体基板本体２の外周に、複数の辺からなるノッチ３が形成され、そのノッチ３の結晶方位を示す方位辺４が結晶方位と±０．３°以内で一致するように形成され、かつ、表裏面を特定する表裏判別辺６と方位辺４との角度θが９０°よりも大きくなるように形成され、かつ、各辺の交点の曲率半径が０．１ｍｍ以上となるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】 坩堝蓋体３を切削予定面Ｃの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Ｃから種結晶載置部３Ｃの表面までの厚さｔは、種結晶４を含む炭化ケイ素単結晶５の成長高さｈの３倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶５を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削（円形加工）する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】成長面に、幅が０．７ｍｍ以上２ｍｍ未満である溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いた昇華再結晶法により、該種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する、炭化珪素単結晶の製造方法で炭化珪素単結晶を成長させて得られた種結晶付き炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから得られる炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜成長に適した平坦な表面を持つ酸化亜鉛単結晶基板を得る。
【解決手段】 研磨し洗浄した基板１をチェンバーに投入し、真空としたチェンバー内において、酸化亜鉛を溶解することができる成分であるフラックスをこのフラックスが溶融する温度及び圧力を制御しつつ堆積し、薄膜２を形成し、その後、上記フラックス成分を除いて、表面が平坦な酸化亜鉛単結晶基板１Ａを得る。成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度＋１５０℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク材の表面に複数の光デバイスを区画するストリートと対応する位置にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面とヒートシンク材の表面を対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、該ウエーハをストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハ分割工程と、該ウエーハの基板の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に溝を表出させ、個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程とを含む。 （もっと読む）