【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】本台座を容易に回収することができる薄板シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本台座と仮台座とを接着剤１を用いて接着する仮台座固定工程と、本台座に接着した仮台座の本台座側とは反対側の面に、接着剤２を用いてシリコンインゴットを接着して固定するシリコンインゴット固定工程と、仮台座を介して本台座に固定した状態でシリコンインゴットを複数個の薄板状の薄板シリコンに切断する切断工程と、仮台座から薄板シリコンを剥離する薄板シリコン分離工程と、本台座から仮台座を剥離する本台座回収工程とを有する薄板シリコンの製造方法であって、仮台座固定工程において、接着剤１として加熱又は紫外線照射により硬化する接着剤を用い、かつ、本台座回収工程において、本台座と仮台座との接着体を加熱又は紫外線照射することにより仮台座を破損することなく本台座から剥離する薄板シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温保護層の成長プロセスを省略でき、ＧａＮ系半導体基板の製造コストを低減できるとともに、低温保護層の品質のばらつきによる影響を排除できる窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍに制御された成長用基板上に、窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 被研削材の円筒研削加工時間を短縮できる円筒研削方法の提供。
【解決手段】
カップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａと前記カップホイール型砥石の直径より１０〜２５ｍｍ小さい直径のカップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａを、これら砥石軸１１ａ，１１ａの軸芯１１ｏが同一直線上にあり、かつ、この同一直線は前記ワーク軸に対し直角になる位置に設けた円筒研削装置１を用いて、クランプ機構７ａ，７ｂに支架された回転している円柱状ワークｗに切り込みを掛け、ついで、回転している円柱状ワークｗを横方向に移動させながら前記カップホイール型砥石１１ｇ，１１ｇでインフィードトラバース研削加工する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットから切り出され表面および裏面が加工されてうねりが除去されるとともに均一な厚みに形成され表面に光デバイス層が積層されるサファイア基板の加工方法であって、サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に光デバイス層が積層される基板となるサファイア基板の加工方法であって、サファイアインゴットから切り出されたサファイア基板の一方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の他方の面を研削し、サファイア基板の他方の面のうねりを除去する第１の研削工程と、第１の研削工程が実施されたサファイア基板の他方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の一方の面を研削し、サファイア基板の一方の面のうねりを除去する第２の研削工程と、第２の研削工程が実施されたサファイア基板の一方の面または他方の面を裏面として研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる表面研磨工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの発光強度を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。したがって、半導体デバイス１００の発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】割れにくく製造歩留まりを高めることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、例えば直径２インチ、厚さ１［ｃｍ］のＧａＮ単結晶インゴットから切り出されたものである。窒化ガリウム基板１０は、ＧａＮ単結晶のＣ面に対する主面１２の傾斜角θが２０°以上１６０°以下であり、破壊靭性が１．３６［ＭＮ／ｍ^３／２］以上である。このような窒化ガリウム基板１０によれば、クラックが入りにくく、割れが低減される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層のインジウムの取り込み効率を向上させることが可能であると共に、反りを抑制することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体のインゴット５をワイヤ７によりスライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体基板を得るスライス工程を備え、スライス工程において、インゴット５を｛０００１｝面から＜１−１００＞方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が｛２０−２１｝面となるようにＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る、もしくは、インゴット５を｛０００１｝面から＜１１−２０＞方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が｛２２−４３｝面又は｛１１−２１｝面となるようにＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）