【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビームを用いて寸法測定パターンの測長を行う際に、正確に寸法測定を行うことができる寸法測定パターン及び寸法測定方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成され、荷電ビームを用いた寸法測定に使用される寸法測定パターンにおいて、寸法が測定される測長部６を有するメインパターン１０ｍと、メインパターン１０ｍに隣接して、前記荷電ビームの合焦点位置が前記測長部６と等価であるサブパターン１０ｓを設ける構成とする。
上記構成によれば、荷電ビームのフォーカスをサブパターン１０ｓで合わせることで、測長部６にフォーカスを合わせることが可能となる。したがって、フォーカス合わせ中に測長部６にコンタミネーションが付着したり、測長部がチャージアップしたりすることがなく、測長部６の寸法を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークが認識領域から外れた状況下でも、比較的短時間でアライメントマークを検出することを可能とするアライメントマーク、及びアライメントマークの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアライメントマーク１は、位置検出に使用されるメインパターン１ｍと、メインパターン１ｍの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン１ｓを備える。サブパターン１ｓはメインパターン１ｍと異なる形状を有しており、メインパターン１ｍとサブパターン１ｓとの間隔を、位置ずれによりメインパターン１ｍが認識領域外に位置するときに、少なくとも１のサブパターン１ｓが認識領域内に位置する間隔とすることで、サブパターン１ｓによりフォーカスを合わせることが可能となる。認識エラーによる測長ＳＥＭの動作停止を回避することができるとともに、比較的短時間で、位置検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＢＥＴ法のように液体窒素を使用せず、被測定物の冷却および加熱操作を伴わない迅速かつ簡便な方法で、複合材料中の粉体についても比表面積を測定できるようにする。
【解決手段】小角Ｘ線散乱法によって得られる小角Ｘ線散乱曲線の始点から終点までの散乱角度についての積分値であるＸ線散乱積分強度と、比表面積とがほぼ直線関係にあることに基づき、被測定物についてＸ線散乱積分強度を求め、既知のＸ線散乱積分強度と比表面積の関係から比表面積を求める。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単なソフトを用いて、電極等の尖頭部の位置を正確に検出することのできるＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】 透視対象物Ｗを透過したＸ線を検出するＸ線検出器２の出力に基づくＸ線透視像を画像処理する画像処理装置７に、透視対象物Ｗの尖頭部の座標を計測する機能を持たせ、その機能においては、Ｘ線透視像の輝度情報から粒子解析に基づいて透視対象物の端点を検出して、尖頭部の直交座標のうちの一方の座標を決定し、その座標情報に基づくエッジ検出により、他方の座標を決定する。 （もっと読む）

【課題】小型かつ安価な装置により、石英ガラス製ランプ用バルブを高精度に計測できるようにする。
【解決手段】Ｘ線管の管電圧を４０ｋｖ〜１００ｋｖとしたＸ線発生装置と、Ｘ線シンチレータ付きファイバオプティクプレート３ａ，３ｂとＣＣＤ３ｃとをダイレクトカップリングしてなるエリアセンサとを設けるとともに、エリアセンサの受像面側に石英ガラス製ランプ用バルブ（被計測物）２を３０ｍｍ以下の離間距離で配置し、エリアセンサで得た石英ガラス製ランプ用バルブの可視像を処理する制御部を設け、制御部は、積算フレーム数設定部と、積算フレーム数設定部で設定された数に達した各フレームの画像を積算処理する画像処理部と、該画像処理部で処理された画像から石英ガラス製ランプ用バルブを計測する画像計測部とを有する構成にする。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
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